physical sputteringとは 意味・読み方・使い方

To provide a power supply which can be rapidly and surely stopped when a short circuit due to a physical contact, an "aerial arc", etc. occurs, and to provide a power supply system, a sputtering power supply and a sputtering apparatus.例文帳に追加

物理的な接触による短絡や「気中アーク」などが発生した場合に迅速且つ確実に停止することができる電源、電源システム、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

It is preferable to form the bonding coat 24 by physical vapor deposition, such as magnetron sputtering, electron beam physical vapor deposition, jet vapor deposition, and plasma thermal spraying.例文帳に追加

ボンディングコート（２４）は好ましくはマグネトロンスパッタ法、電子ビーム物理蒸着、ジェット蒸着、プラズマ溶射等の物理蒸着法で形成される。 - 特許庁

To provide an ion beam sputtering system capable of forming a laminated structure improved in the uniformity of the physical characteristics and thickness of each layer on a wafer substrate.例文帳に追加

ウェーハ基板上に、各層の物理的特性および厚さの均一性の向上した積層構造を形成することを可能にするイオン・ビーム・スパッタ・システムを提供する。 - 特許庁

Deposition of the coating on a support can be achieved by two successive physical vapor deposition steps, and more particularly by magnetron cathode sputtering.例文帳に追加

支持体上への被覆の堆積は、２つの連続した物理的蒸着工程により、より詳しくは、マグネトロン陰極スパッタリングにより、達成することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.例文帳に追加

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁

To provide a stable field emission type electron source and its manufacturing method capable of obtaining high current at low voltage by coating the tip of a cathode by inexpensive physical vapor deposition or sputtering vapor deposition.例文帳に追加

安価な物理蒸着やスパッタ蒸着でカソード先端にコートし、低電圧で大電流がとれ、安定した電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁