「silicon structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A pixel structure for a flat panel detector is constructed in which the diode silicon and the FET silicon are simultaneously etched to form isolated structures (array photodiodes, I/O elements, and so on) in which the edges or perimeters of the diode silicon structures are self-aligned to the underlying FET Si structures.例文帳に追加

フラット・パネル検出器のピクセル構造の構築において、ダイオード・シリコン及びＦＥＴシリコンを同時に蝕刻して、分離した構造（アレイ・フォトダイオード及び入出力素子等）を形成し、このときダイオード・シリコン構造の端辺又は外周が直下のＦＥＴＳｉ構造に自動整列される。 - 特許庁

In a first and second region of a silicon substrate 1, laminated structures of poly-silicon films 3, 9, tungsten silicide films 4, 10, and silicon nitride films 5, 11 are partially formed, respectively.例文帳に追加

シリコン基板１の第１及び第２領域に、ポリシリコン膜３，９、タングステンシリサイド膜４，１０、及びシリコン窒化膜５，１１の積層構造をそれぞれ部分的に形成する。 - 特許庁

Another scheme includes devices combining display materials with silicon transistor addressing structures.例文帳に追加

別の方式には、ディスプレイ材料とシリコントランジスタアドレッシング構造を組合わせた装置が含まれる。 - 特許庁

Also, the poly-crystalline silicon 106 composing the first and second gate structures G1, G2 are turned into silicide.例文帳に追加

そして、第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２を構成する多結晶シリコン１０６を、シリサイド化させる。 - 特許庁

The optical coating (33) structures silicon dioxide and titanium oxide or titanium-oxide system complex material in multiple layers.例文帳に追加

その光学皮膜(33)は、二酸化珪素と酸化チタンまたは酸化チタン系複合材とを多層に構成する。 - 特許庁

The sliding body is composed of the sintered silicon carbide material which is dispersed and arranged with porous silicon carbide structures having fine pores independently in a dense silicon carbide structure.例文帳に追加

摺動体は、微細な気孔を有する多孔質炭化珪素組織が、独立して、緻密質炭化珪素組織中に分散配置されている炭化珪素焼結材で構成されている。 - 特許庁

The pore diameter of the pores existing in the porous silicon carbide structures is 0.5 to 10 μm and the ratio occupied by all of the porous silicon carbide structures is 4.5 to 75% and the porosity over the entire part is 1.3 to 9%.例文帳に追加

多孔質炭化珪素組織に存在する気孔の気孔径は０．５〜１０μｍであり、全ての多孔質炭化珪素組織の占める割合は４．５〜７５％であり、全体の気孔率は１．３〜９％である。 - 特許庁

The electrical conductor blocks 116, 120 have laminated structures, having conductive rubber layers and insulating silicon rubber layers, respectively.例文帳に追加

導電体ブロック１１６，１２０は、それぞれ導電性ゴム層と絶シリコーンゴム層とを有した積層構造である。 - 特許庁

In one embodiment, the material encapsulating the mechanical structures is, for example, silicon (polycrystalline, amorphous or porous, whether doped or undoped), silicon carbide, silicon germanium, germanium, or gallium arsenide.例文帳に追加

一実施形態では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン（ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質）、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。 - 特許庁

The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁

A recess 2 is formed in a silicon substrate 1 and a plurality of column structures 4 made of silicon oxide are adjacently stood on the bottom surface of the recess 2, and a silicon oxide block 3 is constituted which is united with the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１に凹部２が形成され、凹部２の底面からシリコン酸化物よりなる複数の柱構造体４が隣接した状態で立設され、このシリコン基板１と一体的に形成したシリコン酸化物ブロック３が構成されている。 - 特許庁

By the method of producing a silicon dioxide film, isolation structures, such as various insulation films, can be formed.例文帳に追加

この二酸化ケイ素膜の製造方法によって各種絶縁膜などのアイソレーション構造を形成させることができる。 - 特許庁

b) Microprocessors, microcomputers, or microcontrollers that do not possess multilayered structures (excluding those in which both the number of polycrystalline silicon layers and the number of metal layers are 3 or less 例文帳に追加

ロ　多層構造（多結晶シリコン層及び金属層がいずれも三層以下のものを除く。）を有しないもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

These contact parts are constituted of three layer structures of a first aluminum/silicon layer (Al/Si layer (13)), a titanium (Ti) system barrier metal layer (14), and a second aluminum/silicon layer (Al/Si layer (15)).例文帳に追加

これらのコンタクト部は第１のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１３））、チタン（Ｔｉ）系のバリアメタル層（１４）、第２のアルミニウムーシリコン層（Ａｌ−Ｓｉ層（１５））の３層構造から成る。 - 特許庁

This multifunctional ceramic is obtained by forming at least two composite structures macroscopically on a sintered compact having a parent phase consisting of silicon nitride, silicon carbide, alumina, zirconia, magnesia or the like and compounding the fine particle of at least one of metal silicide, metal sulfide and metal oxide in the individual part of each of the composite structures.例文帳に追加

窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、ジルコニア、マグネシアなどを母相とする焼結体に、マクロ的に少くとも２つの複合組織を存在せしめ、それぞれの組織から構成される個々の部分に、金属の珪化物、硫化物、酸化物の内の少くとも１つの微粒子を複合する。 - 特許庁

To provide a method for compensating sensitivity differences derived from chemical structures and configurations of silicon compounds, making emission intensity constant in an inductively-coupled plasma (ICP) optical emission spectrometry, and precisely determining the quantity of silicon.例文帳に追加

珪素化合物の化学構造や形態に由来する感度差を補正し、ＩＣＰ発光分析の発光強度を一定化して精度よく珪素量を定量する手法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The vapor deposition material for heating system including the silicon and silicon oxide has an atomicity ratio of oxygen to silicon (O/Si) of 1.2-1.8, and bulk density of 0.8-1.8 g/cm^3, and the silicon oxide is silicon dioxide including at least 20% or more crystal structures.例文帳に追加

珪素と珪素酸化物とを混合させた加熱方式の蒸着用材料であって、珪素と酸素の原子数の比（Ｏ／Ｓｉ）が１．２〜１．８であり、嵩密度が０．８〜１．８ｇ／ｃｍ３の範囲であり、かつ、前記珪素酸化物が結晶構造を少なくとも２０％以上含んでいる二酸化珪素であることを特徴とする蒸着用材料。 - 特許庁

The device 119 for a multielectron beam drawing apparatus is one where many recessed structures 310 each for capturing an electron beam are disposed in parallel on a silicon substrate 310.例文帳に追加

マルチ電子ビーム描画装置用デバイス119は、電子ビームを捕獲する凹型構造体310をシリコン基板310上に多数並置したものである。 - 特許庁

Then, thermal oxidation is performed, the gap between structures of an optical element organizer 5a is filled with silicon oxide without clearance, and the micro lens 5 is formed.例文帳に追加

続いて熱酸化を行い、光学素子形成体５ａの各構造体間の間隙をシリコン酸化物で隙間なく埋め込み、マイクロレンズ５を形成する。 - 特許庁

Two conductive structures 105 are formed on a semiconductor substrate 100 and comprise a first conductive layer 102 and a silicon nitride film mask layer 104.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成され、第１導電層１０２およびシリコン窒化膜マスク層１０４を含む二つの導体構造物１０５を備える。 - 特許庁

To obtain effects of high light attenuation with higher efficiency by providing a plurality of PIN diode structures closely in a waveguide composed of a silicon thin wire.例文帳に追加

シリコン細線からなる導波路で、複数のＰＩＮダイオード構造を近設することで、より効率よくより高い光減衰の効果が得られるようにする。 - 特許庁

This protective film 25 has such modes that the silicon has either one of a crystal structure of the silicon itself, the amorphous structure, or the SiC crystal structure, or a mixture of several kinds of these structures.例文帳に追加

この保護被膜２５中において、珪素は珪素自身による結晶構造またはアモルファス構造、もしくはＳｉＣの結晶構造のいずれかもしくはこれらのうちの複数種類の構造が混在する態様とする。 - 特許庁

Product quality can be improved, operation can be simplified, operation time can be shortened and production cost can be reduced, by coating the inner walls of the furnace or others with the release material when using high purity silicon as the structures within the reaction furnace and intactly taking out the high purity silicon adhering to the structures.例文帳に追加

反応炉内の構造物に高純度シリコンを使用し、その構造物に付着した高純度シリコンをそのまま取り出す場合に、炉内壁などは離型材を塗布することにより、製品品質の向上を図り作業の簡易化、製造時間の短縮を図り製品コストの削減を図ることが出来る。 - 特許庁

The method for morphologically changing this silicon film includes the steps of irradiating a silicon film formed by a coating method with flashing light to molecular morphologically change the silicon film, that is, to morphologically change the film at a molecular level, such as, for example, change the film between an amorphous structure and a crystal structure, and changing the film between crystal structures.例文帳に追加

塗布法で形成されたシリコン膜に閃光を照射してシリコン膜に分子形態学的変化、すなわち分子レベルにおける形態学的変化、例えばアモルファス構造と結晶構造間の変化、結晶構造間の変化を生じさせる、シリコン膜の形態学的変化法。 - 特許庁

A porous layer is partially formed in a silicon substrate, and a silicon layer is formed on that substrate, and the formation of a porous layer in that silicon layer is repeated to manufacture the three dimensional porous structure having a plurality of porous regions having different three dimensional structures respectively.例文帳に追加

シリコン基板中に部分的に多孔質層を形成し、その基板上にシリコン層を形成し、そのシリコン層に多孔質層を形成することを繰り返すことによって三次元構造の異なる複数の多孔質領域を有する三次元多孔質構造体を作製する。 - 特許庁

The composite contains at least a kind of each of compounds, having a pyrimidine structure as one of tautomeric structures, and compounds having a structure where carbon-silicon atomic bonding exists, and the hydroxyl group is bonded to the silicon atom.例文帳に追加

また、互変可能な構造の一つとしてピリミジン構造を有する化合物、および炭素原子−ケイ素原子結合をし、且つケイ素原子にヒドロキシル基が結合した構造を有する化合物を各々少なくとも１種含有する組成物。 - 特許庁

To provide a method for producing single crystal silicon carbide nanotubes which are excellent in electric characteristics and mechanical characteristics and where tube structures do not collapse by electron beam irradiation.例文帳に追加

電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing amorphous silicon carbide nanotubes which are excellent in electric characteristics and mechanical characteristics and where tube structures do not collapse by electron beam irradiation.例文帳に追加

電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Capacitors and interconnection structures for silicon carbide are provided having an oxide layer, a layer of dielectric material, and a second oxide layer on the layer of dielectric material.例文帳に追加

酸化膜層、誘電体材料層及び誘電体材料層の上に第２酸化膜層を有する、炭化ケイ素用のコンデンサ及び内部接続構造が提供される。 - 特許庁

A gate electrode having gate structures 16a, 16b and sidewall spacers 22a on a silicon wafer 10 in a DRAM forming region and a logic forming region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ形成領域とロジック形成領域とにおけるシリコン基板１０の上に、ゲート構造１６ａ，１６ｂとサイドウォールスペーサ２２ａ，…を有するゲート電極が形成されている。 - 特許庁

To provide methods for producing SiGe-on-insulator structures and for forming strain-relaxed SiGe layers on silicon while minimizing defects.例文帳に追加

欠陥を最小限としながら、ＳｉＧｅ−オン−インシュレーター構造を製造するため及びシリコン上に歪み緩和ＳｉＧｅ層を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

Inside a growth furnace 2, a crucible 12 housing a silicon molten liquid 14 is placed and upper in-furnace structures 5, 30 are disposed so as to surround a grown single crystal 23.例文帳に追加

育成炉２の内部において、シリコン融液１４を収容したルツボ１２を配置し、また、育成した単結晶２３を囲繞するように上部炉内構造物５，３０を配設する。 - 特許庁

To provide a CMOS structure and a method of achieving self-aligned raised source/drain for CMOS structures on SOI without relying on selective epitaxial growth of silicon.例文帳に追加

シリコンの選択的エピタキシャル成長を利用せずに、ＳＯＩ上にＣＭＯＳ構造用の自己整合型隆起ソース／ドレインを実現させる、ＣＭＯＳ構造および方法を提供すること。 - 特許庁

The surface-layer-side multilayer film 3 comprises 10 layer pairs of unitary cyclic structures 3p each made by alternately film-forming molybdenum layers 3a and silicon films 3b on the multilayer film 2.例文帳に追加

表層側多層膜３は、深層側多層膜２の上にモリブデン層３ａとシリコン層３ｂが交互に成膜されてなる単位周期構造３ｐが１０層対積層されている。 - 特許庁

A silicon thin film is arranged on a support board 5 through the intermediary of an insulating film, and a beam structure 10 equipped with an overlap 15 and movable electrodes 16 and 17 and cantilever beam structures 11 and 12 each equipped with fixed electrodes 20 ad 24, are formed and partitioned on the silicon thin film.例文帳に追加

支持基板５の上に絶縁膜を介してシリコン薄膜が配置され、シリコン薄膜にて重り部１５と可動電極１６，１７を有する梁構造体１０および固定電極２０，２４を有する片持ち梁構造体１１，１２が区画形成されている。 - 特許庁

The multilayer film 2 comprises a molybdenum oxide layer 2c formed on a molybdenum layer 2a, and thirty layers of unitary cyclic structures 2p with a silicon layer 2b film-formed thereon are layered on the substrate 10.例文帳に追加

深層側多層膜２は、モリブデン層２ａの上に酸化モリブデン層２ｃが形成され、その上にシリコン層２ｂが成膜された単位周期構造２ｐが基板１０上に３０層積層されている。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device, which is a lamination of a plurality of unit elements having p-n or p-i-n structures made of a silicon-based non-single crystal semiconductor material, with its photovoltaic efficiency enhanced by stabilizing the p/n interface structures for improvement on interfacial characteristics and in film adhesion.例文帳に追加

シリコン系非単結晶半導体材料からなるｐｎ又はｐｉｎ構造を有する複数の単位素子を積層した光起電力素子において、ｐ／ｎ界面の構造を安定させ、界面特性および膜密着性を向上させることにより、光電変換効率の高い光起電力素子を提供する。 - 特許庁

The three-dimensional microcell structure filter is comprised of a plurality of spongy porous structures with different densities piled up to be multilayered and has an easy-to-handle silicon carbide spongy light-weight porous structure.例文帳に追加

３次元微細セル構造フィルタは、密度の異なる複数のスポンジ状多孔質構造体を重ね合わせ複数の層をなすフィルタとし、取り扱いの容易な炭化ケイ素系スポンジ状軽量多孔質構造体のフィルタである。 - 特許庁

Further, the gate electrodes 63 and 71 have laminated structures including first electrode layers 22 made of first metal, second electrode layers 26 and 34 made of second metal, and third electrode layers 62 and 70 formed of silicon layers.例文帳に追加

さらに、ゲート電極６３、７１は第１金属からなる第１電極層２２と、第２金属からなる第２電極層２６、３４と、シリコン層からなる第３電極層６２、７０と、を含む積層構造である。 - 特許庁

The organosilicon compound includes one or more reactive groups (a) to an organic substance and one or more structures (b) in which silicon atoms are bonded to each other by an atomic group containing a nitrogen atom.例文帳に追加

有機物に対する反応基ａを一つ以上有し、窒素原子を含む原子団によりケイ素原子同士がつながれた構造ｂを一つ以上有することを特徴とする有機ケイ素化合物に関するものである。 - 特許庁

A plurality of semiconductor structures 22 having a rewiring pattern 30 formed on a silicon substrate (semiconductor chip) 24 are bonded on an adhesive layer 21 on a base plate 20 corresponding to a plurality of semiconductor devices.例文帳に追加

複数の半導体装置に対応するサイズのベース板２０上の接着層２１上に、シリコン基板（半導体チップ）２４上に再配線３０を設けてなる複数の半導体構成体２２を接着する。 - 特許庁

To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

A first plug connected to the first source-drain diffusion layer and constituted of polycrystalline silicon and a second plug connected to the second source-drain diffusion layer and constituted of a metallic material are provided between the first gate structures.例文帳に追加

第１ゲート構造間に第１ソース・ドレイン拡散層と接続され、多結晶多結晶シリコンにより構成された第１のプラグと、第２ソース・ドレイン拡散層と接続され、金属材料により構成された第２プラグが配設される。 - 特許庁

The sealing material for optical elements are substituent-containing silsesquioxanes with a ladder or a cage structure or their partially cleaved structures (structures with a partially deleted silicon atom or a partially cleaved silicon-oxygen bonding in the cage structure) having at least two functional groups selected from the group consisting of an aliphatic unsaturated binding group, an epoxy ring and an optionally substituted silyl group having an Si-H bond.例文帳に追加

脂肪族不飽和結合基、エポキシ環、及び、Ｓｉ−Ｈ結合を有する置換されていてもよいシリル基からなる群から選択された少なくとも１種の官能基を少なくとも２つ有するラダー構造体、又は籠型構造体、若しくはその部分開裂構造体（籠型構造からケイ素原子のうちの一部が欠けた構造や籠型構造の一部のケイ素−酸素結合が切断された構造のもの）の、置換基含有シルセスキオキサンからなる光素子用封止材。 - 特許庁