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意味・対訳 抵抗状態

JST科学技術用語日英対訳辞書での「resistive state」の意味

resistive state


「resistive state」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 82



例文

CIRCUIT FOR SENSING MEMORY CELL RESISTIVE STATE例文帳に追加

メモリセル抵抗状態感知回路 - 特許庁

CIRCUIT AND METHOD FOR DETERMINING RESISTIVE STATE OF RESISTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

抵抗メモリセルの抵抗状態を判別する回路および方法 - 特許庁

METHOD OF DETERMINING MEMORY STATE OF RESISTIVE MEMORY CELL AND DEVICE MEASURING MEMORY STATE OF RESISTIVE MEMORY CELL例文帳に追加

抵抗メモリセルの記憶状態判定方法、ならびに記憶状態測定装置 - 特許庁

CIRCUIT FOR SENSING MEMORY CELL RESISTIVE STATE IN MRAM DEVICE例文帳に追加

MRAMデバイス内のメモリセルの抵抗状態を感知する回路 - 特許庁

A method detecting a resistive state of selected resistive memory cells 175 using this circuit is also disclosed.例文帳に追加

この回路を用いて選択された抵抗性メモリセル(175)の抵抗状態を検出する方法も開示される。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell to be read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell to be read with a reference current that can be dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも1つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

例文

Despite a resistive state of a variable resistive element of a memory cell to be rewritten (an erasing and writing operation), an erasing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element a lowest erasure state is applied thereto.例文帳に追加

書き換え動作(消去および書き込み動作)対象のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、当該可変抵抗素子の抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態とするための消去電圧パルスを印加する。 - 特許庁

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「resistive state」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 82



例文

The method includes determining the resistive state of the memory cell being read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell being read with the reference current dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも1つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、上記読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

Later, a writing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element an intended writing state is applied to a variable resistive element of the memory cell to be written.例文帳に追加

その後、書き込み動作対象のメモリセルの可変抵抗素子に対して、可変抵抗素子の抵抗状態を所望の書き込み状態とするための書き込み電圧パルスを印加する。 - 特許庁

To provide a driving method for a nano gap switching device that shifts from a high resistive state to a low resistive state at high probability and a storage device that shifts the nano gap switching device from a high resistive state to a low resistive state by the driving method.例文帳に追加

高い確率で高抵抗状態から低抵抗状態へ移行させることができるナノギャップスイッチング素子の駆動方法及び当該駆動方法でナノギャップスイッチング素子を高抵抗状態から低抵抗状態へ移行させることができる記憶装置を提供する。 - 特許庁

The variable resistive element comprises a variable resistive layer in which a resistance value changes between a low-resistance state and a high-resistance state.例文帳に追加

可変抵抗素子は、低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗値を変化させるように構成された可変抵抗層を備える。 - 特許庁

The first magneto resistive element (10) has a first resistance state and a second resistance state.例文帳に追加

第1の磁気抵抗素子(10)は第1の抵抗値状態と第2の抵抗値状態を有する。 - 特許庁

The second magneto resistive element (20) has a third resistance state and a fourth resistance state.例文帳に追加

第2の磁気抵抗素子(20)は第3の抵抗値状態と第4の抵抗値状態とを有する。 - 特許庁

A memory cell becomes a low-resistance condition at a first temperature in the programming method of the phase shift memory that has a high resistive state and a low resistive state.例文帳に追加

高抵抗および低抵抗の状態を持つ相変化メモリセルのプログラミング方法において、メモリセルは第1温度に加熱されて低抵抗状態になる。 - 特許庁

例文

The switch is in conduction state, and then the internal resistive element is electrically connected to a ZQ terminal in the state that the external resistive element is not connected to the external terminal.例文帳に追加

外部端子に外部抵抗素子が接続されていない状態で、スイッチを導通状態にして内部抵抗素子をZQ端子に電気的に接続する。 - 特許庁

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