silicon epitaxyとは 意味・読み方・使い方

SELF-ALIGNED TRANSISTOR AND DIODE TOPOLOGY IN SILICON CARBIDE THROUGH USE OF SELECTIVE EPITAXY OR SELECTIVE IMPLANTATION例文帳に追加

選択的エピタキシまたは選択的注入の使用による、炭化ケイ素におけるセルフアライントランジスタおよびダイオードトポロジー - 特許庁

The amorphous SiGe layers 600 are recrystallized over silicon by melt or solid phase epitaxy (SPE) processes.例文帳に追加

これらのアモルファスＳｉＧｅ層６００は、融解または固相エピタキシー（ＳＰＥ）プロセスによってシリコン上に再結晶される。 - 特許庁

To grow a silicon epitaxial layer on a principal plane of a silicon single crystal substrate by vapor phase epitaxy at a rapid growth speed while suppressing the occurrence of auto-dope, particles, and cracks.例文帳に追加

オートドープ、パーティクル及びクラックの発生を抑制した状態で、高い成長速度を保ちながらシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

At this time, the amorphous silicon is altered into single-crystal silicon through liquid-phase epitaxy to easily form the region differing in crystal plane on the surface of the wafer for the active layer of the laminated substrate.例文帳に追加

このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 - 特許庁

During its molecular-beam epitaxy, its surface is monitored by a RHEED method for deciding the conversion of the amorphous silicon dioxide into an alkaline-earth-metal oxide.例文帳に追加

分子線エピタキシの間、表面は、RHEED法によりモニタされて、非晶質二酸化シリコンの結晶性アルカリ土類金属酸化物への転化が判断される。 - 特許庁

To provide a monitor for evaluating a product which can be used well without being adhered to a susceptor when a silicon epitaxial wafer is produced by vapor phase epitaxy.例文帳に追加

気相成長によってシリコンエピタキシャルウェーハを製造する際に、サセプタに殆ど貼り付くことなく好適に使用できる、製品評価用のモニターを提供する。 - 特許庁

Then, material gas is introduced inside the growing apparatus to form a nitride aluminum layer on the silicon board as a buffer layer by a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

次に、成長装置内に原料ガスを導入して、シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device including an LDMOSFET comprises a conductive plug extending downward from an upper surface in vicinity of an impurity doped region of a source of the LDMOSFET to vicinity of a silicon substrate through an epitaxy layer with a bottom edge staying in the epitaxy layer, and containing silicon as main composition.例文帳に追加

本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 - 特許庁