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misfit dislocationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 不整合転位; ミスフィット転位
「misfit dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
A misfit dislocation density at an interface 27a is lower than a misfit dislocation density at an interface 27b.例文帳に追加
界面27aにおけるミスフィット転位密度は界面27bにおけるミスフィット転位密度より低い。 - 特許庁
The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate.例文帳に追加
この格子間型転位ループが、SiGe層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。 - 特許庁
Since the interstitial dislocation loop is uniformly distributed, the misfit dislocation is uniformly distributed as well, thereby the SiGe layer is loosened.例文帳に追加
格子間型転位ループが均一に分布するので、このミスフィット転位も均一に分布し、それによってSiGe層が緩和される。 - 特許庁
To reduce the formation of misfit dislocation that may reduce the charge mobility and device performance.例文帳に追加
電荷移動度の低下とデバイス性能の低下とをもたらすミスフィット転位の形成を減少させる。 - 特許庁
To provide an extremely high-quality SiC semiconductor wherein crystal defects by misfit dislocation are markedly reduced.例文帳に追加
ミスフィット転位による結晶欠陥を大幅に抑制した極めて高品質なSiC半導体の提供。 - 特許庁
TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME例文帳に追加
均一なミスフィット転位密度を含む緩和SiGe被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法 - 特許庁
Consequently, misfit dislocation occurs at a predetermined density in the crystal(upper layer part of the quantum well layer) of the semiconductor light-emitting element 1, and the misfit dislocation acts to ease the distortion energy stored in the crystal.例文帳に追加
これにより、半導体発光素子1の結晶内部(量子井戸層よりも上層部分)に所定の密度でミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位が結晶内部に蓄積された歪みエネルギーを緩和するように作用する。 - 特許庁
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「misfit dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
To provide an epitaxial wafer manufacturing method for appropriately determining whether or not misfit dislocation occurs in an epitaxial wafer.例文帳に追加
エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
A crystalline nucleus 14 of non-dislocation is subjected to heteroepitaxial growth on the main surface 12 of a substrate 10 so that it may be smaller than critical size wherein misfit dislocation occurs because of lattice mismatch.例文帳に追加
基板10の主面12に、格子不整合によりミスフィット転位が発生する臨界サイズより小さく、無転位の結晶核14をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.例文帳に追加
したがって、p型歪シリコン層22とp型シリコン−ゲルマニウム層24との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor element that prevents lattice defects, such as misfit dislocation and through dislocation, from occurring easily and can obtain a high quality crystal, and also improves heat dissipation characteristics of a substrate.例文帳に追加
ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。 - 特許庁
Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur.例文帳に追加
このとき、p型歪シリコン層22の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。 - 特許庁
To provide a method for producing a silicon wafer for epitaxial substrate, which suppresses generation of automatic doping and misfit dislocation in epitaxial growth.例文帳に追加
エピタキシャル成長時のオートドーピングおよびミスフィット転移発生を抑制するエピタキシャル基板用シリコンウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of semiconductor substrate provided with SiC which is controlled in generation of crystal defect due to misfit dislocation and is reduced in warpage thereof.例文帳に追加
ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたSiCを備え、反りが低減された半導体基板の製造方法を提供する - 特許庁
At this time, a misfit dislocation that occurs at the boundary surface between the substrate 1 and the backing layer 2 does not propagate into the backing layer 2 because it twines at the boundary surface.例文帳に追加
この際、基板1と下地層2との界面に発生したミスフィット転位が前記界面で絡まることにより、下地層2内に伝播しない - 特許庁
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