plasma processingsとは 意味・読み方・使い方

Different plasma processings are continuously carried out in the plasma processing chambers 7 and 12.例文帳に追加

複数のプラズマ処理室７，１２では連続して異なるプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method for implementing stable dischargings and processings, in a plasma processing apparatus utilized as a high-frequency window and a dielectric component introducing an aluminum nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウムを高周波導入窓及び誘電体部品として用いたプラズマ処理装置において、安定した放電及びプロセスを実現するためのプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The video image signal posterior to the processings is arranged for every subfield in an SF control circuit 7 to be processed into a video signal for plasma display.例文帳に追加

処理後の映像信号がＳＦ制御回路７でサブフィールド毎に配列され、プラズマディスプレイ用の映像信号に処理される。 - 特許庁

This PDP(plasma display panel) driving circuit displaying an intermediate gradation by driving one frame into plural subframes starts from the processing of a next subframe by omitting the processing of the first subframes of a next frame when a new frame starting signal is present before processings of all subframes are not completed and also omits processings of subframes in which numbers of sustaining waves are small in the next frame.例文帳に追加

１フレームを複数のサブフレームに分けて中間階調を表示するＰＤＰ駆動回路において、すべてのサブフレーム処理が完了しないうちに新たなフレーム開始信号があったときに、次のフレームの最初のサブフレーム処理をとばして次のサブフレームの処理より開始する。 - 特許庁

Since the wafer temperature variation in the lot can be lowered with simplified manipulations, the plasma processing ensuring very high reproducibility can be attained, even in processings which are particularly influenced by temperature.例文帳に追加

ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that decreases pattern difference and that performs uniform processings, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the same, in a multilayered film containing a number of films having different gas permeabilities.例文帳に追加

ガス透過性が異なる膜を含む多層膜において、パターン差を低減し均一な加工を行うプラズマ処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plasma CVD apparatus 11 comprises a chamber 13 for applying film formation processing to a wafer 12; an introduction pipe 16 for introducing gas that is used for film formation and cleaning processings into the chamber 13; a pair of upper and lower electrodes 22, 19 for generating plasma using the gas; a high frequency power supply 14; and an exhaust pipe 17 for exhausting the gas in the chamber 13.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１１は、ウエハ１２に成膜処理を施すために用いられるチャンバ１３と、チャンバ１３内に成膜およびクリーニング処理するために用いるガスを導入する導入管１６と、ガスを用いてプラズマを発生させる一対の上部及び下部電極２２，１９と、高周波電源１４と、チャンバ１３内のガスを排気するための排気管１７とを有する。 - 特許庁