split patternとは 意味・読み方・使い方

A phase shifter is laid in a split pattern satisfying Ic/Io>T, a light shielding part is laid in a split pattern satisfying T/4>Ic/Io, and a light shielding part having an opening as a phase shifter is laid in a split pattern satisfying T≥Ic/Io≥T/4.例文帳に追加

Ｉｃ／Ｉｏ＞Ｔが成り立つ分割パターンには位相シフターを配置し、Ｔ／４＞Ｉｃ／Ｉｏが成り立つ分割パターンには遮光部を配置し、Ｔ≧Ｉｃ／Ｉｏ≧Ｔ／４が成り立つ分割パターンには、位相シフターとなる開口部を有する遮光部を配置する。 - 特許庁

Cavities of the split molds are formed to be forming surfaces with recess-like, protrusion-like or rugged-like pattern.例文帳に追加

分割金型のキャビティを凹状、凸状または凹凸状の模様形成面とする。 - 特許庁

In comparison with an element pattern (a), the test pattern of a corresponding part to a coil contact section 4 is split up and down by an insulation layer.例文帳に追加

テストパターンは、（ａ）の素子パターンと比較すると、コイルコンタクト部４に対応する部分が絶縁層によって上下に分断されている。 - 特許庁

An entire original pattern of at least one layer of the semiconductor device 10 is divided into a plurality of split patterns, and another original pattern is formed by exposing the joined split patterns.例文帳に追加

半導体装置１０は、少なくとも１つの層について、その層の全体の元パターンを複数の分割パターンに分割し、分割パターンをつなぎ合わせて露光することにより元パターンを形成される。 - 特許庁

After a pattern layout is made as well as the transmittance T of a phase shifter is determined, the pattern layout is divided to generate a plurality of split patterns.例文帳に追加

パターンレイアウトを作成すると共に位相シフターの透過率Ｔを決定した後、パターンレイアウトを分割して複数の分割パターンを生成する。 - 特許庁

The light distribution patterns including the assumed pedestrian dazzling region on the road includes a light distribution pattern for a high beam, a light distribution pattern for a left side high beam, a light distribution pattern for a right side high beam and a split light distribution pattern.例文帳に追加

路上で想定される歩行者の眩惑領域を含む付加配光パターンとしては、ハイビーム用配光パターンや、左片ハイ用配光パターン、右片ハイ用配光パターン、スプリット配光パターンなどが挙げられる。 - 特許庁

To provide a mask pattern forming method, which is capable of carrying out complementary split processing at a high speed without creating a pattern which is impossible or hard to form on a stencil mask.例文帳に追加

ステンシルマスクに形成不可能または形成困難なパターンを発生させずに、高速で相補分割処理を行えるマスクパターン作成方法を提供する。 - 特許庁

A polysilicon film pattern 120b having a split-shape is formed by patterning the polysilicon film and exposing a predetermined region of the dielectric film pattern 110a.例文帳に追加

ポリシリコン膜をパターニングして誘電膜パターン１１０ａの所定領域を露出させ、スプリットされた形状を有するポリシリコン膜パターン１２０ｂを形成する。 - 特許庁