silicon photodetectorとは 意味・読み方・使い方

The photodetector further comprises the antireflection film 108 having a first silicon oxide layer 105, a silicon nitride layer 105 and a second silicon oxide layer 107 sequentially provided in order from the side near the pohtodetector section on the pohtodetector section.例文帳に追加

この受光部上に、受光部に近い側から順に、第１シリコン酸化層１０５、シリコン窒化層１０６、および第２シリコン酸化層１０７の３層からなる反射防止膜１０８を備える。 - 特許庁

A solar battery 50 used as a photodetector is formed of amorphous silicon and generates a photoelectric current in accordance with subject luminance.例文帳に追加

受光素子として用いられる太陽電池５０は、アモルファスシリコンで形成され、被写体輝度に応じた光電電流を発生する。 - 特許庁

After that, the mask is removed, and an SiGe-containing layer is grown on the patterned silicon layer (110) to produce a photodetector.例文帳に追加

その後、マスクを除去し、パターン形成されたシリコン（１１０）層上にＳｉＧｅ含有層を成長させ、光検知器を製造する。 - 特許庁

The top surface of a photodetector 4 corresponding to an opening formed in the top surface of a silicon substrate 1 is exposed below an opening 11 of a light shield film 10 which corresponds to each photodetector 4, and a silicon nitride film 20 is formed on the light shield film 10 while directly covering the top surface of each photodetector 4 exposed in each opening 11.例文帳に追加

遮光膜１０の各受光素子４に対応する開口１１下に、シリコン半導体基板１の表面部に形成された該開口１１と対応する受光素子４表面を露出させ、該遮光膜１０上にシリコンナイトライド膜２０を各開口１１に露出する各受光素子４表面を直接覆うように形成してなる。 - 特許庁

An antireflection coating comprising a composite layer of a silicon nitride 44 and a silicon dioxide 42 is formed over the entire photosensitized region of a photodetector, for minimum reflected amount.例文帳に追加

窒化シリコン４４および二酸化シリコン４２の複合層を有する反射防止コーティングを光検出器の感光領域全体に形成し反射量を最小にする。 - 特許庁

The silicon film in the measuring sample is irradiated with a laser beam 9 through a translucent film 10 and the reflected light meeting a bulging from the silicon film is imaged by a one- dimensional photodetector 11, such as a photodiode array.例文帳に追加

測定試料のシリコン膜には、レーザー光９を半透過鏡１０を介して照射し、シリコン膜からの、膨らみに応じた反射光をフォトダイオードアレイなどの１次元光検出器１１によって撮像する。 - 特許庁

To provide a slim optical pickup having such a structure that a leaf spring is combined with the upper surface of a semiconductor substrate, which is a SiOB (silicon optical bench) manufactured monolithically with a photodetector.例文帳に追加

光検出器とＳｉＯＢ(ＳｉＯＢ；Silicon Optical Bench)とをモノリシックに製作した半導体基板の上面に板バネを結合する構造の薄型光ピックアップが開示される。 - 特許庁

A photodetector includes a silicon oxide layer whose thickness od 3 to 10 nm formed on a first conductive silicon substrate, a first conductivity-type depletion blocking region formed just under the silicon oxide film, and a second conductivity-type charge accumulation region formed under the depletion blocking region.例文帳に追加

本発明の受光素子は、第１導電型のシリコン基板上に形成された厚さ３〜１０ｎｍのシリコン酸化膜と、この直下に形成された第１導電型の空乏化阻止領域と、空乏化阻止領域の下方に形成された第２導電型の電荷蓄積領域とを有する。 - 特許庁