silicon structuresとは 意味・読み方・使い方

Another scheme includes devices combining display materials with silicon transistor addressing structures.例文帳に追加

別の方式には、ディスプレイ材料とシリコントランジスタアドレッシング構造を組合わせた装置が含まれる。 - 特許庁

Also, the poly-crystalline silicon 106 composing the first and second gate structures G1, G2 are turned into silicide.例文帳に追加

そして、第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２を構成する多結晶シリコン１０６を、シリサイド化させる。 - 特許庁

The optical coating (33) structures silicon dioxide and titanium oxide or titanium-oxide system complex material in multiple layers.例文帳に追加

その光学皮膜(33)は、二酸化珪素と酸化チタンまたは酸化チタン系複合材とを多層に構成する。 - 特許庁

The sliding body is composed of the sintered silicon carbide material which is dispersed and arranged with porous silicon carbide structures having fine pores independently in a dense silicon carbide structure.例文帳に追加

摺動体は、微細な気孔を有する多孔質炭化珪素組織が、独立して、緻密質炭化珪素組織中に分散配置されている炭化珪素焼結材で構成されている。 - 特許庁

The pore diameter of the pores existing in the porous silicon carbide structures is 0.5 to 10 μm and the ratio occupied by all of the porous silicon carbide structures is 4.5 to 75% and the porosity over the entire part is 1.3 to 9%.例文帳に追加

多孔質炭化珪素組織に存在する気孔の気孔径は０．５〜１０μｍであり、全ての多孔質炭化珪素組織の占める割合は４．５〜７５％であり、全体の気孔率は１．３〜９％である。 - 特許庁

The electrical conductor blocks 116, 120 have laminated structures, having conductive rubber layers and insulating silicon rubber layers, respectively.例文帳に追加

導電体ブロック１１６，１２０は、それぞれ導電性ゴム層と絶シリコーンゴム層とを有した積層構造である。 - 特許庁

In one embodiment, the material encapsulating the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon germanium, germanium, or gallium arsenide.例文帳に追加

一実施形態では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン（ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質）、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。 - 特許庁

The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁