mosfet device structureとは 意味・読み方・使い方

An MOSFET structure may be incorporated into a device adjacent to the source region, or, alternatively, the MOSFET structure may be omitted to produce a high-voltage transistor structure having a stand-alone drift region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 - 特許庁

A MOSFET structure may be incorporated into the device near the source region, or the MOSFET structure may be omitted to produce a high-voltage transistor having a stand-alone drift region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 - 特許庁

A split gate structure (84) including a first gate electrodes (48, 87) controls the first MOSFET device (41).例文帳に追加

第１ゲート電極（４８，８７）を含む分割ゲート構造（８４）は、第１ＭＯＳＦＥＴデバイス（４１）を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a vertical MOSFET structure well balanced between high withstand voltage and low ON resistance.例文帳に追加

高耐圧および低オン抵抗のバランスに優れる縦型のＭＯＳＦＥＴ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE IMPURITY STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MOSFET TRANSISTOR, AND INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加

複合不純物構造体の製造方法、半導体装置、ＭＯＳ電界効果トランジスタ、及び絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device with a vertical MOSFET structure that can reduce ON-resistance and the variation of the ON-resistance.例文帳に追加

オン抵抗およびオン抵抗のばらつきを低減できる縦型ＭＯＳＦＥＴ構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁

This technique for manufacturing a MOSFET device which has a double gate/double channel structure uses a damascene process.例文帳に追加

２重ゲート／２重チャネル構造を有するＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する本発明の技法はダマシン・プロセスを利用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has SOI structure such as SOI MOSFET with superior characteristics, and its manufacturing method.例文帳に追加

特性の良好なＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴなどのＳＯＩ構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁