shallow wellとは 意味・読み方・使い方

Idowaki (literally, 'well side'): refers to bowls similar to ido chawan but are large and shallow.発音を聞く 例文帳に追加

井戸脇-井戸茶碗に類するものの意で、見込みがひろく浅めな形（なり）をいう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On a semiconductor substrate 11, well regions 12, 14, and 16 as well as 13, 15, and 16 in three layers are formed, and shallow well regions 16 and 17 are provided with DTMOS 29 and 30 as well as substrate bias transistors 27 and 28.例文帳に追加

半導体基板１１上に３層のウェル領域１２，１４，１６；１３，１５，１６を形成し、浅いウエル領域１６，１７にＤＴＭＯＳ２９，３０と基板バイアストランジスタ２７，２８を設ける。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises an N-type deep well region 331 formed on a semiconductor substrate 351 and further a P-type shallow well region 332 formed on the well region 331.例文帳に追加

半導体基板３５１上にＮ型の深いウェル領域３３１、さらにその上にＰ型の浅いウェル領域３３２を形成する。 - 特許庁

A shallow trench isolation (STI) 12 is formed in an N-type well resistance element forming region of a silicon substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１のＮウェル抵抗素子形成領域にＳＴＩ１２を形成する。 - 特許庁

To provide a DTMOS wherein a gate electrode and a shallow well region are surely electrically connected.例文帳に追加

ＤＴＭＯＳにおいて、ゲート電極と浅いウェル領域とを確実に電気的に接続すること。 - 特許庁

To provide a method for forming a shallow well of a semiconductor element using a low-energy ion implantation.例文帳に追加

低エネルギーイオン注入を利用した半導体素子のシャローウェル形成方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, because the P type shallow well region 212 is separated by the deep element isolation region 226 and the N type deep well region 227, a plurality of P type shallow well region 212 separating each other can be formed easily.例文帳に追加

一方、Ｐ型の浅いウェル領域２１２は、深い素子分離領域２２６とＮ型の深いウェル領域２２７とによって分離されるから、互いに独立したＰ型の浅いウェル領域２１２を容易に複数形成することができる。 - 特許庁

The deep well (50) is used to form a high voltage transistor, by itself, as well while the shallow well (44) is used to form a low voltage high-performance transistor by itself.例文帳に追加

深いウェル(50)はまた、それ自体で高電圧トランジスタを形成するため使用され、一方浅いウェル(44)は、それ自体で低電圧高性能トランジスタを形成するため使用される。 - 特許庁