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基板加熱室の英語
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「基板加熱室」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 225件
基板加熱装置及び仕込室例文帳に追加
SUBSTRATE HEATER AND PREPARATION CHAMBER - 特許庁
基板加熱室２１内には、基板を加熱するためのホットプレート２２が備えられている。例文帳に追加
In a substrate heating chamber 21 a hot plate 22 for heating a substrate is provided. - 特許庁
基板処理室内に基板を加熱するヒータ１６が設けられている。例文帳に追加
A heater 16 is provided within a substrate processing chamber to heat a substrate. - 特許庁
本発明の半導体製造装置は、エッチング室と、基板を加熱するための加熱設備を有する加熱室とエッチング室と加熱室に連通する搬送室とを備える。例文帳に追加
A semiconductor manufacturing apparatus 40 includes an etching chamber, a heating chamber 43 having a facility for heating a substrate, and a transfer chamber 46 which communicates with the etching chamber and the heating chamber 43. - 特許庁
ベーク装置１０は、基板を加熱するようになされた加熱室２０と、前記加熱室内に配置され、前記加熱室内において基板を搬送し得る搬送装置４０と、を備えている。例文帳に追加
The baking apparatus 10 comprises a heating chamber 20 for heating a substrate, and a carrying device 40 that is arranged in the heating chamber and carries a substrate in the heating chamber. - 特許庁
反応室内に基板を載置する基板載置台が設けられ、この基板載置台に基板を加熱するヒータが埋め込まれる。例文帳に追加
A substrate mounting table is provided in a reaction chamber and a heater for heating the substrate is buried in the substrate mounting table. - 特許庁
基板加熱室２０は、連通した或いは非連通の複数の基板収容室２２または２３を具える。例文帳に追加
The chamber 20 is provided with communicated or non-communicated plural substrate housing chambers 22 or 23. - 特許庁
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「基板加熱室」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 225件
基板Ｇは加熱処理室３８内を上昇する過程で所定時間かけて加熱される。例文帳に追加
The substrate G is heated by spending a specified time in a process for rising in the heating process chamber 38. - 特許庁
本加熱室２１には、基板が収容された坩堝２が導入される。例文帳に追加
Into the main heating chamber 21, the crucible 2 containing a substrate is introduced. - 特許庁
同一の真空処理室４０の加熱・冷却装置１００において、それぞれ複数枚の基板を同時に収容出来る、基板加熱室２０と基板冷却室３０とに、熱的に分離して設ける。例文帳に追加
The heating and cooling apparatus 100 for the same vacuum processing chamber 40 is thermally separated into a substrate heating chamber 20 and a substrate cooling chamber 30 capable of simultaneously housing plural substrates respectively. - 特許庁
２層フレキシブル基板用の樹脂フィルム１０を、真空引きした巻出室１、加熱乾燥室３、巻取室２の順に移動させながら、加熱乾燥室３で加熱乾燥する。例文帳に追加
The resin film 10 for the two-layer flexible substrate is heated and dried in a heating drying chamber 3 while being moved sequentially through an evacuated unwinding chamber 1, the heating drying chamber 3 and a winding chamber 2. - 特許庁
処理室１内に収納した基板４を加熱して処理する基板処理装置に於いて、基板を載置して加熱する基板載置台３と該基板載置台に対向する熱反射板２５とを具備する。例文帳に追加
A substrate treating apparatus for heating and treating a substrate 4 housed in a treatment chamber 1 comprises a substrate mounting stand 3 on which the substrate is mounted and heated and a heat reflection board 25 opposed to the substrate mounting stand 3. - 特許庁
加熱装置は、基板（ウエハＷ）の搬入された際にこの基板表面に初期温度分布を生ずる加熱室３を備えている。例文帳に追加
The heating apparatus has the heating chamber 3 generating the initial temperature distribution on the substrate surface, when the substrate (wafer W) is carried in. - 特許庁
基板が装入される前、処理室を処理温度以上に加熱し、基板が装入された後、基板が処理温度となる様に処理室を冷却する。例文帳に追加
A processing chamber is heated at a processing temperature or higher beforehand when a substrate is charged, and it is cooled so that the substrate is kept at the processing temperature thereafter. - 特許庁
複数の基板を１枚ずつ処理室に搬入して加熱処理する際の基板間の膜厚均一性を向上した基板加熱方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of heating a substrate by which the uniformity of a film between substrates can be improved during heating by carrying in a plurality of substrates one by one into a processing chamber. - 特許庁
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