trench onとは 意味・読み方・使い方

On both sides of the trench 14, dummy trench gate electrodes 19 are formed.例文帳に追加

トレンチ１４の両側にダミートレンチゲート電極１９が形成されている。 - 特許庁

To reduce on-resistance of a trench gate type semiconductor device having trench contact structure.例文帳に追加

トレンチコンタクト構造を有するトレンチゲート型半導体装置のオン抵抗を低減する。 - 特許庁

A second thermal oxidation film is formed on the surface of the trench, and the element isolation film is embedded in the trench.例文帳に追加

溝の表面に第２の熱酸化膜を形成し、その後、溝に、素子分離膜を埋め込む。 - 特許庁

The trench gate 12 for filling the trench 10 is formed on the gate insulating film 11.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１上に、トレンチ１０を充填するトレンチゲート１２が形成される。 - 特許庁

Each of the pair of fourth regions is formed on each side of a trench to sandwich the center of the trench.例文帳に追加

一対の第４領域は、トレンチの中心を挟んで両側にそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A trench surface insulating film 21 is isotropically formed on the inside of a trench 4.例文帳に追加

トレンチ４の内面にトレンチ面絶縁膜２１を等方的に形成する。 - 特許庁

Alternatively, the base substrate 10 is cut off by following three dicing steps in total; forming the intermediate dicing trench 32, forming the taper trench 31 on the surface opposite to the side where the intermediate dicing trench 32 is formed, and forming the cut-dicing trench 35 in the taper trench 31 to get through the intermediate dicing trench 32.例文帳に追加

又は、中間ダイシング溝３２を設け、中間ダイシング溝３２を設けた面と反対側にテーパー溝３１を形成した後に、このテーパー溝３１に中間ダイシング溝３２に達する切断ダイシング溝３５を形成する合計３回のダイシングでベース基板１０を切断する。 - 特許庁

The buffer layer is formed on the trench sidewall.例文帳に追加

バッファー層がトレンチの側壁に形成される。 - 特許庁