neutron diffusionとは 意味・読み方・使い方

Neutron diffusion calculation is performed, using the respective nuclear constants (Step 57), and the reactor core characteristics, such as, output distribution of the reactor core are calculated.例文帳に追加

中性子拡散計算が各核定数を用いて行われ（ステップ５７）、炉心の出漁分布等の炉心特性が算出される。 - 特許庁

A neutron energy analysis is performed by using a deceleration, a diffusion distance, a thermal neutron absorption effect by cadmium or the threshold reaction of nickel in stainless steel, and the variation with time of the intensity of the neutron flux is measured by nuclides of a plurality of activation substances, whose half lives are different.例文帳に追加

中性子エネルギー分析を減速，拡散距離，カドミウムによる熱中性子吸収効果、またはステンレス鋼のニッケルのしきい値反応を利用して行い、中性子束強度の経時変化を半減期の異なる複数の放射化物質の核種により測定する。 - 特許庁

An in-core power distribution calculation means calculates the critical eigenvalue, neutron flux distribution and power distribution of in-core, based on a diffusion model by the use of a node average nuclear constant.例文帳に追加

炉内出力分布計算手段は、ノード平均核定数を用いて拡散モデルに基づき、炉心の臨界固有値、中性子束分布、出力分布を計算する。 - 特許庁

In a core loaded with a spontaneous neutron type nuclear fuel assembly designed based on a simplified equation of a diffusion equation including spontaneous neutrons, a cooling system in a conventional BWR is changed from a double-phase flow of water into gaseous steam.例文帳に追加

従来のBWRでの冷却方式を水のニ相流から気体の水蒸気にし、自発中性子入り拡散方程式の簡略式に基づいた設計の自発中性子型核燃料集合体を装荷せる炉心にする。 - 特許庁

A hafnium plate 21, of which C-axis of crystal orientation is controlled, is used as a neutron absorber and a zirconium film or a zirconium alloy film 23 is coated on the surface of the hafnium plate 21 by friction stir welding, diffusion bonding, spraying, or explosive bonding.例文帳に追加

中性子吸収材として、結晶方位のＣ軸の向きを制御したハフニウム板２１を用い、このハフニウム板２１の表面にジルコニウム膜又はジルコニウム合金膜２３を摩擦攪拌接合、拡散接合、溶射或いは爆着により被覆させる。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is provided on a single chip thereon with a neutron detecting portion having a ^10B diffusion layer 10 which is incorporated with boric acid comprising isotope ^10B, an α ray detecting portion having a p-n junction 13 which consists of a p well and an n well 12, and an analysis circuit portion for analyzing an electric charge generated at the p-n junction 13.例文帳に追加

シリコン基板１には、同位体^１０Ｂを含むホウ素が導入された^１０Ｂ拡散層１０を有する中性子検出部、ｐウェル１１とｎウェル１２とにより形成されるｐｎ接合１３を有するα線検出部、並びに、ｐｎ接合１３に発生する電荷の解析を行う解析回路部が、同一チップ上に形成される。 - 特許庁