カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの英語

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ例文帳に追加

HORIZONTAL GROWTH METHOD OF CARBON NANO TUBE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME - 特許庁

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのチャネル作製の歩留まりを向上させること。例文帳に追加

To improve the yield in the manufacturing of the channel of a carbon nanotube field-effect transistor. - 特許庁

電界効果型トランジスタあるいは単一電子型トランジスタのチャネル部にカーボンナノチューブを接続したことを特徴とする。例文帳に追加

In the biosensor, a carbon nanotube is connected with a channel section of a field effect transistor or a single-electron type transistor. - 特許庁

カーボンナノチューブをチャネルとして用いた電界効果トランジスタにおいて、プラズマＣＶＤ膜を形成した場合でも、カーボンナノチューブの損傷を未然に防ぐこと。例文帳に追加

To prevent damage of carbon nanotubes even when a plasma CVD film is formed, in a field-effect transistor using carbon nanotubes as a channel. - 特許庁

半導体層にカーボンナノチューブ複合体を含有する電界効果型トランジスタの移動度およびオンオフ比を向上することのできるカーボンナノチューブ複合体を提供すること。例文帳に追加

To provide a carbon nanotube composite enhancing the mobility and on-off ratio of a field effect transistor containing a carbon nanotube composite in a semiconductor layer. - 特許庁

本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ１がｎ型またはｐ型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ２がカーボンナノチューブ１とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。例文帳に追加

A field effect transistor uses carbon nanotubes as channels, wherein the drain electrode and the source electrode are connected in series with a plurality of carbon nanotubes, and carbon nanotubes 1, in contact with the gate via a gate insulating layer, are doped to have an n-type or a p-type, and carbon nanotubes 2, in contact with the source and drain electrodes, are doped in a complementary fashion with the carbon nanotubes 1. - 特許庁

カーボンナノチューブ及びその配置方法と、これを用いた電界効果トランジスタとその製造方法及び半導体装置例文帳に追加

CARBON NANOTUBE AND ITS ARRANGEMENT METHOD, FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

カーボンナノチューブ分散溶液、有機半導体コンポジット溶液、有機半導体薄膜ならびに有機電界効果型トランジスタ例文帳に追加

CARBON NANOTUBE DISPERSING SOLUTION, ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITE SOLUTION, ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 特許庁