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negative resistance diodeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 負性抵抗ダイオード
「negative resistance diode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
A negative feedback path 16 of the amplifier 12 is constituted of a limiter 14 of a parallel connection diode and a resistance R2, and a resistance R1.例文帳に追加
増幅器12の負帰還経路16を、並列接続のダイオード及び抵抗R2のリミッタ14と、抵抗R1とで構成する。 - 特許庁
In the semiconductor device, a cathode ohmic electrode 108 is formed, as a Schottky diode, on the active layer 103 of a Gunn diode GD having an epitaxial structure exhibiting diode characteristics of negative resistance.例文帳に追加
この半導体装置は、負性抵抗を有するダイオード特性を持つエピタキシャル構造からなるガンダイオードGDの活性層103上にショットキー電極としてカソードオーミック電極108が形成されている。 - 特許庁
One end of a first inductance element L3 is connected to a negative resistance circuit 2 via a varactor diode VD, and the other is grounded.例文帳に追加
第1のインダクタンス素子L3の一端をバラクタダイオードVDを介して負性抵抗回路2に接続し、他端を接地する。 - 特許庁
Degradation of sensitivity by a negative feedback effect due to a wiring resistance of the pixel array (A1) is canceled by the dummy diode array.例文帳に追加
画素アレイ(A1)の配線抵抗に起因する、負帰還効果による感度低下をダミーダイオードアレイによりキャンセルする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which facilitates an integrating diode having negative resistance and a Schottky diode having a Schottky characteristic on the same substrate, a manufacturing method therefor and a millimeter wave band communication apparatus.例文帳に追加
負性抵抗を有するダイオードとショットキー特性を有するショットキーダイオードとを同一基板上に容易に集積できる半導体装置およびその製造方法およびミリ波帯通信装置を提供する。 - 特許庁
A laminate structure having the Schottky diode characteristic and a laminate structure having a negative resistance diode characteristic are formed by epitaxial growth on a semi-insulative GaAs substrate 101.例文帳に追加
半絶縁性GaAs基板101上に、エピタキシャル成長によりショットキーダイオード特性を有する積層構造と負性抵抗ダイオード特性を有する積層構造とを順に形成する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device, that can successfully form at least a negative-resistance diode and Schottky diode on the same substrate.例文帳に追加
同一の基板上に少なくとも負性抵抗ダイオードとショットキーダイオードとを首尾良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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「negative resistance diode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 22件
According to this resonant tunnel diode, peculiar characteristics configured such that negative resistance is observed even at a normal temperature, that means the function as a resonant tunnel diode even at a normal temperature can be obtained.例文帳に追加
この共鳴トンネルダイオードによれば、常温であっても負性抵抗が観測される、つまり常温であっても共鳴トンネルダイオードとして機能するという特異な特性が得られる。 - 特許庁
A control circuit 17 imposes negative feedback to the main amplifier 11 via the diode D_2 and the negative-feedback resistance R_fb when the current I_d flowing in the tested device 1 exceeds a current limit value I_2 (I_2>I_1).例文帳に追加
制御回路17は、被測定デバイス1に流れる電流I_d が電流制限値I_2 (I_2 >I_1 )より大きい場合、ダイオードD_2 及び負帰還抵抗R_fb を介してメインアンプ11へ負帰還をかける。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, and its fabricating method, in which a diode having a negative resistance and a Schottky diode having good Schottky characteristics can be integrated on the same substrate by a simple fabrication process without causing any deterioration of contact resistance or epitaxial structure.例文帳に追加
製造プロセスが容易でコンタクト抵抗の劣化やエピタキシャル構造の劣化のない負性抵抗を有するダイオードと良好なショットキー特性を持つショットキーダイオードを同一基板上に集積することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The resistors and the diode of the TCR circuit may be chosen to adjust for temperature variations in resistance values of the resistor, leading to a negative, zero, or positive temperature coefficient of resistance for the circuit.例文帳に追加
TCR回路の抵抗器およびダイオードは、抵抗器の抵抗値の温度変化を調整するように選択することができ、それにより、回路に対する抵抗の温度係数を負、ゼロ、または正にする。 - 特許庁
The oscillator is provided with a frequency selecting circuit 10, having an inductance L and a varicap diode C3 connected in series, in a feedback loop capable of selecting the frequency of an oscillation circuit, and the negative resistance is adjusted by electrically controlling the capacity of the varicap diode C3.例文帳に追加
発振回路の周波数を選択可能な帰還ループに、インダクタンスLとバリキャップダイオードC3とを直列に接続した周波数選択回路10を設け、バリキャップダイオードC3の容量を電気的に制御することにより、負性抵抗を調整する発振器である。 - 特許庁
The semiconductor memory device includes first and second diodes serially connected between two power sources having different potentials, formed of a nanowire, and presenting a negative differential resistance, and a selective transistor connected to a connection part of the first diode and the second diode.例文帳に追加
2つの異なる電位の電源間に直列接続され、ナノワイヤで形成され、負性微分抵抗を示す第1および第2のダイオードと、第1のダイオードと第2のダイオードとの接続部に接続される選択トランジスタと、を有することを特徴とする半導体記憶装置である。 - 特許庁
To provide a memory device having an integration degree of the same extent as a DRAM and requiring no refresh operation as a SRAM by using a negative resistance device such as a tunnel diode or the like.例文帳に追加
トンネルダイオード等の負性抵抗デバイスを用いて、DRAMと同程度の集積度を有し、かつ、SRAMのようにリフレッシュ動作の不要なメモリ装置を提供する。 - 特許庁
This silicon material structure can obtain peculiar characteristics configured such that negative resistance is observed even at a normal temperature, that means the function as a resonant tunnel diode even at a normal temperature can be obtained.例文帳に追加
このシリコン材料構造体は、常温であっても負性抵抗が観測される、つまり常温であってもRTDとして機能するという特異な特性が得られる。 - 特許庁
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