quantum hallとは 意味・読み方・使い方

The far-infrared light emitting device 1 is made into a quantum hall state of a Landau level filling rate of 4.例文帳に追加

遠赤外発光素子１をランダウ準位充填率４の量子ホール状態にする。 - 特許庁

A vertical micro-resonator is formed of a pair of multilayer reflection layers 3 and 9 for a hall wavelength for light-emitting wavelength, in resonator length, and a quantum well layer 7 is provided at its center, thus the quantum well layer 7 is present at the antinode of the standing wave of the optical wave, with natural output enhanced due to the resonator QED effect.例文帳に追加

１対の多層反射層３，９によって共振器長が発光波長が１／２波長の垂直微小共振器を形成し、その中央に量子井戸層７設けることにより、光波の定在波の腹の位置に量子井戸層７が存在するようになし、共振器ＱＥＤ効果によって自然放出が増強される構造とする。 - 特許庁

Even when the Al percentage composition of the evaporation preventing layer 6 is not changed, the Eg of the layer 6 on the second underlying layer 3 changes from that of the layer 6 on the first underlying layer 2 and a current (Hall) can be efficiently injected into a quantum well active layer by efficiently concentrating the current to an area having a small Eg only.例文帳に追加

蒸発防止層６のＡｌ組成比を変化させなくても第１下地層２上と第２下地層３上とで蒸発防止層６のＥｇが変化し、Ｅｇが小さい領域のみに効率よく電流を集中させて、量子井戸活性層に効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

In addition, the current (Hall) can be more efficiently injected into the quantum well active layer when the GaN first underlying layer 2 is exposed from the opening of the AlGaN second underlying layer 3 and the opening of a current blocking layer or the stripe-like ridge section of a clad layer or contact layer is provided on the exposed surface 16 of the first underlying layer 2.例文帳に追加

さらに、ＧａＮ第１下地層２をＡｌＧａＮ第２下地層３の開口部から露出させ、第１下地層２の露出表面１６上に電流阻止層の開口部を設けるか、クラッド層やコンタクト層のストライプ状リッジ部分を設ければ、量子井戸活性層にさらに効率よく電流（ホール）を注入することができる。 - 特許庁