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shallow wellとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 浅井戸
「shallow well」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
SUBMERGED PUMP FOR SHALLOW WELL例文帳に追加
浅井戸用水中ポンプ - 特許庁
UNDERWATER PUMP FOR SHALLOW WELL例文帳に追加
浅井戸用水中ポンプ - 特許庁
A plurality of field effect transistors 223 are formed on a P type shallow well region 212, and a shallow element isolation region 214 on the P type shallow well region 223 has the depth which is more shallow than that of the junction between an N type deep well region 227 and the P type shallow well region 212.例文帳に追加
複数の電界効果トランジスタ223がP型の浅いウェル領域212上に形成され、かつ、P型の浅いウェル領域223上の浅い素子分離領域214が、N型の深いウェル領域227とP型の浅いウェル領域212との接合の深さよりも浅い深さを有する。 - 特許庁
Shallow well 6,162 Tube well 7,942 Rainwater harvesting pond 26 Only 40% of township people can get clean water.例文帳に追加
浅井戸 6,162 管井戸 7,942 雨水貯留池 26 住民の 45%のみが、クリーンな水にアクセス可能 - 厚生労働省
The semiconductor storage device comprises an N-type deep well region 331 formed on a semiconductor substrate 351 and further a P-type shallow well region 332 formed on the well region 331.例文帳に追加
半導体基板351上にN型の深いウェル領域331、さらにその上にP型の浅いウェル領域332を形成する。 - 特許庁
On the other hand, because the P type shallow well region 212 is separated by the deep element isolation region 226 and the N type deep well region 227, a plurality of P type shallow well region 212 separating each other can be formed easily.例文帳に追加
一方、P型の浅いウェル領域212は、深い素子分離領域226とN型の深いウェル領域227とによって分離されるから、互いに独立したP型の浅いウェル領域212を容易に複数形成することができる。 - 特許庁
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「shallow well」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
Idowaki (literally, 'well side'): refers to bowls similar to ido chawan but are large and shallow.発音を聞く 例文帳に追加
井戸脇-井戸茶碗に類するものの意で、見込みがひろく浅めな形(なり)をいう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
METHOD FOR FORMING SHALLOW WELL OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING LOW-ENERGY ION IMPLANTATION例文帳に追加
低エネルギーのイオン注入を利用した半導体素子のシャローウェル形成方法 - 特許庁
To provide a method for forming a shallow well of a semiconductor element using a low-energy ion implantation.例文帳に追加
低エネルギーイオン注入を利用した半導体素子のシャローウェル形成方法を提供する。 - 特許庁
By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow.例文帳に追加
この酸化により、Pウェル5とN型領域6で形成されるpn接合深さが浅くなる。 - 特許庁
To provide a DTMOS wherein a gate electrode and a shallow well region are surely electrically connected.例文帳に追加
DTMOSにおいて、ゲート電極と浅いウェル領域とを確実に電気的に接続すること。 - 特許庁
A shallow trench isolation (STI) 12 is formed in an N-type well resistance element forming region of a silicon substrate 11.例文帳に追加
シリコン基板11のNウェル抵抗素子形成領域にSTI12を形成する。 - 特許庁
The gate electrode 143 and the N-type shallow well 123 are electrically connected with each other.例文帳に追加
また、上記ゲート電極143及びN型の浅いウェル領域123は、電気的に接続されている。 - 特許庁
The gate electrode 152 is formed via a gate insulating film 151 on a p-type shallow well region 123 and an n-type shallow well region 124.例文帳に追加
P型の浅いウェル領域123上およびN型の浅いウェル領域124上に、ゲート絶縁膜151を介してゲート電極152が形成されている。 - 特許庁
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