p型半導体の英語

Both the (Ga, Mn)N thin film 11 and the (Ga, Mn)_2O_3 thin film 12 are a p-type semiconductor exhibiting ferromagnetism.例文帳に追加

(Ga, Mn)N薄膜１１と(Ga, Mn)_2O_3薄膜１２は共にp型半導体であって強磁性を示す。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

In the element 10, an electromotive force is generated by setting a temperature difference between the semiconductors 11 and 12 (e.g. temperature gradient such as high temperature (TH) in the N-type semiconductor side and low temperature (TL) in the P-type semiconductor side).例文帳に追加

この熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12との間に、温度差（例えば、N型半導体側を高温（T_H）、P型半導体側を低温（T_L）とした温度勾配）を設定すると電極間に起電力が生じる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a p-type semiconductor crystal, which has high activation factor in a wide-gap semiconductor.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体において高い活性化率を有するp型半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor layer 3 having a plurality of grooves 2 formed on a surface 6a has the p-type semiconductor regions 40, the n-type semiconductor region 30 formed in a region enclosing the p-type semiconductor region, and an n^+-type cathode region 20.例文帳に追加

表面６ａに複数本の溝２が形成されている半導体層３は、p型半導体領域４０と、そのp型半導体領域を取り囲む領域に形成されているn型半導体領域３０と、n^+型カソード領域２０を有している。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

A fluorine capturing agent is added to a fluorotitanium complex ion-containing aq. soln. mixed with the P-type semiconductor component and the composite film consisting of titanium and the P-type semiconductor is precipitated on the substrate immersed in this aq. soln. to produce a composite film having photocatalytic activity.例文帳に追加

p型半導体成分を混合したフルオロチタン錯イオン含有水溶液にフッ素捕捉剤を添加し、この水溶液に浸漬した基板上に、酸化チタン及びp型半導体からなる複合膜を析出させる、光触媒活性を有する複合膜の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing a p-type semiconductor crystal by subjecting the semiconductor crystal to donor acceptor simultaneous doping, the semiconductor crystal (for example, ZnO) is supplied intermittently with donor impurities (for example, Ga), in the manufacturing process of the p-type semiconductor crystal.例文帳に追加

半導体結晶にドナー・アクセプタ同時ドーピングを行ってp型半導体結晶を製造する方法において、上記p型半導体結晶の製造過程において、上記半導体結晶（たとえば、ＺｎＯ）にドナー不純物（たとえば、Ｇａ）を断続的に供給する。 - 特許庁