「negative resistance diode」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A laminate structure having the Schottky diode characteristic and a laminate structure having a negative resistance diode characteristic are formed by epitaxial growth on a semi-insulative GaAs substrate 101.例文帳に追加

半絶縁性ＧaＡs基板１０１上に、エピタキシャル成長によりショットキーダイオード特性を有する積層構造と負性抵抗ダイオード特性を有する積層構造とを順に形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, that can successfully form at least a negative-resistance diode and Schottky diode on the same substrate.例文帳に追加

同一の基板上に少なくとも負性抵抗ダイオードとショットキーダイオードとを首尾良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to this resonant tunnel diode, peculiar characteristics configured such that negative resistance is observed even at a normal temperature, that means the function as a resonant tunnel diode even at a normal temperature can be obtained.例文帳に追加

この共鳴トンネルダイオードによれば、常温であっても負性抵抗が観測される、つまり常温であっても共鳴トンネルダイオードとして機能するという特異な特性が得られる。 - 特許庁

A control circuit 17 imposes negative feedback to the main amplifier 11 via the diode D_2 and the negative-feedback resistance R_fb when the current I_d flowing in the tested device 1 exceeds a current limit value I_2 (I_2>I_1).例文帳に追加

制御回路１７は、被測定デバイス１に流れる電流Ｉ_d が電流制限値Ｉ_2 （Ｉ_2 ＞Ｉ_1 ）より大きい場合、ダイオードＤ_2 及び負帰還抵抗Ｒ_fb を介してメインアンプ１１へ負帰還をかける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and its fabricating method, in which a diode having a negative resistance and a Schottky diode having good Schottky characteristics can be integrated on the same substrate by a simple fabrication process without causing any deterioration of contact resistance or epitaxial structure.例文帳に追加

製造プロセスが容易でコンタクト抵抗の劣化やエピタキシャル構造の劣化のない負性抵抗を有するダイオードと良好なショットキー特性を持つショットキーダイオードを同一基板上に集積することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The resistors and the diode of the TCR circuit may be chosen to adjust for temperature variations in resistance values of the resistor, leading to a negative, zero, or positive temperature coefficient of resistance for the circuit.例文帳に追加

ＴＣＲ回路の抵抗器およびダイオードは、抵抗器の抵抗値の温度変化を調整するように選択することができ、それにより、回路に対する抵抗の温度係数を負、ゼロ、または正にする。 - 特許庁

The oscillator is provided with a frequency selecting circuit 10, having an inductance L and a varicap diode C3 connected in series, in a feedback loop capable of selecting the frequency of an oscillation circuit, and the negative resistance is adjusted by electrically controlling the capacity of the varicap diode C3.例文帳に追加

発振回路の周波数を選択可能な帰還ループに、インダクタンスＬとバリキャップダイオードＣ３とを直列に接続した周波数選択回路１０を設け、バリキャップダイオードＣ３の容量を電気的に制御することにより、負性抵抗を調整する発振器である。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes first and second diodes serially connected between two power sources having different potentials, formed of a nanowire, and presenting a negative differential resistance, and a selective transistor connected to a connection part of the first diode and the second diode.例文帳に追加

２つの異なる電位の電源間に直列接続され、ナノワイヤで形成され、負性微分抵抗を示す第１および第２のダイオードと、第１のダイオードと第２のダイオードとの接続部に接続される選択トランジスタと、を有することを特徴とする半導体記憶装置である。 - 特許庁

To provide a memory device having an integration degree of the same extent as a DRAM and requiring no refresh operation as a SRAM by using a negative resistance device such as a tunnel diode or the like.例文帳に追加

トンネルダイオード等の負性抵抗デバイスを用いて、ＤＲＡＭと同程度の集積度を有し、かつ、ＳＲＡＭのようにリフレッシュ動作の不要なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

This silicon material structure can obtain peculiar characteristics configured such that negative resistance is observed even at a normal temperature, that means the function as a resonant tunnel diode even at a normal temperature can be obtained.例文帳に追加

このシリコン材料構造体は、常温であっても負性抵抗が観測される、つまり常温であってもＲＴＤとして機能するという特異な特性が得られる。 - 特許庁

To optimize the ratio of maximum electric field strength at the time of an avalanche to the average electric field of a strong electric field area and the gradient of impurity concentration around the strong electric field area in order to reduce the operation resistance of an electrostatic protection diode, and to prevent the destruction of a semiconductor element due to negative resistance.例文帳に追加

静電気保護ダイオードの動作抵抗を低減すると共に負性抵抗による半導体素子の破壊を防止するため、アバランシェ時の最大電界強度と強電界領域の平均電界の比率や強電界領域周辺の不純物濃度勾配を最適化する。 - 特許庁

A resistance element R1 is connected in series to a feedback diode D2 arranged between an end part of the exciter coil 2 and grounding, and a light emitting diode LD is connected so that voltage generated on both ends of the resistance element R1 is impressed in the forward direction when the thyristor coil 2 outputs the negative half-wave voltage.例文帳に追加

エキサイタコイル２の端部と接地間に設ける帰還用ダイオードＤ２に対して直列に抵抗素子Ｒ１を接続し、エキサイタコイル２が負の半波の電圧を出力したときに抵抗素子Ｒ１の両端に生じる電圧が順方向に印加されるように発光ダイオードＬＤを接続する。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator comprises a resonance circuit section X including a resonance circuit comprising a strip line 7, a variable capacitance diode 3, and capacitors 4, 5 and for applying an external voltage to the variable capacitance diode 3 to control the resonance frequency, a negative resistance circuit section Y including an oscillation TR 1, and an amplifier circuit section Z including an amplifier TR 2.例文帳に追加

ストリップ線路７と可変容量ダイオード３とコンデンサ４、５とから成る共振回路を含み、前記可変容量ダイオード３に外部電圧を供給して共振周波数を制御する共振回路部Ｘと、発振用トランジスタＴｒ１を含む負性抵抗回路部Ｙと、増幅用トランジスタＴｒ２を含む増幅回路部Ｚとから成る電圧制御発振器である。 - 特許庁

The voltage controlled oscillator circuit comprises a resonance circuit section X including a resonance circuit consisting of a strip line S, a variable capacitance diode DV1 being inductively operated and a capacitor C2, a negative resistance circuit section Y, and an amplifier circuit section Z.例文帳に追加

本発明は、ストリップ線路ＳＬと誘導性で動作する可変容量ダイオードＤＶ１とコンデンサＣ２とから成る共振回路を含む共振回路部Xと、負性抵抗回路部Ｙと、増幅回路部Ｚとから成る電圧制御発振器である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing functional molecular elements that can discriminatingly manufacture a first functional molecular element having a bias voltage region showing negative differential resistance and a second functional molecular element having diode characteristics, to provide a method of manufacturing a functional molecular device, and to provide a method of manufacturing an integrated element comprising a plurality of kinds of functional molecular elements.例文帳に追加

負性微分抵抗を示すバイアス電圧領域が存在する第１の機能性分子素子と、ダイオード特性を有する第２の機能性分子素子とを簡易に作り分けることができる機能性分子素子の製造方法、及び機能性分子装置の製造方法、並びに複数種類の機能性分子素子からなる集積素子の製造方法を提供すること - 特許庁

The battery pack 10 formed by connecting in series a plurality of secondary batteries is composed of a combination of an aqueous secondary battery 14 and a nonaqueous secondary battery 12, and a diode 16 having a negative resistance characteristic is connected in parallel so as to become the forward direction connection in discharge of the battery pack to the aqueous secondary battery out of the plurality of secondary batteries connected in series.例文帳に追加

本発明によって提供される複数の二次電池が直列に接続されてなる組電池１０は、水溶液系二次電池１４と非水系二次電池１２との組合せによって構成されており、前記直列に接続された複数の二次電池のうちの水溶液系二次電池に対し、負性抵抗特性を有するダイオード１６が該組電池の放電時に順方向接続となる向きで並列に接続されている。 - 特許庁

Also, a Zener diode 16 is connected between the gate and a potential point (the drain of an FET 8) which is made equal to the terminal voltage of the resistance element 5 in a current path at an FET 9 side of the output side mirror pair 19 so that a negative feedback path on which currents running through the gate of the FET 13 are made to flow in the potential point can be formed.例文帳に追加

また、前記ゲートと、出力側ミラー対１９のＦＥＴ９側の電流経路中で、抵抗素子５の端子電圧に等しくなる電位点（ＦＥＴ８のドレイン）との間にツェナーダイオード１６を接続することで、ＦＥＴ１３のゲートを介して流れる電流を前記電位点に流入させる負帰還経路を形成する。 - 特許庁