single electron ionとは 意味・読み方・使い方

To install a micromachining function of an FIB (focused-ion beam) system and a non-destructive and excellent image forming function of an SEM (scanning electron microscope) into a single apparatus suitable for mass production of high-precision nanodevices.例文帳に追加

ＦＩＢシステムのマイクロマシニング機能と、ＳＥＭの非破壊かつ優れた像形成機能とを、高精度なナノデバイスの大量生産に適した１台の装置に組み込む。 - 特許庁

The protection film is formed by an electron beam evaporation method, an ion plating method, or a sputtering method by using the material for forming a protection film of plasma display panel formed by sintering a raw material prepared by crushing a single crystal.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの保護膜形成材料において、単結晶を粉砕したものを原料として、それを燒結した材料を用いて、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法によって保護膜を形成する。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

The protective film for a plasma display panel is produced by an electron beam deposition method, an ion irradiation deposition method, or a sputtering method using the single crystal magnesium oxide sintered compact as a target material.例文帳に追加

焼結体の相対密度が５０％以上９０％未満であり、酸化マグネシウム純度が９７質量％以上であり、かつ、粒径２００μｍ以上の粗大粒子を含むことを特徴とする単結晶酸化マグネシウム焼結体、及び、この単結晶酸化マグネシウム焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したプラズマディスプレイパネル用保護膜である。 - 特許庁

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material.例文帳に追加

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。 - 特許庁