「physical sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an ITO sputtering target material and an ITO sputtering target capable of depositing an ITO film having excellent physical properties at low cost, and an ITO sintered body suitable for the same.例文帳に追加

より物性の優れたＩＴＯ膜を低コストで成膜できるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を提供する。 - 特許庁

By performing dry etching which mainly has physical sputtering action after formation of the polycrystalline silicon layer 19, a surface convex part is deleted by the physical sputtering action and embedded in a recessed part, so that the surface of the polycrystalline silicon layer 19 is smoothed.例文帳に追加

多結晶シリコン層１９の形成後、主として物理的なスパッタリング作用をもつドライエッチングを施すことにより、物理的なスパッタリング作用により表面の凸部が削られて凹部へと埋め込まれて、多結晶シリコン層１９の表面が平滑化される。 - 特許庁

To provide a target for physical film deposition reducing abnormal discharge upon sputtering, and to provide an oxide semiconductor film having PAN (Phosphoric acid-Acetic acid-Nitric acid) resistance.例文帳に追加

スパッタリング時に、異常放電を低減できる物理成膜用ターゲット、及び耐ＰＡＮ性の高い酸化物半導体膜を提供する。 - 特許庁

To provide a power supply which can be rapidly and surely stopped when a short circuit due to a physical contact, an "aerial arc", etc. occurs, and to provide a power supply system, a sputtering power supply and a sputtering apparatus.例文帳に追加

物理的な接触による短絡や「気中アーク」などが発生した場合に迅速且つ確実に停止することができる電源、電源システム、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target and for repairing it so that it can be used and reused in the physical vapor deposition of thin film onto a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子に薄膜を物理的蒸着する上で使用、かつ再使用するようスパッタターゲットを作り、かつ改修する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

Deposition of the coating on a support can be achieved by two successive physical vapor deposition steps, and more particularly by magnetron cathode sputtering.例文帳に追加

支持体上への被覆の堆積は、２つの連続した物理的蒸着工程により、より詳しくは、マグネトロン陰極スパッタリングにより、達成することができる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element which is formed by suppressing as much as possible, the usage of etching method using physical sputtering such as ion milling method or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スバッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えて形成された磁気抵抗効果素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a film deposition apparatus which, during a process for depositing a layer on a substrate by a physical vapor deposition (PVD) method, control properties of the layer.例文帳に追加

物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam sputtering system capable of forming a laminated structure improved in the uniformity of the physical characteristics and thickness of each layer on a wafer substrate.例文帳に追加

ウェーハ基板上に、各層の物理的特性および厚さの均一性の向上した積層構造を形成することを可能にするイオン・ビーム・スパッタ・システムを提供する。 - 特許庁

To provide a stable field emission type electron source and its manufacturing method capable of obtaining high current at low voltage by coating the tip of a cathode by inexpensive physical vapor deposition or sputtering vapor deposition.例文帳に追加

安価な物理蒸着やスパッタ蒸着でカソード先端にコートし、低電圧で大電流がとれ、安定した電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.例文帳に追加

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁

A surface of a resin molded item is activated by a plasma treatment and then is subjected to a metal coating treatment by means of a physical deposition method selected from a sputtering method, a vacuum deposition method and an ion plating method.例文帳に追加

プラズマ処理により活性化された表面に、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる樹脂成形体に関する。 - 特許庁

The method for forming a thin film uses a raw material powder for a sintered compact as a target 21a without using the solid sintered compact and forms a thin film by a physical vapor-deposition method such as a sputtering method.例文帳に追加

固体の焼結体ではなく、この焼結体の原料である粉体自体をターゲット２１ａとして用い、スパッタリング法等の物理的蒸着法により薄膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which a thin film having the targeted physical properties, excellent adhesibility and excellent surface property can be deposited on a long substrate with high productivity through sputtering.例文帳に追加

長尺物にスパッタリングで成膜を行うに際し、目的物性を有し、かつ、密着性に優れ、表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜できる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element by a sputtering method that prevents film formation speed from decreasing effectively and restraining the physical damage of the organic electroluminescent element, when forming a protective film in the organic electroluminescent element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の保護膜形成する際に、効果的に成膜速度の低減を防ぎ、かつ、有機ＥＬ素子の物理的ダメージを抑えた、スパッタリング法による有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This Cr-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and the content of B is preferably controlled to 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このＣｒ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｂ含有量が、０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a technically simple, compact apparatus also advantageous cost-wise for coating a thin film system composed of at least two physically different materials on a substrate by sputtering having composite, physical, and advantageously, optical functions.例文帳に追加

物質的に少なくとも２つの異なった材料から成る薄膜系を複合的な物理的な、有利には光学的な機能を有するスパッタリングによって基板にコーティングするための技術的に簡単で、小さくかつコスト面で有利な装置。 - 特許庁

To provide a magnetic thin film capable of performing a regulation at a low temperature rather than a Pt-Fe duality system alloy film, even if any special treatment isn't carried out in physical vapor growth methods for forming general film such as a sputtering method and a deposition method or the like.例文帳に追加

一般的な成膜方法であるスパッタリング法や蒸着法等の物理的気相成長法において、特殊な処理をしなくても、Ｐｔ−Ｆｅ二元系合金膜よりも低温で規則化することができる磁性薄膜を提供すること。 - 特許庁

The hard film 1 having composition of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using an apparatus by a physical vapor deposition method such as a sputtering apparatus with a carbon target and a silicon target, or a sputtering apparatus with a target having composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon.例文帳に追加

組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む硬質皮膜１を、炭素ターゲットと珪素ターゲットを備えたスパッタリング装置、或いは、組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素から構成されるターゲットを備えたスパッタリング装置等の物理蒸着法による装置を用いて製造する。 - 特許庁

The power supply comprises a power source configured to bias the target with a sputtering voltage relative to the substrate support and configured to bias the target with a reverse voltage about 10 or more times for a period of about one second after an arc is detected inside the physical vapor deposition chamber.例文帳に追加

基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約１秒間に約１０回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。 - 特許庁

To provide a target for sputtering capable of depositing a Bi_2O_3 based glass thin film in a stable composition for a long time, and also, with high reproducibility even regarding its physical properties such as the index of refraction, to provide its production method, and to provide a method for depositing a thin film for an optical waveguide.例文帳に追加

Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラス薄膜を長時間にわたって、安定した組成で製膜でき、屈折率等の物性についても再現性よく製膜できるスパッタリング用ターゲット、その製造方法及び光導波路用薄膜の形成方法の提供。 - 特許庁

The target contains a receiving board 302 having a center part 308 and a flange part 314 fittable to the physical vapor deposition chamber, a part 304 elongating from the center part of the receiving board and capable of sputtering and an annular rising part 332 arranged on the surface of the flange part.例文帳に追加

ターゲットは中央部分３０８と前記物理蒸着チャンバーに取付可能なフランジ部分３１４とを有する受板３０２と、該受板の中央部分から延びるスパッタ可能な部分３０４と、前記フランジ部分の表面に配置された環状の隆起部３３２とを含んでいる。 - 特許庁

The metal particles 4 having catalyst activity and an additive particles 3 for improving catalyst activity of the metal particles are precipitated and carried by a physical deposition, for example, sputtering on the surface of a conductive powder 2, and furthermore, are heated, that is, annealed simultaneously with, before or after the precipitation and carrying.例文帳に追加

導電性粉体２の表面に、触媒活性を有する金属粒子４と、この金属粒子の触媒活性を向上させる添加物粒子３とを物理蒸着例えばスパッタリングによって析出担持させ、更に析出担持と同時に或いは前後して加熱すなわちアニール処理を施す。 - 特許庁

To provide an original plate of a ceramic printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an adhesion layer and a thick electric conductive layer of high density on a ceramic board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

セラミック基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により接着層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有するセラミック印刷回路基板の原板及びその原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently produce a net which can be used for a bird control net, an insect control net or for the other purposes, and in which at least one side is provided with a vapor deposition film composed of a metal, an alloy, a metallic compound or the like by physical deposition such as sputtering without wasting the film material.例文帳に追加

防鳥ネットまたは防虫ネットその他の目的に使用可能なネットであって、少なくとも片面に金属や合金、金属化合物等からなる蒸着膜を備えたネットを、スパッタリング等の物理蒸着により、被膜材料の無駄がなく、効率的に生産できるようにする。 - 特許庁

At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このとき、Ｃｒ−Ｖ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｖ含有量が０．１〜３０重量％およびＢ含有量が０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The bonding underlayer preferably has a thickness of less than 50 μm and is made by using physical vapor deposition, e.g. by cathode sputtering, to deposit a plurality of individual layers alternately of aluminum and of a metal from the platinum group, and by causing the metals in the resulting layers to react together exothermally.例文帳に追加

結合下地層は、好ましくは５０μｍよりも薄い厚さを有しており、陰極スパッタリング等の物理的蒸着法を使用して、複数のアルミニウム層とプラチナ系金属層とを交互に堆積させるとともに、それによって得られた層中の金属間で発熱反応を引き起こすことによって形成される。 - 特許庁

The method for room temperature joining is used for joining a plurality of substrates 4 via an intermediate material at room temperature, and includes a step of forming intermediate materials on the to-be-joined surfaces of the substrates by subjecting a plurality of targets 7 to physical sputtering, and a step of activating the to-be-joined surfaces with ion beams.例文帳に追加

複数の基板４を中間材を介して常温で接合する方法において、複数のターゲット７を物理スパッタリングすることによって、前記基板の被接合面上に前記中間材を形成する工程と、被接合面をイオンビームにて活性化する工程と、を含む常温接合方法である。 - 特許庁

Metal particles 4 having catalyst activity and additive particles 3 for improving the catalyst activity of the metal particles are deposited and supported on a surface of conductive powder 2 by physical deposition, for instance, sputtering; and the metal particles 4 and the additive particles 3 are gradually deposited and supported by another process.例文帳に追加

導電性粉体２の表面に、触媒活性を有する金属粒子４と、この金属粒子の触媒活性を向上させる添加物粒子３とを、物理蒸着例えばスパッタリングによって析出担持させ、金属粒子４と添加物粒子３とを別工程によって段階的に析出担持させる。 - 特許庁

To provide a surface modified transparent conductive film and its surface treatment increasing the work function of transparent conductive film without causing an increase in the surface resistance by modifying physical and electrical properties in the surface area of a transparent conductive film (particularly an ITO film) provided by a sputtering method or the like.例文帳に追加

スパッタリング法などにより得られた透明導電性膜（特にＩＴＯ膜）の表面領域における物理的及び電気的性質を改質し、面抵抗の増加を引き起こすことなく透明導電性膜の仕事関数を増加せしめた表面改質透明導電性膜、さらにこの表面処理方法を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the conductive catalyst particles comprises arranging the conductive powder 1 and balls 3, etc., as vibration amplifying means on a vibration surface 20 and simultaneously vibrating both in depositing a catalyst material 18, such as Pt, by a physical vapor deposition method, such as sputtering, to the surface of the conductive powder while vibrating the conductive powder 1, such as carbon.例文帳に追加

カーボン等の導電性粉体１を振動させながら、この導電性粉体１の表面に、スパッタ等の物理蒸着法によりＰｔ等の触媒物質１８を付着させる際、導電性粉体１と、振動増幅手段としてのボール３等とを振動面２０上に配置し、これらを同時に振動させる、導電性触媒粒子の製造方法。 - 特許庁