storage capacitanceとは 意味・読み方・使い方

A pixel 110 includes pixel capacitance, and a storage capacity connected to a capacitance line 132.例文帳に追加

画素１１０は、画素容量と、容量線１３２に接続された蓄積容量とを含む。 - 特許庁

A storage capacitance (70) is constituted of a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the gate electrode and a second capacitance electrode (33).例文帳に追加

ゲート電極と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、第２容量電極（３３）とから蓄積容量（７０）が構成される。 - 特許庁

The lower layer storage capacitor comprises a lower side capacitance electrode 80 and a common capacitance electrode 81 and the upper layer storage capacitor comprises an upper side capacitance electrode 82 and the common capacitance electrode 81.例文帳に追加

下層蓄積容量は下側容量電極８０及び共通容量電極８１によって構成され、上層の蓄積容量は上側容量電極８２及び共通容量電極８１によって構成される。 - 特許庁

A first capacitance line 131 and a second capacitance line 132 are provided in each row, in which the other terminal of the storage capacitor in an odd-numbered column is connected to the first capacitance line while the other terminal of the storage capacitor in an even-numbered column is connected to the second capacitance line.例文帳に追加

行毎に第１容量線１３１および第２容量線１３２を設け、このうち、奇数列の蓄積容量の他端を第１容量線に接続し、偶数列の蓄積容量の他端を第２容量線に接続する。 - 特許庁

A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 - 特許庁

1st storage capacitance 70a is formed of a part of a semiconductor layer and the capacitance lines, 2nd storage capacitance 70b is formed of the capacitance lines and a part of a 1st barrier layer, and 3rd storage capacitance 70c is formed of a part of the semiconductor layer and the 1st shielding film, respectively.例文帳に追加

半導体層の一部及び容量線から第１蓄積容量（７０ａ）、容量線及び第１バリア層の一部から第２蓄積容量（７０ｂ）、半導体層の一部及び第１遮光膜の一部から第３蓄積容量（７０ｃ）が夫々構築されている。 - 特許庁

A storage capacitance 4CS is formed mainly between the storage capacitance electrode CS2 and an electrode formed from a silicon layer 4SI through an insulator film.例文帳に追加

蓄積容量４ＣＳは、主に蓄積容量電極ＣＳ２とシリコン層４ＳＩから構成される電極との間で絶縁膜を介して形成される。 - 特許庁

A METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-CAPACITANCE STORAGE NODE STRUCTURE IN SUBSTRATE, AND A SUBSTRATE HAVING THE HIGH-CAPACITANCE STORAGE NODE例文帳に追加

基板内に高静電容量の記憶ノード構造を製造するための方法、及び高静電容量の記憶ノードを有する基板 - 特許庁