titanium-48とは 意味・読み方・使い方

The decorative materials 28, 38, and 48 are formed of fabric coated with titanium oxide.例文帳に追加

加飾材２８，３８，４８は、酸化チタンがコーティングされた織物から形成されている。 - 特許庁

Titanium carbonitride powder of 64 pts.wt., titanium carbide powder of 30 pts.wt., AFM alloy iron powder as an assistant of 6 pts.wt. and methanol are mixed in a ball mill for 48 hours, and obtains spray granulated powder.例文帳に追加

炭窒化チタン粉体６４重量部、炭化チタン粉体３０重量部、助剤であるＡＦＭ合金鉄粉体６重量部、及びメタノールをボールミルにて４８時間混合し、スプレー造粒粉を得た。 - 特許庁

A trap layer 48, comprising a titanium nitride (TiN) film, is formed on part of the surface of the intermediate metal layer 42 to encircle the plug 55.例文帳に追加

中間金属層４２の表面の一部には、窒化チタン（ＴｉＮ）膜で構成されたトラップ層４８がプラグ５５を囲むように配置されている。 - 特許庁

Moreover, since a top end 52 of the electron emission portion 48 is covered with a conductive layer 44 consisting of titanium carbide, a voltage drop in the top end 52 of the electron emission portion 48 can be controlled and a voltage potential is kept constant.例文帳に追加

また、電子放出部４８の先端５２が、炭化チタンからなる導電層４４により覆われているので、電子放出部４８の先端５２における電圧降下が抑制され、電位が一定に保たれる。 - 特許庁

Fibrous titanic acid or fibrous titanium oxide, which is used as a raw material, and pure water are introduced into a pressure-resistant container and subjected to a hydrothermal treatment at 140-190°C for 12-48 hr.例文帳に追加

原料の長繊維状のチタン酸または長繊維状の酸化チタンと純水を耐圧容器に入れて、１４０〜１９０℃で１２〜４８時間水熱処理を行う。 - 特許庁

A rotational direction of the metal ball 7 is changed thereby, a direction of the metal ball 7 is changed variously in random, and the film thickness of the titanium dioxide sprayed to the surface of the metal ball 7 from a spray gun 48, to be coated thereon, gets substantially uniform ranging over the whole surface of the metal ball 7.例文帳に追加

これにより、上記金属球７の回転の向きが変えられ、金属球７の向きが種々ランダムに変更され、スプレーガン４８から金属球７の表面に噴霧あれ被覆される二酸化チタンの膜厚が、金属球７表面全体にわたってほぼ均一となる。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁