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plasma ion source systemとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 プラズマイオン源システム
「plasma ion source system」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
The focused ion beam device is provided with a plasma type gas ion source to generate ion beams and an ion optical system to concentrate ion beams generated from the plasma gas ion source on a test piece.例文帳に追加
イオンビームを発生させるプラズマ型ガスイオン源と、プラズマ型ガスイオン源から発生したイオンビームを試料上に集結させるイオン光学系を備えた集束イオンビーム装置である。 - 特許庁
MICROWAVE ION SOURCE, LINEAR ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM, ACCELERATOR SYSTEM FOR MEDICAL USE, HIGH ENERGY BEAM APPLICATION SYSTEM, NEUTRON GENERATING DEVICE, ION BEAM PROCESSING DEVICE, MICROWAVE PLASMA SOURCE, AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加
マイクロ波イオン源、線形加速器システム、加速器システム、医療用加速器システム、高エネルギービーム応用装置、中性子発生装置、イオンビームプロセス装置、マイクロ波プラズマ源及びプラズマプロセス装置 - 特許庁
This ion source includes a plasma forming part 2 for forming plasma 4 and an electrode system 10 for drawing an ion beam 6 from the plasma 4 inside the plasma forming part 2 to draw the ion beam 6 including indium ions of divalent ion.例文帳に追加
このイオン源は、プラズマ4を生成するプラズマ生成部2と、このプラズマ生成部2内のプラズマ4からイオンビーム6を引き出す引出し電極系10とを備えていて、2価のインジウムイオンを含むイオンビーム6を引き出すものである。 - 特許庁
To provide a method for igniting plasma in a focused ion beam system in which the inductively coupled plasma ion source is biased to a high dc voltage.例文帳に追加
誘導結合プラズマイオン源が高dc電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。 - 特許庁
The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加
本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース7を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース7と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー5を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース7とイオンエッチングローラー5との間においてフィルム3を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁
To provide a method for performing milling and imaging in a focused ion beam (FIB) system employing an inductively coupled plasma ion source.例文帳に追加
誘導結合プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム(FIB)システムにおいてミリングおよび画像化を実行する方法を提供すること。 - 特許庁
The ion plating method is pref. a method using a pressure gradient type DC discharge system as a plasma source.例文帳に追加
また前記イオンプレーティング法が、プラズマ源に圧力勾配型直流放電方式を用いた方法であることが好ましい。 - 特許庁
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「plasma ion source system」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
This ion source 2a is provided with a magnetic field generator 30 in the vicinity of the upper part of a plasma electrode 14 being the electrode nearest the plasma side composing an extractable electrode system 12.例文帳に追加
このイオン源2aは、引出し電極系12を構成する最プラズマ側の電極であるプラズマ電極14の上部近傍に磁界発生器30を備えている。 - 特許庁
To provide a microwave ion source or a plasma source stabilizing beam current without precise magnetic field adjustment by reducing change of plasma density caused by change of strength of magnet field in axial direction or ion beam current, and to provide an application device utilizing the above devices such as a linear accelerator system, an accelerator system for medical use, or the like.例文帳に追加
軸方向磁場の強度変化によるプラズマ密度或いはイオンビーム電流の変化を低減し、精密な磁場調整なしでビーム電流を安定化するマイクロ波イオン源或いはプラズマ源と、それを利用した線形加速器システム、医療用加速器システム等の機器等の応用装置を提供する。 - 特許庁
To provide an atmospheric pressure plasma ionizing source mass spectrometer which has an ion deflection lens system that has a high ion transmission efficiency and a simple structure, and further, can be controlled easily.例文帳に追加
高いイオン透過効率を有し、かつ簡単な構造であって、しかも簡単に制御することができるイオン偏向レンズ系を有する大気圧プラズマイオン化源質量分析装置を提供する。 - 特許庁
In the focused ion beam system, a high dc voltage of a biasing power supply 930 connects to an oscillatory waveform from a plasma igniter 950 near a focused ion beam column and applies to a source biasing electrode 906 comprising a part of a plasma chamber 954.例文帳に追加
バイアス電源930からの高dc電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置950からの振動波形が結合(重畳)されて、プラズマ室954の一部を構成する源バイアス電極906に印加される。 - 特許庁
A treatment device composed of: an electron beam excitation ion source for generating nitrogen atom plasma with a high density and a high dissociation degree; a treatment tank for storing plasma and performing nitriding treatment; a vacuum system device; a heating apparatus; and a gaseous starting material system device is used.例文帳に追加
高密度・高解離度の窒素原子プラズマを発生させるための電子ビーム励起イオン源、プラズマを溜め窒化処理を行う処理槽,真空系装置,加熱装置,原料ガス系装置からなる処理装置を使用する。 - 特許庁
To efficiently discharge charge particles of ion or the like discharged from plasma by magnetic field operation, and to suppress second-order creation of contaminant, in extreme ultraviolet optical source equipment of a laser generation plasma system.例文帳に追加
レーザ生成プラズマ方式の極端紫外光源装置において、磁場の作用によりプラズマから放出されるイオン等の荷電粒子を効率的に排出すると共に、汚染物質の2次的な発生を抑制する。 - 特許庁
This ion source 2a is arranged near the upside of a plasma electrode 15 of an extraction electrode system 14, by holding an ion extracting area 20 of the extraction electrode system 14 between, in a heteropolar confrontation, and it is provided with a pair of permanent magnets 26 which generate a magnetic field 28 along the face on the side of plasma 10 of the plasma electrode 15.例文帳に追加
このイオン源2aは、引出し電極系14のプラズマ電極15の上部近傍に、引出し電極系14のイオン引出し領域20を挟んで異極性で相対向するように配置されていて、プラズマ電極15のプラズマ10側の面に沿う磁界28を発生させる一組の永久磁石26を備えている。 - 特許庁
The film-forming apparatus 10 has an ion source 20 for generating plasma discharge in an inert gas and a mechanism 2 for introducing a film-forming gas, in a vacuum chamber provided with an exhaust system, wherein the mechanism 2 for introducing the film-forming gas is placed in a downstream side of a traveling direction of a support 1 with respect to the ion source 20.例文帳に追加
排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源20と、成膜ガス導入機構2とを具備してなり、この成膜ガス導入機構2は、イオン源20を基準として支持体1の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置10を提供する。 - 特許庁
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