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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和対訳 > stagger atの意味・解説 

stagger atとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 〔…に〕心がぐらつく,ためらう

stagger atの
変形一覧

複合動詞:staggering at(現在分詞) staggered at(過去形) staggered at(過去分詞) staggers at(三人称単数現在)

Weblio英和対訳辞書での「stagger at」の意味

stagger at

Weblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「stagger at」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

to hesitate at a difficultyboggle at a difficultystagger at a difficultystop at a difficulty発音を聞く 例文帳に追加

困難を見て二の足を踏む - 斎藤和英大辞典

to boggle atstagger atstop at―a difficulty発音を聞く 例文帳に追加

(困難などを見て)二の足を踏む - 斎藤和英大辞典

to hesitate atboggle atstagger atjib atstop at―a difficulty発音を聞く 例文帳に追加

困難などを見て二の足を踏む - 斎藤和英大辞典

Inside and outside stagger angles between inside and outside blade chord, and the center line at the position of the shroud are different.例文帳に追加

それぞれシュラウドの位置における内側及び外側翼弦と中心線との間の内側及び外側食違い角は、互いに異なる。 - 特許庁

Filter means 2a-2N use the filter coefficient at every different pulse interval by a stagger/trigger system to suppress the clutter in a receiving signal.例文帳に追加

フィルタ手段2a〜2Nは、スタガトリガ方式によって異なるパルス間隔ごとにフィルタ係数を用いて受信信号中のクラッタを抑圧する。 - 特許庁

FLADE FAN HAVING DIFFERENT STAGGER ANGLE OF INSIDE AND OUTSIDE AIRFOIL AT POSITION OF SHROUD BETWEEN INSIDE AND OUTSIDE BLADE PROFILE PARTS例文帳に追加

内側及び外側翼形部間のシュラウドの位置において異なる内側及び外側翼形部食違い角を有するFLADEファン - 特許庁

例文

In this method for producing reverse stagger back-channel type TFT(thin-film transistor) 7, an island-like pattern to form a semiconductor film 26, low resistance semiconductor film 27, source electrode 23 and drain electrode 22 of the TFT 7 is formed at a time.例文帳に追加

逆スタガ・バックチャネル型のTFT7を形成する製造方法にあって、TFT7の半導体膜26、低抵抗半導体膜27、ソース電極23及びドレイン電極22を形成するための島状のパターンを一括して形成する。 - 特許庁

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「stagger at」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 9



例文

In bumps 14 which are arranged at a bottom face of an IC chip 12 in a stagger shape, there is provided a gap A between a bump 14 of a primary sequence and a bump 14 of a secondary sequence, and this gap A is set larger than twice the diameter of a conductive particle 20 contained in an ACF 18.例文帳に追加

ICチップ12の底面に千鳥状に配置されたバンプ14において、第1列のバンプ14と第2列のバンプ14との間に間隙を設け、この間隙AがACF18に含まれる導電性粒子20の直径の2倍以上である。 - 特許庁

例文

The display device includes: a pixel electrode layer, where a scanning line and a signal line cross and are disposed in a matrix; a pixel provided in accordance with the pixel electrode layer; and an inverted stagger type thin-film transistor composed by combining the pixel with at least two kinds of oxide semiconductor layers having different content of oxygen.例文帳に追加

走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。 - 特許庁

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