semiconductor diffusion furnaceとは 意味・読み方・使い方

The lateral diffusion furnace is made to start dropping in temperature at the same time when the semiconductor wafers are started to be unloaded from the furnace, by which the furnace can be improved in temperature-fall follow-up properties.例文帳に追加

横型拡散炉の降温と半導体ウェハの搬出を同時に開始することにより、降温追従性が向上する。 - 特許庁

The impurity deposited on the semiconductor wafer is diffused by a diffusion furnace.例文帳に追加

上記半導体ウェハの上記デポジションされた不純物は、拡散炉により拡散される。 - 特許庁

To provide a boat for a lateral diffusion furnace, which can suppress a slip of a heat-treated semiconductor wafer.例文帳に追加

熱処理される半導体ウェハへのスリップを抑制し得る横型拡散炉用ボートを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer diffusion device and a method of manufacturing a semiconductor device, with which entrainment of the atmosphere into a diffusion furnace can be prevented, when a semiconductor wafer is inserted into the furnace.例文帳に追加

半導体ウエハを拡散炉内に挿入する際に、炉内に大気が巻き込まれるのを抑制できる半導体ウエハの拡散装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the generation of abnormal diffusion while preventing the reduction of the number of semiconductor substrates placeable in a diffusion furnace at once and an increase of the number of manufacturing processes.例文帳に追加

拡散炉内に一度に載置できる半導体基板数の減少と製造工程数の増大とを防ぎながら、異常拡散の発生を抑える。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of manufacturing a diffusion wafer with high in-plane uniformity of a depth of a diffusion layer within a wafer surface including a center part and an outer peripheral part without complicating the horizontal diffusion furnace, and to provide a heat treatment method of a semiconductor wafer.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor treating device that can perform a uniform heat treatment on the wafers and is a vertical thermal diffusion furnace preventing metal contamination.例文帳に追加

ウエハに対して均質な熱処理を施すことが出来、かつ、金属汚染を防止した縦型熱拡散炉である半導体処理装置を提供すること。 - 特許庁