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storage capacitanceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 302



例文

METHOD FOR MANUFACTURING STORAGE CAPACITANCE PART例文帳に追加

蓄積容量部の製造方法 - 特許庁

An capacitance sensor 28 measures the capacitance of the water storage part 21.例文帳に追加

静電容量センサ28は、貯水部21の静電容量を測定する。 - 特許庁

The storage capacitance electrode CS2 is formed in the same layer as a storage capacitance line CS, and is electrically connected with the storage capacitance line CS.例文帳に追加

蓄積容量電極CS2は、蓄積容量線CSと同層で形成され、蓄積容量線CSと電気的に接続されている。 - 特許庁

The second storage capacitance Cst is larger than the first storage capacitance Csr in size.例文帳に追加

第2蓄積容量Cstは、第1蓄積容量Csrよりも容量サイズが大きい。 - 特許庁

例文

CAPACITANCE AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

キャパシタンスおよび不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁


例文

LIQUID CRYSTAL DISPLAY WITHOUT STORAGE CAPACITANCE ELECTRODE LINE例文帳に追加

保持容量電極ラインを有しない液晶表示装置 - 特許庁

To eliminate storage capacitance electrode lines from a lower substrate.例文帳に追加

下部基板から保持容量電極ラインを無くする。 - 特許庁

A pixel 110 includes pixel capacitance, and a storage capacity connected to a capacitance line 132.例文帳に追加

画素110は、画素容量と、容量線132に接続された蓄積容量とを含む。 - 特許庁

A storage capacitance (70) is constituted of a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the gate electrode and a second capacitance electrode (33).例文帳に追加

ゲート電極と同一膜からなる第1容量電極(13)と、第2容量電極(33)とから蓄積容量(70)が構成される。 - 特許庁

例文

The lower layer storage capacitor comprises a lower side capacitance electrode 80 and a common capacitance electrode 81 and the upper layer storage capacitor comprises an upper side capacitance electrode 82 and the common capacitance electrode 81.例文帳に追加

下層蓄積容量は下側容量電極80及び共通容量電極81によって構成され、上層の蓄積容量は上側容量電極82及び共通容量電極81によって構成される。 - 特許庁

例文

A first capacitance line 131 and a second capacitance line 132 are provided in each row, in which the other terminal of the storage capacitor in an odd-numbered column is connected to the first capacitance line while the other terminal of the storage capacitor in an even-numbered column is connected to the second capacitance line.例文帳に追加

行毎に第1容量線131および第2容量線132を設け、このうち、奇数列の蓄積容量の他端を第1容量線に接続し、偶数列の蓄積容量の他端を第2容量線に接続する。 - 特許庁

A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第1誘電体膜(2)を挟持して第1蓄積容量(70a)を構成し、容量線とバリア層の一部が第2誘電体膜(81)を挟持して第2蓄積容量(70b)を構成する。 - 特許庁

1st storage capacitance 70a is formed of a part of a semiconductor layer and the capacitance lines, 2nd storage capacitance 70b is formed of the capacitance lines and a part of a 1st barrier layer, and 3rd storage capacitance 70c is formed of a part of the semiconductor layer and the 1st shielding film, respectively.例文帳に追加

半導体層の一部及び容量線から第1蓄積容量(70a)、容量線及び第1バリア層の一部から第2蓄積容量(70b)、半導体層の一部及び第1遮光膜の一部から第3蓄積容量(70c)が夫々構築されている。 - 特許庁

A storage capacitance 4CS is formed mainly between the storage capacitance electrode CS2 and an electrode formed from a silicon layer 4SI through an insulator film.例文帳に追加

蓄積容量4CSは、主に蓄積容量電極CS2とシリコン層4SIから構成される電極との間で絶縁膜を介して形成される。 - 特許庁

A METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-CAPACITANCE STORAGE NODE STRUCTURE IN SUBSTRATE, AND A SUBSTRATE HAVING THE HIGH-CAPACITANCE STORAGE NODE例文帳に追加

基板内に高静電容量の記憶ノード構造を製造するための方法、及び高静電容量の記憶ノードを有する基板 - 特許庁

The transmission region comprises a transmission electrode having a first charge storage capacitance and the reflection region comprises a reflection electrode having a second charge storage capacitance.例文帳に追加

透過域は、第1電荷蓄積容量を有する透過電極を有し、反射域は、第2電荷蓄積容量を有する反射電極を有する。 - 特許庁

So, the reliability of the system can be improved while the capacitance of the second storage part is reduced compared with the capacitance of the first storage part.例文帳に追加

ゆえに、第二の格納部の容量を第一の格納部の容量に比較して小さくしつつ、システムの信頼性を高めることができる。 - 特許庁

The storage capacitance has a transistor structure, and a TFT 14 for the storage capacitance is formed of a p-channel transistor.例文帳に追加

蓄積容量はトランジスタ構造となっており、その蓄積容量用TFT14がpチャネルトランジスタで構成されている。 - 特許庁

STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR MEMORY CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体記憶容量素子のストレージノードおよびその製造方法 - 特許庁

A first storage capacitance part 13 and second storage capacitance part 14 in a storage capacitance part 12 are short-circuited with a pixel electrode 8, so that the pixel electrode 8 becomes a bright spot.例文帳に追加

蓄積容量部12の第1の蓄積容量部13および第2の蓄積容量部14と画素電極8との間でショートして画素電極8が輝点となる。 - 特許庁

To provide an energy storage device detecting a capacitance value of an energy storage unit precisely with a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構成で高精度に蓄電部の容量値を検出可能な蓄電装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a storage for contents for individual use to a number of users while saving storage capacitance.例文帳に追加

記憶容量を節約しながら多数のユーザへ個人利用のコンテンツのストレージを提供する。 - 特許庁

To improve efficiency in processing storage history by suppressing a storage capacitance of Web browsing history.例文帳に追加

Web閲覧履歴の保存容量を抑制し、保存履歴の処理を効率化する。 - 特許庁

The capacitance correction control part 13 maintains the capacitance detected by capacitance detecting parts 3 when the contact state to the information processor of the user is changed as offset capacitance in a capacitance offset information storage part 14.例文帳に追加

静電容量補正制御部13は,ユーザの情報処理装置に対する接触状態が変化したときに各静電容量検知部3が検知した静電容量を,オフセット用の静電容量として静電容量オフセット情報記憶部14に保持する。 - 特許庁

Storage capacitances 2 of respective pixels provided at the same scanning line 5 are alternately connected to a storage capacitance line 12 corresponding to the scanning line and an another storage capacitance line adjacent to the scanning line every fixed plural pieces of storage capacitances and polarities of compensation voltage are reversed every storage capacitance line.例文帳に追加

同一の走査線5に設けられた各画素の蓄積容量2を一定の複数個(M)毎に当該走査線に対応する蓄積容量線12と当該走査線に隣接する別の蓄積容量線に交互に接続し、補償電圧の極性を蓄積容量線毎に反転させる。 - 特許庁

A capacitance value per unit area is increased by connecting a storage capacitance 141 in series and an area occupied by the storage capacitance on a substrate 100 is reduced to heighten a numerical aperture of a transmission region and luminance of the display device.例文帳に追加

また、蓄積容量141を直列に接続することにより、単位面積当たりの容量値を増やした上で、基板100上で蓄積容量141が占める面積を減らし、透過領域の開口率及び表示装置の輝度を高める。 - 特許庁

Then, of the electrodes of two layers for constituting the storage capacitance 70-1, the capacitance line 300 is provided with an opening part 300a.例文帳に追加

そして、蓄積容量70-1を構成する2層の電極のうち、容量線300に開口部300aが設けられている。 - 特許庁

A controller 17 makes a determination of freezing in the water storage part 21 based on the capacitance measured value of the capacitance sensor 28.例文帳に追加

コントローラ17は、静電容量センサ28の静電容量測定値に基づいて貯水部21内の凍結判断を行う。 - 特許庁

The electrooptical device includes: transistors (30) provided for respective pixels; pixel electrodes (9) provided corresponding to the transistors; and a storage capacitance (70) electrically connected to the pixel electrodes and made of a first capacitance electrode (2), a second capacitance electrode (5) disposed opposite to the first capacitance electrode from an upper layer side and the capacitance insulating film (7) formed between the first and second capacitance electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、画素毎に設けられたトランジスタ(30)と、トランジスタに対応して設けられた画素電極(9)と、画素電極に電気的に接続されており、第1容量電極(2)、第1容量電極に上層側から対向配置された第2容量電極(5)、及び第1容量電極及び第2容量電極間に形成された容量絶縁膜(7)からなる蓄積容量(70)とを備える。 - 特許庁

Storage capacitance is formed of a 1st intermediate conductive layer 15 constituting a lower capacitance electrode, a dielectric film 17, and an upper capacitance electrode 18a.例文帳に追加

下部容量電極を構成する第1中間導電層15、誘電体膜17及び上部容量電極18aによって蓄積容量が構成される。 - 特許庁

A storage capacitance 70 arranged in an adjacent relation to every pixel and connected in parallel with a liq. crystal capacitance is formed also in grooves 72 and becomes a large capacitance by having three- dimensional extent.例文帳に追加

各画素電極に隣接して設けられ、液晶容量と並列接続される蓄積容量(70)は、溝(72)内にも形成されており、3次元的な広がりを持つことで大容量とされている。 - 特許庁

The read circuit accumulates electric charges in the storage capacitance by the first sample holding transistor and then accumulates electric charges in the storage capacitance by the second sample holding transistor as well after resetting the storage capacitance.例文帳に追加

この読み出し回路は,フレーム期間において,第1のサンプルホールドトランジスタで電荷を当該蓄積容量に蓄積し,次いで,蓄積容量をリセットした後,第2のサンプルホールドトランジスタでも電荷を当該蓄積容量に蓄積する。 - 特許庁

A magnitude Cg of the G display part storage capacitance 17g is largest, and a magnitude Cr of the R display part storage capacitance 17r is next largest, and a magnitude Cb of the B display part storage capacitance 17b is smallest.例文帳に追加

各色電荷蓄積容量の大きさは、G表示部電荷蓄積容量17gの大きさCgが最も大きく、R表示部電荷蓄積容量17rの大きさCrが次に大きく、B表示部電荷蓄積容量17bの大きさCbが最も小さくなるような関係とする。 - 特許庁

The notched parts 10 are formed so as to completely traverse a storage capacitance bus line 3 in the plan view and connection parts 11 to be parts positioned in tip parts of the notched parts 10 of the storage capacitance electrode 6 are superposed on neither the storage capacitance bus line 3 nor the pixel electrode 5.例文帳に追加

切欠部10は、平面視で蓄積容量バスライン3を完全に横切るようにして形成されており、蓄積容量電極6の切欠部10の先端に位置する部分である連結部11は、蓄積容量バスライン3及び画素電極5のいずれとも重なり合っていない。 - 特許庁

To solve the problem that deterioration in contrast and change in color occurs due to the back-light passing through the areas where the semiconductor layer is not covered with storage capacitance in a liquid crystal display device in where the storage capacitance is formed between a semiconductor layer and a storage capacitance line.例文帳に追加

半導体層-蓄積容量線間で蓄積容量を形成した液晶表示装置では、半導体層が蓄積容量で覆われていない領域を通過するバックライト光によって、コントラストの低下や色変化が生じる。 - 特許庁

The ratio of the first charge storage capacitance to the second charge storage capacitance is adjusted by an adjustment storage condenser and can be controlled based on the control state of the gate line.例文帳に追加

第1及び第2の電荷蓄積容量比は、調整蓄積コンデンサによって、調整を行い、ゲートラインの制御状態に基づいて制御を行うことができる。 - 特許庁

CAPACITANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURE, AND SEMICONDUCTOR STORAGE ELEMENT AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

容量素子、その容量素子の製造方法、半導体記憶素子、および、その半導体記憶素子の製造方法 - 特許庁

To prevent contamination of a dielectric film constituting a storage capacitance upon manufacturing an electrooptical device.例文帳に追加

電気光学装置の製造時における、蓄積容量を構成する誘電体膜の汚染を防止する。 - 特許庁

To prevent the quality of sound from being reduced by the repetition of a sound waveform while reducing storage capacitance.例文帳に追加

記憶容量を削減しながら音声波形の反復に起因した音質の低下を防止する。 - 特許庁

In this measure, there is no electric continuity between the storage capacitance bus line 3 and the shortcircuit part.例文帳に追加

このような措置では、蓄積容量バスライン3と短絡部とが導通することはない。 - 特許庁

To improve software error resistance by increasing the storage node capacitance of the memory cell of an SRAM.例文帳に追加

SRAMのメモリセルの蓄積ノード容量を増やしてソフトエラー耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which has large storage capacitance without impairing flatness of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜の平坦化が損なわれずに大きな保持容量を備えた液晶表示装置の提供。 - 特許庁

The storage capacitance (70) is provided in an area overlapping the data lines in a plane view.例文帳に追加

平面的に見てデータ線に重なる領域に、蓄積容量(70)が構築される。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor type storage battery having a high capacitance and excellent strength.例文帳に追加

静電容量が高く、強度に優れた薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。 - 特許庁

A sensitivity analyzing system includes a storage device, a parameter setting section, a capacitance calculating section and a sensitivity analyzing section.例文帳に追加

感度解析システムは、記憶装置、パラメータ設定部、容量算出部、及び感度解析部を備える。 - 特許庁

To receive a large amount of data even if a capacitance of a main storage device of a reception side is small.例文帳に追加

受信側の主記憶装置の容量が小さくても大容量のデータを受信する。 - 特許庁

The island connection electrode 5b forms the island storage capacitance 13b laminated through the island auxiliary capacitance electrode 11b connected to the auxiliary capacitance electrode 11a by an auxiliary capacitance thin wire 11c and the gate insulating film.例文帳に追加

アイランド接続電極5bは、補助容量電極11aに補助容量電極細線部11cにて接続されるアイランド補助容量電極11bとゲート絶縁膜を介して積層されてアイランド蓄積容量13bを形成している。 - 特許庁

For this substrate for the electro-optical device, storage capacitance 70-1 provided with a capacitance electrode 302 connected to a pixel electrode 9a and a capacitance line 300 arranged in face to face with the capacitance electrode 302 via a dielectric film 301 and turned to a fixed potential is laminated above the TFT 30.例文帳に追加

本発明の電気光学装置用基板は、TFT30の上方に、画素電極9aに接続された容量電極302と、誘電体膜301を介して容量電極302と対向配置され固定電位とされた容量線300とを有してなる蓄積容量70-1が積層されている。 - 特許庁

An offset voltage is applied on a pixel electrode 14 by the capacitance coupling through a storage capacitance 15 by changing the voltage on the gate signal line 11 among at least four potentials including the on and off potentials, and the size of the storage capacitance 15 is made to mutually differ for every specified number of rows or columns.例文帳に追加

ゲート信号線11をオン電位及びオフ電位を含む少なくとも4つの電位間で変化させることにより、蓄積容量15を介して容量結合によるオフセット電圧を画素電極14に印加し、蓄積容量15の大きさを、所定数の行ごと又は列ごとに異ならしめる。 - 特許庁

例文

Further, the optoelectronic device is equipped with a relay layer 71, connected with the pixel electrode 9a and constituting a storage capacitance 70, and a capacitance line 300, facing the relay layer 71 through a dielectric film 75 and including a stationary potential side capacitor electrode constituting the storage capacitance.例文帳に追加

更に、画素電極に接続されており蓄積容量(70)を構成する中継層(71)と、これに誘電体膜(75)を介して対向配置されており蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線(300)とを備える。 - 特許庁

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