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oxygen implantationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 酸素注入
「oxygen implantation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 54件
In manufacturing an SIMOX wafer having an oxygen implantation process and a high-temperature annealing process, prior to implantation of oxygen ions; an oxide film is formed on the surface of the wafer, and oxygen ion implantation is executed through the oxide film.例文帳に追加
酸素イオン注入工程および高温アニール工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、 該酸素イオン注入に先立ち、ウェーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を通して酸素イオンの注入を行う。 - 特許庁
Implantation of oxygen ion in the step of forming the first ion implantation layer 12 is performed at a plurality of stages, namely 4 steps to 10 steps.例文帳に追加
第１イオン注入層１２を形成する工程での酸素イオン注入が、４段〜１０段の複数段に分けて行われる。 - 特許庁
OXYGEN ION IMPLANTATION DEVICE AND SILICON WAFER WITH IMPLANTED OXIDE FILM MANUFACTURED BY USING THE DEVICE例文帳に追加
酸素用イオン打込み装置及びこれを用いて作製された埋込み酸化膜付シリコンウエハ - 特許庁
Removal of the resist mask, implantation of oxygen, and heat treatment are consecutively performed without exposing to the air.例文帳に追加
レジストマスクの除去と、酸素の導入と、加熱処理を大気に触れずに連続して行う。 - 特許庁
To suppress occurrence of crystal defects due to recoiled oxygen by reducing the recoiled oxygen due to ion implantation.例文帳に追加
イオン注入によるリコイル酸素を低減し、リコイル酸素による結晶欠陥の発生を抑制することにある。 - 特許庁
The method for manufacturing the SIMOX wafer having a process of oxygen ion implantation has a process in which hydrogen ions are implanted by doses of 10^15-10^17/cm^2 either before or after the oxygen ion implantation process.例文帳に追加
酸素イオンを注入する工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入工程の前後いずれかで、水素イオンを、10^15〜10^17／cm^２のドーズ量で注入する工程を有する。 - 特許庁
When oxygen is ion-implanted to a wafer 10 for an active layer, the hydrogen is ion-implanted inside an oxygen ion implantation peak area 10a thereafter and the oxygen ion implantation peak area 10a and a hydrogen ion implantation peak area 10d are matched, the hydrogen and the oxygen react inside the wafer 10 for the active layer at the time of the exfoliation heat treatment at 1,100°C and steam bubbles are generated.例文帳に追加
活性層用ウェーハ１０に酸素をイオン注入し、その後、酸素イオン注入ピーク領域１０ａ内に水素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域１０ａと水素イオン注入ピーク領域１０ｄとを合致させれば、１１００℃での剥離熱処理時、活性層用ウェーハ１０内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。 - 特許庁
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「oxygen implantation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 54件
Oxygen deposit (a) having size and density for achieving the gettering of metal impurities is formed inside a silicon single crystal substrate 10 before oxygen ion implantation, thus achieving the sufficient gettering of the metal impurities in the oxygen ion implantation.例文帳に追加
酸素イオン注入前に金属不純物のゲッタリングが可能なサイズと密度とを有する酸素析出物ａをシリコン単結晶基板１０の内部に形成するので、酸素イオン注入時に金属不純物を十分にゲッタリングできる。 - 特許庁
When the oxygen ions 16 are implanted, divided into a plurality of number of times, the periphery of the mask oxide film 23 is removed by etching or, is padded for enlargement between the previous oxygen ion implantation process and the subsequent oxygen ion implantation process.例文帳に追加
酸素イオン１６の注入が複数回に分けて行われる場合には、先の酸素イオン注入工程と後の酸素イオン注入工程との間にマスク酸化膜２３の周縁をエッチング除去するか或いは肉盛りをして拡大させても良い。 - 特許庁
An imperfect embedded oxide film 12 is formed in the surface layer by decreasing an ion implantation amount of oxygen in the surface layer of a silicon wafer 11 and heat-treating an ion implantation layer 15 during low temperature epitaxial growth.例文帳に追加
シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。 - 特許庁
This oxidation can be performed easily by means of implantation of self-aligned oxygen ions or other ions.例文帳に追加
この酸化は自己整合した酸素のイオン打ち込みまたは他種のイオン打ち込みを用いることにより、容易にすることができる。 - 特許庁
Also, since the embedded oxide can be easily formed by ion implantation of oxygen atoms, the photodiode can be inexpensively manufactured.例文帳に追加
また、埋込酸化物は、酸素原子のイオン注入などにより容易に形成することができるため、低コストでフォトダイオードを製造することができる。 - 特許庁
An Si based semiconductor substrate 200 is prepared, and oxygen ion implantation and epitaxial growth of an Si based semiconductor layer are repeated if required.例文帳に追加
Ｓｉ系半導体基板２００を準備し、酸素イオン注入と、Ｓｉ系半導体層のエピタキシャル成長とを必要に応じて繰り返す。 - 特許庁
The doped glass layer 30 contains boron silicate glass and it can be formed by ion implantation of oxygen and boron.例文帳に追加
ドープ・ガラス層３０は、硼珪酸塩ガラス（boron silicate glass）含み、酸素と硼素のイオン注入により形成することができる。 - 特許庁
The doped glass layer 30 contains phosphorous silicate glass and it can be formed by ion implantation of phosphorous and oxygen.例文帳に追加
ドープ・ガラス層３０は、燐珪酸塩ガラス（phosphorous silicate glass）を含み、燐と酸素のイオン注入により形成することができる。 - 特許庁
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酸素注入
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