plasma phase synthesisとは 意味・読み方・使い方

The reaction gas is made into a plasma state by microwaves of ≥5 kW to produce the diamond by the vapor phase synthesis.例文帳に追加

また、５ｋＷ以上のマイクロ波により前記反応ガスをプラズマ状態にしてダイヤモンドを気相合成する。 - 特許庁

A base material formed with a hard carbon film by a plasma vapor phase synthesis process using a hydrocarbon based gas is subjected to surface treatment by bombard treatment with gas plasma.例文帳に追加

炭化水素系ガスを用いたプラズマ気相合成法によって硬質炭素被膜を形成した基材に、ガスプラズマによるボンバード処理によって表面処理を行う。 - 特許庁

The plasma CVD apparatus which supplies microwave electric power from an antenna 20 provided in an internal circumference of the annular waveguide 5, into a reaction chamber 2 arranged inside the waveguide 5, and generates plasma inside the above reaction chamber 2 to form a film by vapor- phase epitaxial synthesis method, is characterized by arranging a cooling device 27 between the above annular waveguide 5 and the reaction chamber 2.例文帳に追加

環状の導波管５の内側に配置された反応室２内に、該導波管５の内周部に設けられたアンテナ２０からマイクロ波電力を供給し、前記反応室２内部にプラズマを生じせしめ、気相成長合成法で成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記環状導波管５と反応室２との間に冷却装置２７が配置されている。 - 特許庁

The diamond semiconductor of high quality is grown on a diamond substrate by microwave exciting plasma chemical phase synthesis and hydrogen terminal treatment is subsequently applied to the surface of the diamond semiconductor of high quality after growing to form a drain source electrode on the diamond substrate subjected to hydrogen termination treatment.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に、マイクロ波励起プラズマ化学気相合成により高品質ダイヤモンド半導体を成長させ、次に成長後の高品質ダイヤモンド半導体表面に水素終端処理を行い、さらに水素終端処理したダイヤモンド半導体上にドレイン・ソース用電極を作製することを特徴とするＩＳＦＥＴからなるｐＨセンサーの製造方法。 - 特許庁

In growing the carbon nanotube 230 on the nickel membrane 231 by vapor phase synthesis in the reaction jar 101 of microwave plasma CVD device, only cathode line film 202 is set at a lower electric potential than the metal mesh by the bias power source and the gate line film 204 is set at the same potential as the metal mesh, and the carbon nanotube 230 is grown only on the nickel membrane 231 over the cathode line film 202.例文帳に追加

マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応槽１０１内で、気相合成によりニッケル膜２３１上にカーボンナノチューブ２３０を成長させる際、カソードライン薄膜２０２のみをバイアス電源により金属メッシュよりも低い電位に設定し、ゲートライン薄膜２０４は金属メッシュと同じ電位として、カソードライン薄膜２０２上のニッケル膜２３１のみにカーボンナノチューブ２３０を成長させる。 - 特許庁