resistivity si substrateとは 意味・読み方・使い方

A Si adhesive substrate is constituted by sticking one surface 20b of an N^--type high resistivity Si substrate 20 having face orientation (111) different from the Si substrate 10 on a surface 10a of an N^+-type low resistivity Si substrate 10 having face orientation (100).例文帳に追加

面方位が（１００）のＮ^＋型低比抵抗Ｓｉ基板１０の面１０ａ上に、面方位がＳｉ基板１０とは異なる（１１１）のＮ^−型高比抵抗Ｓｉ基板２０の一方の面２０ｂを貼り合わせて、Ｓｉ貼合基板を構成する。 - 特許庁

The single crystal Si substrate with metal plating layers comprising the single crystal Si substrate having 1 to 100 Ωcm volume resistivity and one or more metal plating layers provided on the single crystal Si substrate is provided.例文帳に追加

体積抵抗率が１〜１００Ω・ｃｍである単結晶Ｓｉ基板と、該単結晶Ｓｉ基板上に設けられた１層以上の金属メッキ層とを含んでなる金属メッキ層付き単結晶Ｓｉ基板を提供する。 - 特許庁

To form a low-resistance layer in an Si substrate such that resistivity thereof has such a value that operation characteristics of an FET formed utilizing a GaN-based epitaxial growth substrate are not affected.例文帳に追加

Si基板内に形成される低抵抗層の抵抗率が、このGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさに形成されている。 - 特許庁

Secondly, the resistivity of the Si substrate to be used this time is set, and the ratio r is set so that an absolute value of the TCFfr corresponding to the set resistivity and an absolute value of the TCFfa become 20 ppm/°C or less.例文帳に追加

次に、今回使用するＳｉ基板の抵抗率を設定し、該設定した抵抗率に対応するＴＣＦｆｒの絶対値及びＴＣＦｆａの絶対値が２０ｐｐｍ／℃以下となるように比率ｒを設定する。 - 特許庁

The striped insulating film is thus formed, which allows the low-resistance layer 11 formed in the Si substrate to have resistivity such that the operation characteristics of the FET formed utilizing the GaN-based epitaxial growth substrate are not affected.例文帳に追加

このストライプ状絶縁膜が形成されていることによって、Si基板内に形成される低抵抗層11の抵抗率がこのGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさにすることが可能となるという効果が得られる。 - 特許庁

On an Si single crystal substrate 2 having a thickness of 10-1,000 μm, a resistivity of 1E-2 to 1E5 Ωcm, and a carrier density of 1E11 to 1E18/cm^3, a 3C-SiC single crystal film 3 having a thickness of 0.01-1,000 μm is formed.例文帳に追加

厚さ１０〜１０００μｍ、抵抗率１Ｅ−２〜１Ｅ５Ωｃｍ、キャリア濃度１Ｅ１１〜１Ｅ１８／ｃｍ^３のＳｉ単結晶基板２上に厚さ０．０１〜１０００μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜３が形成されている。 - 特許庁

In the ink jet head 10 of such a system as ink is ejected by imparting charges to a thin plate diaphragm 5 formed on a semiconductor substrate 1 of Si, or the like, and an electrode 21 disposed oppositely thereto thereby electrostatically deforming the diaphragm 5, resistivity of the semiconductor substrate is set at 20 Ω.cm or less.例文帳に追加

Ｓｉ等の半導体基板１上に形成された薄板状の振動板５と、該振動板５に対向配置される電極２１とに電荷を与えて振動板５を静電的に変形させ、インクを吐出する方式のインクジェットヘッド１０において、半導体基板の抵抗率を２０Ω・ｃｍ以下とした。 - 特許庁