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Weblio専門用語対訳辞書での「si structure」の意味

Si structure

Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「si structure」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 553



例文

STRUCTURE OF SI BUILDING例文帳に追加

SI建物構造 - 特許庁

The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.例文帳に追加

Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した2層構造になっている。 - 特許庁

An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.例文帳に追加

ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF Si FINE CRYSTAL STRUCTURE例文帳に追加

Si微結晶構造の製造方法 - 特許庁

The dumb-bell structure of Si [110] is clearly exhibited in the image.発音を聞く 例文帳に追加

Si[110]のダムベル構造が、その像の中で明瞭に示されている。 - 科学技術論文動詞集

The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加

フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁

例文

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

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「si structure」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 553



例文

FLOOR UNIT FOR SI HOUSE AND FLOOR STRUCTURE例文帳に追加

SI住宅用床ユニットおよび床構造 - 特許庁

The non-dissolved structure of Al-Sn is an atomized structure with Sn flake-like or crescent shape, and in the non-solved structure of Al-Si, Si is a substantially circular grain or an uneven grain.例文帳に追加

Al-Snの未溶解組織はSnが片状、三日月状などとのアトマイズ組織となり、Al-Siの未溶解組織はSiが円に近い粒上、凹凸がある粒状などとなる。 - 特許庁

The alloy having an amorphous structure is composed of the components (Fe-Ni-Co)-(B-Si-C).例文帳に追加

非晶質組織を有する合金は(Fe-Ni-Co)-(B-Si-C)の成分系からなる。 - 特許庁

The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN(Si Rich Nitride)膜との積層構造とする。 - 特許庁

GROOVE STRUCTURE FORMING METHOD AND Si SUBSTRATE HAVING GROOVE STRUCTURE例文帳に追加

溝構造作製方法及び溝構造を有するSi基板 - 特許庁

The resultant TiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si structure satisfies the conditions: EOT<1.0 nm, low leakage current, and hysteresis<20 mV.例文帳に追加

形成されたTiN/TiO_2/HfSiO/SiO_2/Si構造は、EOT<1.0nm, 低リーク電流, ヒステリシス<20mVを満たしている。 - 特許庁

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge4接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

例文

METHOD OF FORMING AN UNEVEN STRUCTURE IN COMPOUND INCLUDING Si-O-Si BOND, AND TO PROVIDE DEVICE例文帳に追加

Si−O−Si結合を含む化合物への凹凸構造の形成法及びデバイス - 特許庁

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