「"イオン注入された"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7. - 特許庁

微細粉末を溶媒中に分散させた分散液を、基板表面に塗布する塗布ステップと、前記基板表面に塗布された塗布層に含まれる微細粉末に、イオン注入を行うイオン注入ステップと、イオン注入された微細粉末を前記基板表面から剥離する剥離ステップと、を備える。例文帳に追加

The ion implantation method to fine powder includes: an application step where a dispersion liquid obtained by dispersing fine powder into a solvent is applied to the surface of a substrate; an ion implantation step where ion implantation is performed to the fine powder comprised in an application layer applied to the surface of the substrate; and a peeling step where the fine powder subjected to the ion implantation is peeled from the surface of the substrate. - 特許庁

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。例文帳に追加

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron. - 特許庁

レジスト膜１３と金属膜１１との界面部分のエッチングレートは、イオン注入された不純物１２によって速くされたり遅くされたりするので、結果的に金属膜１１の種類や微妙な変化（凹凸等を意味する）に拘らず、金属膜１１のエッチング断面のテーパを適正な角度にコントロールすることができる。例文帳に追加

Since the etching rate at the interface between a resist film 13 and the metal film 11 is speeded up/down by the impurity 12 which is subjected to ion-implantation, the taper of the etching cross section of the metal film 11 is controlled to an appropriate angle, independently of the kinds or minute changes in the metal film 11 (which means unevenness, etc.). - 特許庁

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。例文帳に追加

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured. - 特許庁