「phase plane method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PLANE SHAPE MEASURING METHOD FOR PHASE-SHIFT INTERFERENCE FRINGE SIMULTANEOUS PHOTOGRAPHING DEVICE例文帳に追加

位相シフト干渉縞同時撮像装置における平面形状計測方法 - 特許庁

DEVICE USED IN HOLOGRAPH MEMORY SYSTEM AND METHOD OF MAPPING PERIODIC PHASE STRUCTURE TO INPUT DATA PLANE例文帳に追加

ホログラフメモリーシステムで用いられる装置と、周期的位相構造を入力データ面にマッピングする方法 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system capable of vapor phase growing thin films having more uniform thickness in-plane distribution, and a method for manufacturing a semiconductor wafer.例文帳に追加

厚さの面内分布がより均一な薄膜を気相成長できる気相成長装置および半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial method capable of suppressing in-plane variation in sheet carrier concentration of a planar dope HEMT.例文帳に追加

プレーナドープＨＥＭＴのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

Especially, an extremely planar nonpolar (a)-plane GaN film is grown by a halide vapor-phase growing method (HVPE).例文帳に追加

特に、極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth method capable of forming respective semiconductor layers having different compositions in high in-plane uniformity and high repeatability, and to provide a vapor-phase growth device.例文帳に追加

異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a birefringent optical film with the improvement of an in-plane phase difference value Δnd, a phase difference value Rth in the thickness direction and an optical axis precision.例文帳に追加

平面内の位相差値Δｎｄ、厚み方向の位相差値Ｒｔｈ、および、光学軸の精度が向上した複屈折性光学フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase shift mask blank by which variation in a phase angle and transmittance among blanks and within a blank plane can be reduced as much as possible and high yield is obtained.例文帳に追加

ブランクス間及びブランクス面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a film phase plate which is capable of controlling the phase difference at an optional place, comprising removing the in-plane unevenness in phase difference, and improving production yield.例文帳に追加

位相差の面内むらを除去し、製造歩留まりを向上させるフィルム位相板の製造方法を提供するとともに、任意の場所の位相差が制御可能なフィルム位相板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a cellulose acylate film having characteristics in which an in-plane phase difference Re is 100-300 nm, a thickness direction phase difference Rth is Re×0.5 or below, and a late phase in the axial dislocation is within ±5°.例文帳に追加

面内位相差Ｒｅが１００〜３００ｎｍ、厚み方向位相差ＲｔｈがＲｅ×０．５以下、かつ遅相軸ズレが幅方向に対し±５°以下の特性を有するセルロースアシレートフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of providing a crystal having a desired plane orientation by solid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

固相エピタキシャル成長によって、所望の面方位を有する結晶を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polyethylene terephthalate film is characterized in that a plane orientation coefficient measured by a phase difference measuring method is 0.135-0.150.例文帳に追加

前記ポリエチレンテレフタレートフィルムは、位相差測定法による面配向係数が０．１３５以上０．１５０以下の範囲内であることを特徴とする。 - 特許庁

The system and method also evaluate a vehicle situation relative to a phase plane, having axes of relative speed and relative acceleration of the host vehicle relative to a preceding vehicle (14), and compares the vehicle situation to a threshold for a particular region of the phase plane.例文帳に追加

ドライバ警報システム及び方法は又、先行車（１４）に対するホスト車の相対速度及び相対加速度の軸線を有するフェーズ平面に対する車両状況を評価し、この車両状況をフェーズ平面の特定の領域についての閾値と比較する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter for manufacturing a color filter in which a phase difference (retardation) in the surface of a substrate is uniform in in-plane distribution and an adhesive strength between a phase difference layer and a transparent conductive layer is large.例文帳に追加

基板面内での位相差（リタデーション）の面内分布が均一で、位相差層と透明導電層との付着力が大きいカラーフィルタを製造するカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a retardation layer which includes a plurality of regions differing in both in-plane phase difference and thickness-directional phase difference and has superior flatness and heat resistance, and a retardation substrate manufactured by the method.例文帳に追加

面内位相差および厚み方向位相差の双方が異なる複数の領域を含み、かつ平坦性・耐熱性に優れた位相差層を簡便に製造する方法及びその製法により製造された位相差基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor phase doping apparatus and a method with which in-plane uniformity in an impurity diffused layer having a shallow joint can be improved.例文帳に追加

浅い接合の不純物拡散層の面内均一性を向上させることができる気相ドーピング装置および気相ドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a retardation film excellent in translucency, having a uniform in-plane phase difference value, and capable of providing both roles as a negative C plate and A plate.例文帳に追加

透光度にすぐれて面内位相差値が均一であり、ネガティブＣプレートとＡプレートとの役割を共に行える位相差フィルムの製造方法の提供。 - 特許庁

This is a method, which is useful to an aligner which is equipped with a radiation source, a phase shifting mask, and a focal plane and handles a material sensitive to radiation.例文帳に追加

放射線源と、位相シフト用マスクと、焦点面とを備えている放射線に感応する材料の露光システムにおいて役に立つ方法。 - 特許庁

The vapor phase deposition apparatus 1 provided with the nozzle 7 for supplying gas which is salient in a reactive atmosphere during vapor phase deposition and supplies gas for vapor phase deposition onto a principal plane of a substrate, and the method of cleaning the nozzle 7 (103) for supplying gas are provided.例文帳に追加

気相成長の際に反応雰囲気内に突出して気相成長用ガスを基板の主表面上に供給するガス供給用ノズル７を備える気相成長装置１およびガス供給用ノズル７（１０３）の清浄化方法である。 - 特許庁

To provide a susceptor, a vapor phase growth device, a method of manufacturing an epitaxial wafer, and an epitaxial wafer, which are capable of readily achieving the in-plane uniformity of dopant concentration and resistivity.例文帳に追加

ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase difference film which has a negative phase difference in the thickness direction and which is excellent in folding resistance and has a full phase difference while exhibiting high heat resistance based on a high glass transition temperature, by extending a resin film as an original role in the in-plane direction.例文帳に追加

厚さ方向の位相差が負の位相差フィルムであって、ガラス転移温度の高さに基づく高い耐熱性を示しながらも、折り曲げ耐性に優れ、十分な位相差を有する位相差フィルムを、原反である樹脂フィルムの面内方向の延伸によって製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the method, at the time of growing crystals by vapor phase method, at least one pit 10p having a plurality of facets 12 is formed on the main growing plane 11 of the Al_xGa_1-xN crystals (0<x≤1) 10.例文帳に追加

気相法による結晶成長の際に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成する。 - 特許庁

To provide a phase measuring method and measuring apparatus that can easily and high accurately measure the angle characteristic of a film given on a reflecting mirror with curvature and plane reflecting mirror, especially the phase characteristic of a film up to an angle of vertical incidence.例文帳に追加

曲率のある反射鏡や平面反射鏡に施した膜の角度特性、特に垂直入射に近い角度まで膜の位相特性を容易に、しかも高精度に測定することができる位相測定方法及び位相測定装置を得ること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thermoplastic film which has large retardation development and an inclined structure, has an inclined azimuth in one direction of the slow phase axis direction and the fast phase axis direction on a film surface, and has an excellent plane shape.例文帳に追加

レターデーションの発現性および傾斜構造が大きく、フィルム面内の遅相軸方向または進相軸方向のいずれか一方向に傾斜方位を有し、且つ、面状が良好な熱可塑性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase modulation system where a DC peak of an intensity spectrum on a Fourier plane is suppressed, a dynamic range is improved, constitution is simplified and manufacturing is simplified in a collinear holographic memory apparatus by a phase correlation multiplex system, and to provide a collinear holographic recording and reproducing apparatus by a phase correlation multiplex system and a manufacturing method of the phase demodulation apparatus.例文帳に追加

位相相関多重方式によるコリニアホログラフィックメモリー装置にあって、フーリエ面での強度スペクトラムのＤＣピークの抑制を図り、ダイナミックレンジの改善を図り、更に、構成の簡潔化、製造の簡易化を図ることができるようにした位相変調装置、位相相関多重方式によるコリニアホログラフィック記録再生装置及び位相変調装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide an inspection method of an optical film capable of accurately inspecting the defects of an optical film including a liquid crystal film, satisfying Re≤20 nm and |Rth|≥20 nm, when an in-plane phase difference is set to Re and a phase difference in the thickness direction is set to Rth.例文帳に追加

面内位相差をＲｅ、厚さ方向の位相差をＲｔｈとしたとき、Ｒｅ≦２０ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜≧２０ｎｍを満たす液晶フィルムを含む光学フィルムの欠陥の検査を的確に行うことができる光学フィルムの検査方法を提供する。 - 特許庁

After that, the silicon wafer surface mirror-finished by the gas-phase etching is scanned by a TXRF method so that in-plane distribution information of the metal impurities contained in the first surface layer of the silicon wafer is obtained.例文帳に追加

その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 - 特許庁

The surface of a lower diamond film 2 is formed of the diamond (111) crystal plane, and quadrangular pyramidal diamond projections are formed on the above surface through a vapor-phase composition method.例文帳に追加

下層ダイヤモンド膜２は、表面がダイヤモンド（１１１）結晶面により構成され、前記表面にダイヤモンドの４角錐状の突起が形成されたものであり、気相合成により形成されている。 - 特許庁

To provide an inexpensive high-quality epitaxial wafer having good crystallinity by setting the maximum value of the in-plane dislocation density of a substrate used in a liquid-phase epitaxy method within an appropriate range.例文帳に追加

液相エピタキシー法において使用する基板の面内の転位密度の最大値を適正範囲に設定することで、安価で且つ結晶性が良い高品質なエピタキシャルウェハを提供することにある。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which dispersion of film thickness of an epitaxial layer is reduced, an epitaxial wafer excellent in uniformity in a plane can be manufactured and thereby yield of a device can be improved.例文帳に追加

エピタキシャル層の膜厚のばらつきを低下し、面内均一性に優れたエピタキシャルウェハを製造することでデバイスの歩留を向上できる液相エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for adjusting the phase of a plane light wave circuit type delay demodulation device provided with Mach-Zehnder interferometers (MZIs) 4, 5 to which a DQPSK (Differential Quadrature Phase Shift Keying) signal is input and heaters A to H formed on each-two arm waveguides 8, 9, 12, 13 of respective MZIs 4, 5 to demodulate the DQPSK signal includes the following steps.例文帳に追加

DQPSK信号が入力されるマッハツェンダー干渉計（MZI）４，５と、各MZIの２つのアーム導波路８，９，１２，１３上に形成されたヒータA〜Hと、を備え、DQPSK信号を復調させる平面光波回路型の遅延復調デバイスの位相調整方法は、以下のステップを含む。 - 特許庁

The alumina-based sintered compact is characterized in that the alumina purity is ≥99-99.7 mass% and the maximum peak intensity of α-alumina crystal phase, measured by X-ray diffraction method, is assigned to (104) plane in a surface layer part and to (113) plane in an inner part at a depth of ≥10 mm from the surface layer part.例文帳に追加

アルミナ純度が９９．０質量％以上、９９．７質量％以下であり、Ｘ線回折測定によるα−アルミナ結晶相の最大ピークの強度が、表層部において（１０４）面に有するとともに、表層部から深さ１０ｍｍ以上の内部において（１１３）面に有するアルミナ質焼結体とする。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask having the high transmittance of over 6% (9 to 15%), suppressing side etching in a halftone film portion, and having the smooth horizontal plane of a quartz surface, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

６％を越える高透過率（９〜１５％）をもち、且つハーフトーン膜部のサイドエッチングを抑制できしかも石英面を平滑な水平面にすることができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法を提供する。 - 特許庁

The film working method comprises stretching a resin film continuously in the direction of 5-85° to the width direction, wherein the in-plane phase difference of a film after stretching by light of the wavelength of 590 nm is made to be 50-1,200 nm.例文帳に追加

樹脂フィルムをその幅方向に対して５〜８５度の方向に連続的に延伸する方法であって、延伸後のフィルムの波長５９０ｎｍの光による面内位相差を５０〜１,２００ｎｍとなすフィルム加工方法。 - 特許庁

In the method of forming the crystalline zinc oxide thin film on a substrate at a temperature below 400°C, a crystalline buffer layer whose front surface is primarily a (111)-plane is formed on the substrate, and thereafter the zinc oxide thin film is deposited by a vapor phase method on the buffer layer.例文帳に追加

基板上に４００℃未満の温度で結晶性酸化亜鉛薄膜を形成させる方法であって、該基板上に表面が主に（１１１）格子面となる結晶性緩衝層を設けた後、該緩衝層の上に酸化亜鉛薄膜を気相法により堆積させることを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask which gives a symmetric spatial image with respect to an image plane even when the dimension of a pattern formed on the mask is in the size of around wavelengths of light from a light source, and to provide an exposure method using the mask.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスクであってこれに形成されたパターンの寸法が光源光の波長程度の大きさであっても、空中像が像面に関して対称となるようなハーフトーン型位相シフトマスク及びこれを用いた露光方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical element provided with a polymer photonic crystal containing a micro domain having a lamellar configuration oriented nearly in parallel to the principal plane of the crystal in a micro phase separation structure and capable of improving optical characteristics as compared with conventional ones.例文帳に追加

結晶の主面に対して略平行に配向したラメラ状のミクロドメインをミクロ相分離構造に含む高分子フォトニック結晶を備え、従来に比して光学特性を向上させることが可能な光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for continuously producing thermoplastic resin films by melt extrusion having a small plane birefringence index or having a small optical phase difference which has not been attained by conventional technique, and also to provide a substrate for a display element using the thermoplastic resin film produced by this production method.例文帳に追加

従来技術では達成できなかった平面複屈折率が小さい熱可塑性樹脂フィルム、即ち光学的位相差の小さい熱可塑性樹脂フィルムを溶融押出にて連続的に製造する方法を提供し、この製造方法によって作られた熱可塑性樹脂フィルムを用いた表示素子用基板を提供する。 - 特許庁

A first insulating diamond layer 2 of high orientation is formed by a vapor phase synthesis method on a low resistance silicon substrate 1 whose surface is (001) plane, and a conductive diamond layer 3 is formed so as to cover the first insulating diamond layer 2 and to be in contact with the substrate 1.例文帳に追加

表面が（００１）面である低抵抗シリコン基板１上に、気相合成法により高配向性の第１の絶縁性ダイヤモンド層２を形成し、この第１の絶縁性ダイヤモンド層２を覆い、基板１と接触するように導電性ダイヤモンド層３を形成する。 - 特許庁

This method for producing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane employs an LPE(liquid phase epitaxy) process, characterized in that a non-magnetic garnet single crystal substrate having a half-value width of the rocking curve in lattice(8 8 8) plane of the substrate of ≤140 seconds is used for growing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane by the LPE process.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得る方法であり、ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するに際して用いる非磁性ガーネット単結晶基板を、該基板（８ ８ ８）面のロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものを用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a phase difference film having a retardation characteristic (in-plane retardation is 0-10nm, and retardation in thickness direction is 70-400nm) useful for increasing a viewing angle of a liquid crystal display device, having small lagging axis angle unevenness of film, and having no quality defect such as a scratch and a dent on the film surface.例文帳に追加

液晶表示装置の視野角拡大に有用なレタデーション特性（面内レタデーションが０〜１０ｎｍ、厚み方向レタデーションが７０〜４００ｎｍ）を有し、フィルムの遅相軸角度むらが小さく、フィルム表面に傷や押されなどの品質欠陥のない位相差フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The grain oriented ceramic is constituted of a polycrystalline body comprising the first perovskite-type alkali-pentavalent metal oxide compound as the main phase in which a specific crystal plane of each grain constituting the polycrystalline body is oriented and has ≥30% average degree of orientation according to the Lotgering's method.例文帳に追加

本発明に係る結晶配向セラミックスは、第１のペロブスカイト型５価金属酸アルカリ化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する結晶粒の特定の結晶面が配向しており、ロットゲーリング法による平均配向度が３０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diffractive optical element which permits the shape correction of a metal mold based on the measured shape of a base surface in the method for manufacturing the diffractive optical element formed with the diffraction gratings defined by a phase function on a continuous surface, i.e. a plane, spherical surface or aspherical surface, as a base surface.例文帳に追加

連続面である平面、球面あるいは非球面をベース面として、そのベース面上に、位相関数により定義される回折格子が形成される回折光学素子の製造方法において、ベース面の測定形状に基づいて金型の形状修正が可能な回折光学素子の製造方法、およびそれにより製造される回折光学素子を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon wafer having a strained silicon layer 10 includes steps of at least forming the surface layer of the silicon wafer as an ion injection layer 11 by injecting ion into a silicon wafer 12, and growing the strained silicon layer by vapor phase epitaxy of the silicon on the ion-injected surface of the silicon wafer after distorting lattices in the in-plane direction.例文帳に追加

歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコンウェーハにイオンを注入することによって該シリコンウェーハの表面層をイオン注入層とし面内方向の格子を歪ませた後、前記シリコンウェーハのイオン注入された面上にシリコンを気相成長させることにより歪みシリコン層を成長させることを特徴とする歪みシリコン層を有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁