phase plane methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a vapor phase growth system capable of vapor phase growing thin films having more uniform thickness in-plane distribution, and a method for manufacturing a semiconductor wafer.例文帳に追加

厚さの面内分布がより均一な薄膜を気相成長できる気相成長装置および半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial method capable of suppressing in-plane variation in sheet carrier concentration of a planar dope HEMT.例文帳に追加

プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

Especially, an extremely planar nonpolar (a)-plane GaN film is grown by a halide vapor-phase growing method (HVPE).例文帳に追加

特に、極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth method capable of forming respective semiconductor layers having different compositions in high in-plane uniformity and high repeatability, and to provide a vapor-phase growth device.例文帳に追加

異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a birefringent optical film with the improvement of an in-plane phase difference value Δnd, a phase difference value Rth in the thickness direction and an optical axis precision.例文帳に追加

平面内の位相差値Δｎｄ、厚み方向の位相差値Ｒｔｈ、および、光学軸の精度が向上した複屈折性光学フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase shift mask blank by which variation in a phase angle and transmittance among blanks and within a blank plane can be reduced as much as possible and high yield is obtained.例文帳に追加

ブランクス間及びブランクス面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a film phase plate which is capable of controlling the phase difference at an optional place, comprising removing the in-plane unevenness in phase difference, and improving production yield.例文帳に追加

位相差の面内むらを除去し、製造歩留まりを向上させるフィルム位相板の製造方法を提供するとともに、任意の場所の位相差が制御可能なフィルム位相板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cellulose acylate film having characteristics in which an in-plane phase difference Re is 100-300 nm, a thickness direction phase difference Rth is Re×0.5 or below, and a late phase in the axial dislocation is within ±5°.例文帳に追加

面内位相差Ｒｅが１００〜３００ｎｍ、厚み方向位相差ＲｔｈがＲｅ×０．５以下、かつ遅相軸ズレが幅方向に対し±５°以下の特性を有するセルロースアシレートフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁