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けい素面の英語
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英訳・英語 silicon
「けい素面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
警備システムの素面判別方法例文帳に追加
GaN系半導体の窒素面上に、コンタクト抵抗の低いn電極を形成する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device where a negative electrode with a low contact resistance is formed on GaN semiconductor nitride surface. - 特許庁
要素面積計測回路14は各セグメントにおける心腔内の二値化データを計数する。例文帳に追加
An elemental area measuring circuit 14 counts binary data in the cardiac cavity in each segment. - 特許庁
硬度が高く、凹凸を構成する要素面の平滑度が高い微細成形モールドを製造する。例文帳に追加
To manufacture a fine mold having high hardness and enhanced in the smoothness of an element surface which constitutes unevenness. - 特許庁
この炭素面状体2は、その先端が尖鋭であり、あたかも花弁のような形状をなしている。例文帳に追加
The carbon planar body 2 has a sharp edge and a petal-like shape. - 特許庁
張出部5〜8の裏面に、フェース素面2と平行面5a〜8aを形成する。例文帳に追加
Surfaces 5a-8a parallel to the face base surface 2 are formed on the reverse side of the jutting parts 5-8. - 特許庁
窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。例文帳に追加
To provide a nitride-based semiconductor device capable of reducing the contact resistance between the nitrogen face of a nitride-based semiconductor substrate, or the like and an electrode. - 特許庁
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「けい素面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
GaN基板上に形成された半導体レーザ素子においてGaN基板の窒素面を研磨して薄片化する。例文帳に追加
This semiconductor device is thinned by grinding a GaN substrate nitride surface in a semiconductor laser element formed on a GaN substrate. - 特許庁
このヘッド素体1を支持装置30に装着し、フェース素面2の研削加工及びスコアライン21の形成を行う。例文帳に追加
The basic element 1 of the head is attached to a supporting device 30 and grinding process and formation of score lines 21 of the face base surface 2 is performed. - 特許庁
画素面積が小さい、高精細画面のトップエミッション型有機EL表示装置における輝度傾斜を小さくする。例文帳に追加
To reduce the gradient of luminance in a top emission type organic EL display device with a high-definition screen whose pixel area is small. - 特許庁
この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。例文帳に追加
The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1. - 特許庁
この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。例文帳に追加
This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1. - 特許庁
この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。例文帳に追加
The process for fabricating a nitride-based semiconductor laser element comprises a step for etching the backside (nitrogen surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE, and a step for forming an n-side electrode 8 on the backside (nitrogen surface) of the etched n-type GaN substrate 1. - 特許庁
この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。例文帳に追加
A manufacturing method of a nitride-based semiconductor laser device includes steps of etching the back surface (nitrogen face) of an n-type GaN substrate 1 having a wurtzite structure by RIE method and forming an n-side electrode 8 on the etched back surface (nitrogen face) of the n-type GaN substrate 1. - 特許庁
この波面収差の計測に基づく樹脂材26の注入量の制御のみで、最適形状となったレンズ素面31を形成する樹脂材26を紫外線照射により硬化させる。例文帳に追加
Thus, the material 26 for forming the surface 31 becoming an optimum shape is cured by irradiating an ultraviolet ray thereto only by controlling the injecting amount of the material 26 based on the measurement of the aberration. - 特許庁
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