microwave diodeとは 意味・読み方・使い方

In order to match the laser diode (154) to a laser driver IC (20), microwave stubs (166, 200, 202, 220 and 222) are used as a substitute for a conventional branching resistor/capacitor network.例文帳に追加

レーザダイオード(154)とレーザドライバIC(20)をマッチングさせるために、マイクロ波スタブ(166,200,202,220,222)を従来の分路抵抗／コンデンサネットワークの代わりに使用する。 - 特許庁

An interval between the Schottky barrier diode and the smoothing capacitor is set to λg/22.5 to λg/14 wherein λg is a wavelength of a microwave to be received.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードと平滑用キャパシタとの間隔を、受信するマイクロ波の波長をλｇとして、λｇ／２２．５〜λｇ／１４とする。 - 特許庁

In the millimeter-wave band transmitter not using a millimetric wave band PIN diode, level of harmonics being generated is increased, when a bias regulator 30 for a millimeter-wave band multiplication diode imparts a bias to the millimeter-wave band multiplication diode, such that a microwave band signal applied to the millimeter-wave band multiplication diode 420 operates in the nonlinear characteristics region of the millimetric wave band multiplication diode.例文帳に追加

この発明のミリ波帯ＰＩＮダイオードを使用しないミリ波帯送信機は、ミリ波帯逓倍ダイオード４２０に印加されるマイクロ波帯信号がミリ波帯逓倍ダイオードの非直線領域で動作するように、ミリ波帯逓倍ダイオード用バイアス調整器３０がミリ波帯逓倍ダイオードにバイアスを与えれば、発生する高調波のレベルは大きくなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the microwave semiconductor device includes steps of forming an epitaxial layer 3 having different etching properties from those of the semi-insulating board 2 on the board 2, and further forming a PIN diode 4 on the layer 3.例文帳に追加

半絶縁性基板２上に、半絶縁性基板２とエッチングの性質が異なるエピタキシャル層３を形成し、更にその上にＰＩＮダイオード４を形成する。 - 特許庁

The microwave band voltage control oscillator for controlling an oscillation frequency by varactor diodes includes the varactor diode circuit having a plurality of series connection circuits in each of which the varactor diode is connected to a capacitor in series and connecting the plurality of series connection circuits in parallel, and the varactor diodes include at least one of a GaAs hyper abrupt type varactor diode and a Si abrupt type varactor diode.例文帳に追加

バラクタダイオードにより発振周波数を制御するマイクロ波帯電圧制御発振器であって、前記バラクタダイオードと容量とが直列に接続された直列接続回路を複数備え、該直列接続回路が複数並列に接続されたバラクタダイオード回路と、前記バラクタダイオードが、GaAsのHyper Abrupt型のバラクタダイオードおよびSiのAbrupt型のバラクタダイオードを少なくとも１つ以上含む。 - 特許庁

An output of a microwave signal source 103 is coupled to a microwave resonator 101 via a directional coupler 106 and a decoupler 107 and after reflected in a resonance system of the tip part 102 thereof and the sample 104, detected with a diode 110 via the directional coupler from the decoupler.例文帳に追加

マイクロ波信号源１０３の出力は、方向性結合器１０６、減結合器１０７を経てマイクロ波共振器１０１に結合され、その先端部１０２と試料１０４との共振系で反射された後、減結合器から方向性結合器を経てダイオード１１０で検波される。 - 特許庁

To provide a limiter circuit using a PIN diode employed in a microwave band wherein the suppression ratio of the signal is large enough on the occasion of inputting a high frequency signal of a high level and also the PIN diode hardly breaks down even on the occasion of inputting an signal of an excessively high level.例文帳に追加

マイクロ波帯で使用するＰＩＮダイオードを用いたリミッタ回路において、高レベルの高周波信号の入力時における信号の抑圧比が十分に大きく、且つ過大レベルの信号の入力時にもＰＩＮダイオードが破壊し難くしたリミッタ回路を提供すること。 - 特許庁

Consequently, the level of a millimetric wave band transmission signal can be freely regulated, depending on the extent of the microwave band signal relevance to the nonlinear characteristics region of the millimeter-wave band multiplication diode.例文帳に追加

したがって、マイクロ波帯信号がどの程度、ミリ波帯逓倍ダイオードの非直線特性の領域に該当するかによってミリ波帯送信信号のレベルを自在に調整することができる。 - 特許庁