two electron processとは 意味・読み方・使い方

NEGATIVE RESIST COMPOSITION USED IN PROCESS WHERE EXPOSURE IS PERFORMED USING AT LEAST TWO KINDS OF EXPOSURE LIGHT SOURCES SELECTED FROM G-LINE, I-LINE, KrF EXCIMER LASER, AND ELECTRON BEAM, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

An electron beam is linearly and repeatedly scanned at two end positions in the predetermined region on the sample 4, the focus of the electron beam is changed in a predetermined range during the process of the repetitive scanning, and a signal obtained from the sample for every focus is displayed, by displacing it at an end position corresponding to the scanning of the electron beam of the rhombus-shaped image.例文帳に追加

更に、試料４上の所定領域の２つの端部位置で電子ビームがライン状に繰り返し走査され、この繰り返し走査の過程で電子ビームのフォーカスを所定範囲変化させ、各フォーカスごとに試料から得られた信号を前記菱形の像の電子ビームの走査に対応した端部位置においてずらして表示する。 - 特許庁

The probe method consists of two processes, one in which the electrode pad of a wafer W is subjected to a reduction process using a foaming gas and the second in which the electron pad and a probe pin 14A are put in contact in a dry atmosphere.例文帳に追加

本発明のプローブ方法は、フォーミングガスを用いてウエハＷの電極パッドを還元処理する工程と、乾燥雰囲気下で電極パッドとプローブピン１４Ａを接触させる工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加

ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting material includes a process for mixing single layer carbon nanotubes or two-layer carbon nanotubes 40 in elastomer 30 and dispersing them by shearing force to obtain a carbon fiber composite material 1.例文帳に追加

本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor storage element, a storage part 200 equipped with two transistors as one set by the standard CMOS process makes a hole and an electron generated when an inter-band tunnel current generated between a source and a semiconductor substrate flows trapped in a crystal defect in the vicinity of the boundary of the semiconductor substrate and a gate oxide film.例文帳に追加

標準的なＣＭＯＳプロセスによるトランジスタ二個を一組とし備える記憶部２００は、ソース・半導体基板間に発生するバンド間トンネル電流が流れる際に発生する正孔と電子を、半導体基板とゲート酸化膜の境界付近にある結晶欠陥にトラップさせる。 - 特許庁

This invention solves the problem by presenting the manufacturing method of the coating liquid for the photoelectric conversion layer characterized in that this method includes a process of mixing two kinds of acceptor solutions each containing a fullerene derivative of a mutually different concentration and a donor solution containing an electron-donating photoelectric conversion material.例文帳に追加

本発明は、フラーレン誘導体の濃度が異なる２種類のアクセプター溶液と、電子供与性の光電変換材料を含むドナー溶液と、を混合することを特徴とする光電変換層用塗工液の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁