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si filmsとは 意味・読み方・使い方
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「si films」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 100件
Then, a laser beam is irradiated, the amorphous Si thin film are changed into polycrystalline Si thin films.例文帳に追加
次にレーザービームを照射し、非晶質Siを多結晶Si薄膜にする。 - 特許庁
Consequently, the exposed surfaces of the respective SiC films are made Si-rich.例文帳に追加
これにより、各SiC膜の露出表面をSiリッチにする。 - 特許庁
For example, alternately laminated Si thin films and W thin films are used for the superconductor 3.例文帳に追加
超電導体3には例えばSi薄膜、W薄膜のそれぞれを交互に積層したものが使用されている。 - 特許庁
Each dielectric material multi-layered film 310 and 311 is formed by laminating n layers of films consisting of Si films 320 and SiO2 films 321 and third dielectric material thin films 330 and 331 consisting of the Si film and having prescribed thickness are interposed between each dielectric material multi-layered film 310 and 311 and a magnetic body thin film 307, respectively, to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加
磁気光学体300は、Si膜320及びSiO_2膜321をn層積層して誘電体多層膜310,311を形成し、誘電体多層膜310,311のそれぞれと磁性体薄膜307との間に、Si膜の所定厚さの第3の誘電体薄膜330,331を介装した。 - 特許庁
An SiGe layer and an Si layer 5 are formed in order on an Si substrate 1, and Si_3N_4 films 9 and 13 are formed thereupon.例文帳に追加
Si基板1上にSiGe層とSi層5とを順次形成し、その上にSi_3N_4膜9、13を形成する。 - 特許庁
Dielectric material multi-layered films 310 and 311 each of which consists of n-layered films of Si films 320 having a refractive index Ms=3.11 and SiO2 films 321 having a refractive index Mt=1.415 are provided on both sides of a magnetic material thin film 307 to form the magnetooptical body 300.例文帳に追加
磁気光学体300は、磁性体薄膜307の両側に屈折率Ms=3.11のSi膜320と屈折率Mt=1.415のSiO_2膜321とのn層の積層膜からなる誘電体多層膜310,311を設けて構成した。 - 特許庁
Owing to the film structure where the Si thin films 13 overlie the Mo thin films 12, the membrane stress (compression stress) of the Si thin film 13 is offset by the membrane stress (tensile stress) of the Mo thin films 12 to reduce the membrane stress of the alternate multilayer films as a whole.例文帳に追加
その上にSi薄膜13を積層した膜構成により、Si薄膜13の膜応力(圧縮応力)をMo薄膜12の膜応力(引張応力)によって相殺し、交互多層膜全体の膜応力を低減する。 - 特許庁
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「si films」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 100件
Then silicon oxide films are formed on the wafers 2 by introducing an oxidizing gas into the furnace 14 and raising the temperatures of the wafers 2 to the oxidizing temperature of Si.例文帳に追加
反応炉14に酸化ガスを導入してSiウェハ2を酸化温度に昇温することでシリコン酸化膜を作成する。 - 特許庁
Next, a photonic crystal polarizer 11 is integrally formed by alternately laminating multilayer films of Si and SiO_2 by making use of a bias sputtering device.例文帳に追加
つぎにバイアススパッタ装置を用いて、SiとSiO_2の交互多層膜を積層してフォトニック結晶偏光子11を一体形成する。 - 特許庁
The insulating film as a sample formed on an Si substrate is divided into two films (S1).例文帳に追加
Si基板上に形成された試料としての絶縁膜を2つに分割する(S1)。 - 特許庁
The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加
Si基板1上又は前記Si基板上に形成されたSiを含む下地膜2、3上に、SiOC膜を形成する工程と、前記SiOC膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したSiOC膜4’を、Fを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁
To provide a photonic crystal having high reflectance to visible rays with a structure in which absorption of visible rays by Si is suppressed and Si films and SiO_2 films are alternately laminated.例文帳に追加
Siの可視光に対する吸収を抑え、Si膜とSiO_2膜とが交互に積層された構造により、可視光に対し高い反射率を有するフォトニック結晶を提供する。 - 特許庁
A polycrystalline Si film 12 and a nitride film 14 are made, and an emitter aperture is made in these films, and the flanks of the oxide films 4 and 6 are etched.例文帳に追加
多結晶Si膜12、窒化膜14を形成し、これらの膜にエミッタ開口を形成し、酸化膜4、6の側面をエッチングする。 - 特許庁
In the drift part 6, conductive films 6b formed of a Si film and insulating films 6a formed of a SiO_2 film are alternately stacked.例文帳に追加
強電界ドリフト部6は、Si膜よりなる導電性膜6bとSiO____2膜よりなる絶縁性膜6aとが交互に積層される。 - 特許庁
The respective bonding films 31 and 32 are made of amorphous silicon including Si-H joint respectively.例文帳に追加
各接合膜31、32は、それぞれSi−H結合を含むアモルファスシリコンで構成されている。 - 特許庁
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