mTorrとは 意味・読み方・使い方

A plasma is generated at low gas pressure (10 mTorr or less) by a microwave introducing method which uses one or plural pairs of inside antennas 5 for a bucket type ion source.例文帳に追加

バケット型イオン源に複数の一対又は複数対の内部アンテナ５を用いてマイクロ波を導入する方法によって、低ガス圧(10 mTorr以下)でプラズマを発生さす。 - 特許庁

In order to attain the high quality of the silicon film, either a reaction furnace inner pressure is set to 15 mTorr or less by a low pressure CVD method, or a silane partial pressure is set to 10 mTorr or less.例文帳に追加

これらシリコン膜の高品質化は、減圧ＣＶＤ法にて反応炉内圧力を１５ｍＴｏｒｒ以下とするか、シラン分圧を１０ｍＴｏｒｒ以下とする事で達成される。 - 特許庁

In the case of forming the p-type noncrystalline semiconductor film 3, there are the conditions of substrate temperature ≤210°C and reaction pressure ≥100 mTorr, more preferably, substrate temperature ≤180°C and reaction pressure ≥200 mTorr.例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３を形成する際の条件は、基板温度：２１０℃以下、反応圧力：１００ｍＴｏｒｒ以上、より好ましくは、基板温度：１８０℃以下、反応圧力：２００ｍＴｏｒｒ以上とする。 - 特許庁

The absolute value of a self-bias voltage is set to ≤280 V, and y<8x+120 is satisfied, where (x) is pressure (mTorr) and (y) is bias RF power density (watt/cm2) of the susceptor 12.例文帳に追加

そして、自己バイアス電圧の絶対値を２８０Ｖ以下に選び、圧力（mTorr）をｘ、サセプタ１２におけるバイアスＲＦパワー密度（ワット／ｃｍ２）をｙとすると、ｙ＜８ｘ＋１２０の関係が満たされるようにする。 - 特許庁

The above sputtering is performed under conditions of 0.5-1.1 mTorr sputtering gas pressure, 3-15 W/cm^2 discharge power density, and 100-300°C substrate temperature.例文帳に追加

スパッタリングガス圧：０．５〜１．１ｍＴｏｒｒ、放電パワー密度：３〜１５Ｗ／ｃｍ^2、基板温度：１００〜３００℃ - 特許庁

Processing gas consisting of a gaseous mixture of N2, H2 and Ar, whose flow rate ratio (Ar/(N2+H2+Ar)) is 0.7-0.8, is introduced to the inside the processing chamber 102, and a pressure atmosphere inside the processing chamber 102 is set to 5 mTorr-15 mTorr.例文帳に追加

処理室１０２内に流量比（Ａｒ／（Ｎ_2＋Ｈ_2＋Ａｒ））が０．７〜０．８のＮ_2とＨ_2とＡｒの混合ガスから成る処理ガスを導入し，処理室１０２内の圧力雰囲気を５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒに設定する。 - 特許庁

It is suitable to add 0.5%≤H_2O or O_2≤1.5% to partial pressure of raw material, Ar gas to be used for forming a film over the magnetic layer 3 and further to keep the atmosphere pressure at formation of the film to be in the range of 5 mTorr or higher to 30 mTorr or lower.例文帳に追加

磁性層３を成膜する際に用いる原料Ａｒガスの分圧に対して、０．５％以上１．５％以下のＨ_２ＯまたはＯ_２を添加し、更に成膜時雰囲気の圧力を５ｍＴｏｒｒ以上３０ｍＴｏｒｒ以下とすることが好適である。 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of holding discharge at a vacuum degree of ≤1 mTorr and capable of stably forming a thin film under low gas pressure.例文帳に追加

１ｍＴｏｒｒ以下の真空度で放電を維持でき、低ガス圧下で安定して薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁