soi technologyとは 意味・読み方・使い方

And, a buried oxide film is provided also in the epitaxial growth layer forming part by an SIMOX technology, and each part is made into an SOI structure.例文帳に追加

そして、ＳＩＭＯＸ技術により、エピタキシャル成長層形成部にも埋め込み酸化膜を設け、各部をＳＯＩ構造とする。 - 特許庁

To provide a device and a method which reduce fluctuations in the timing delay of the output signal obtained from an SOI technology sense amplifier.例文帳に追加

ＳＯＩテクノロジ・センス・アンプから獲得された出力信号のタイミング遅延変動を低減させる装置および方法を提供する。 - 特許庁

The movable plate 102, torsion springs 104 and supporting part 106 are manufactured by the semiconductor manufacturing technology by using a SOI substrate 110 as a start wafer.例文帳に追加

可動板１０２とねじりばね１０４と支持部１０６はＳＯＩ基板１１０をスタートウエハとして半導体製造技術によって作製される。 - 特許庁

The movable plate 102, torsion springs 104 and supporting part 106 are manufactured by the semiconductor manufacturing technology by using a SOI substrate 110 as a start wafer.例文帳に追加

可動板１０２とねじりばね１０４と支持部１０６はＳＯＩ基板１１０をスタートウエハーとして半導体製造技術によって作製される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SOI wafer with a complete single-crystal substrate, having advantages inherent in conventional technology, at a competitive price and complying with present standards.例文帳に追加

従来技術の固有の利点を備えしかも競争できる価格及び現在の規格すなわち完全単結晶基板でＳＯＩウエハを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of more surely preventing the generation of defects in a monocrystal silicon layer as to a method for manufacturing a semiconductor substrate by adopting SOI technology.例文帳に追加

ＳＯＩ技術を採用した半導体基板の製造方法において、単結晶シリコン層への欠陥発生を一層確実に防止できる手法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a sufficient ON-current can be impressed to a transistor even when the perfect depletion SOI technology is applied to a semiconductor device including a FinFET structure, and to provide a method for manufacturing the same semiconductor device.例文帳に追加

ＦｉｎＦＥＴ構造を有する半導体装置に完全空乏化ＳＯＩ技術を適用した場合でも、トランジスタに十分なオン電流を流すことができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for preventing a short circuit of an MOS transistor on a sidewall at the time of forming a titanium silicide film on an SOI substrate and forming a titanium silicide film having low resistivity even in an N type silicon region.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上にチタンシリサイド膜を形成する場合に発生するＭＯＳトランジスタのサイドウォール上での短絡不良を防止し、かつＮ型シリコン領域でも比抵抗の小さいチタンシリサイド膜を形成する技術を提供する。 - 特許庁