クーロン計の英語

荷電粒子線光学系におけるクーロン効果の計算方法、及び計算機プログラム、計算機プログラム記憶媒体例文帳に追加

METHOD OF COMPUTING COULOMB EFFECT IN CHARGED PARTICLE OPTICAL SYSTEM, COMPUTER PROGRAM, AND COMPUTER PROGRAM STORAGE MEDIUM - 特許庁

Stochastic Blurを正確に、かつ簡単に計算することにより、クーロン効果ボケを正確に把握し、クーロン効果を正確に補正する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which the Coulomb effect of a charged particle beam exposure system can be corrected accurately by accurately grasping the gradation of the Coulomb effect by accurately and simply calculating stochastic blur. - 特許庁

逆関数モデル３３では、推定摩擦Ｃｆは、推定粘性摩擦と推定クーロン摩擦とを区別して計算する。例文帳に追加

In the inverse function model 33, the estimated friction Cf calculates separately an estimated viscous friction and an estimated Coulomb friction. - 特許庁

荷電粒子の速度や方向が大幅に変化する荷電粒子線光学系においても、クーロン効果を正確に計算する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of accurately computing coulomb effect even in the charge particle optical system in which velocity and direction of the charged particles are changed to a large extent. - 特許庁

結晶化領域に設けられた薄膜トランジスタの電気特性を求めるシミュレータによりシミュレーションする方法および結晶化領域に設けられた薄膜トランジスタのチャネル領域に含まれるクーロン散乱中心密度を計算及び抽出するための物理解析モデル。例文帳に追加

METHOD FOR SIMULATION BY SIMULATOR FOR OBTAINING ELECTRIC CHARACTERISTICS OF THIN-FILM TRANSISTOR DISPOSED IN CRYSTALLIZED REGION AND PHYSICAL ANALYSIS MODEL FOR CALCULATING AND EXTRACTING COULOMB SCATTERING CENTRAL DENSITY INCLUDED IN CHANNEL REGION OF THIN-FILM TRANSISTOR DISPOSED IN CRYSTALLIZED REGION - 特許庁

領域１に電極（３）によって加えられるバイアス（Ｖ_b）は、ソースドレインパス（６）を有する単一電子トランジスタの形の電位計（４）に個々の電子がゲート電界を加えるようにして反対の荷電電子及び正孔を分離し、ソースドレインパス（６）に沿うキャリヤ電荷の輸送はクーロン遮断で制限される。例文帳に追加

A bias (Vb) applied to the region 1 by an electrode 3 separates oppositely charged electrons and holes, so that individual electrons applies a gate electric field to an electrometer 4 having a type of single electronic transistor with a source-drain path 6, and the transfer of carrier charges along the source/drain path 6 is limited by the Coulomb screening. - 特許庁