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si layerとは 意味・読み方・使い方
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「si layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2111件
The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加
Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁
The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.例文帳に追加
バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層2、アンドープのコレクタ層4、Cドープのベース層5、ベース層5とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層7、Siドープの上部エミッタ層9、および、Siドープのエミッタ電極層10からなる。 - 特許庁
An SOI wafer 20 includes a silicon (Si) handle layer 28, an Si mechanism layer 24, and an insulating layer 26 located between the Si handle layer and the Si mechanism layer.例文帳に追加
SOIウェハ20は、シリコン(Si)ハンドル層28、Si機構層24、およびSiハンドル層とSi機構層との間に位置する絶縁層26を含む。 - 特許庁
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp^+ 型Si層3、p型Si層4およびn^+ 型Si層5を形成する。 - 特許庁
In the core layer 21, Si from the Al-Si alloy layer 22 is diffused.例文帳に追加
芯層21にAl−Si合金層22からのSiが拡散している。 - 特許庁
The substrate 7 includes at least the Si layer 21, the SiO_2 layer 22, and a photoresist mask 24.例文帳に追加
基板7はSi層21、SiO_2層22、フォトレジストマスク24を少なくとも備える。 - 特許庁
A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加
前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge4接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁
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「si layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2111件
An Si layer of the I/O region 15 is an Si epitaxial layer 18 whose thickness is larger than that of the Si layer 13 of the core region 14.例文帳に追加
I/O領域15のSi層は、コア領域14のSi層13より厚いSiエピタキシャル層18である。 - 特許庁
An SiGe layer 11 and an Si layer (SOI layer) 13 are deposited successively on an Si substrate 1.例文帳に追加
Si基板1上にSiGe層11とSi層(SOI層)13とを順次成膜する。 - 特許庁
The cushioning layer 31 is provided between the Si substrate 1 and the polymer layer 2 or is provided on the layer 2.例文帳に追加
緩衝層31は、Si基板1とポリマー層2との間に設けたり、ポリマー層2の上に設ける。 - 特許庁
An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.例文帳に追加
Si基板1上にSiGe層3とSi層5とを順次形成し、Si層5及びSiGe層3にSi基板1を露出させる穴hを形成する。 - 特許庁
An oxide Mo layer is formed on an interface between the Mo layer and the Si layer.例文帳に追加
Mo層とSi層の界面に酸化Mo層を形成する。 - 特許庁
A SiGe layer and a Si layer (SOI layer) 5 are sequentially laminated on a Si substrate 1, and a groove h passed through the SiGe layer and the Si layer 5 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加
Si基板1上にSiGe層及びSi層(SOI層)5を順次積層し、SiGe層及びSi層5を貫く溝hをSi基板1上に形成する。 - 特許庁
Further, the a-Si layer is polycrystallized by first heat treatment, and a poly-Si layer 34 is formed of the a-Si layer.例文帳に追加
さらに、第1の熱処理によりa−Si層を多結晶化して、a−Si層からpoly−Si層34を形成する。 - 特許庁
Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.例文帳に追加
p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
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