「"イオン注入された"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

イオン注入された層の上にさらに良好なエピタキシャル成長層を積んだ構造を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining a structure where a good epitaxial growth layer is further stacked on an ion implanted layer. - 特許庁

ダミーウエハを使用せずにイオン注入可能なイオン注入装置、及びこれを用いてイオン注入されたウエハを低コストで提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device without using a dummy wafer, and a wafer ion-implanted using the same inexpensively. - 特許庁

アンモニア、アセトニトリルを含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。例文帳に追加

The stripping liquid is excellent in resist stripping property, and particularly excellent in stripping the ion-implanted resist. - 特許庁

また、１２ｂが酸化膜３を通してイオン注入された領域で、チャネルストッパ領域となる箇所である。例文帳に追加

A region 12b is a region where ions are implanted through the oxide film 3 and serves as a channel stopper region. - 特許庁

図中の１２ａが窒化膜４と酸化膜３を貫通してイオン注入された領域で、パンチスルーストッパ領域となる箇所である。例文帳に追加

A region 12a in a figure is a region where ions are implanted penetrating through the nitride film 4 and the oxide film 3 and serves as a punch-through stopper region. - 特許庁

導電阻止構造は、例えば、溝或いは半導体に不純物がイオン注入された構造により達成される。例文帳に追加

The conduction inhibiting structure can be made, for example, by a groove or a structure in which impurity ions are implanted. - 特許庁

基板上に存在しているエッチングあるいはイオン注入されたレジスト膜を完全に除去し得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of completely removing a resist film on a substrate which is etched or ion-implanted. - 特許庁

特にイオン注入されたレジストは、イオン注入していないレジストよりもレジスト除去が困難であり、ＳＰＭ洗浄液でも剥離性が不十分であった。例文帳に追加

The resist stripper comprises ammonia and acetonitrile. - 特許庁

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。例文帳に追加

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'. - 特許庁

アクチュエータ装置の製造方法において、酸化シリコン膜上に酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、酸化ジルコニウム膜に、酸化ジルコニウム膜と下電極に対して密着性を有する金属をイオン注入する工程と、金属がイオン注入された層を熱処理する工程と、金属がイオン注入された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、を備える。例文帳に追加

The process for fabricating an actuator comprises a step for forming a zirconium oxide film on a silicon oxide film, a step for implanting ions of such a metal as exhibiting adhesion to the zirconium oxide film and a lower electrode into the zirconium oxide film, a step for heat treating a layer into which the metal ions are implanted, and a step for forming the lower electrode on the zirconium oxide film into which the metal ions are implanted. - 特許庁

第１窒化物半導体層６ａ、６ｂの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているＡｌ含有領域８ａ、８ｂが形成されている。例文帳に追加

Al-containing regions 8a, 8b containing ion-implanted aluminum are formed in a range facing the surfaces of the first nitride semiconductor layers 6a, 6b. - 特許庁

室温でイオン注入されたボロンは、イオン注入温度の上昇に従って浅い領域から深い領域のボロンの高濃度化が進むようになる。例文帳に追加

The ion implantation boron at room temperature is enriched from a shallow domain to a deep domain in accordance with the rise of ion implantation temperature. - 特許庁

イオン注入された領域であるイオン注入領域が除去されない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device in which an ion implantation region which an ion-implanted region is not removed. - 特許庁

イオン注入された領域であるイオン注入層の厚みの除去量を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device reducing the thickness reducing amount of an ion-implanted layer or an ion-implanted region. - 特許庁

イオン注入された不純物原子の活性化のための熱処理温度を低くして、デバイス特性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device fabricating method in which properties of a device can be improved through making a heat treatment temperature low, for activating atoms of impurities subjected to ion implantation. - 特許庁

無欠陥層１６は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ１０の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。例文帳に追加

The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen. - 特許庁

ｐＭＯＳ素子の製造工程時にゲート電極と窒化膜スペーサの間に不活性ガスがイオン注入されたスクリーン酸化膜を介在させ、超低接合を形成する。例文帳に追加

To form super-low junction by interposing a screen oxide film to which inert gas is ion-injected between a gate electrode and a nitride film spacer in the manufacturing process of a pMOS element. - 特許庁

本発明は、第１不純物がイオン注入された第１領域と第２不純物を含有する第２領域とが面方向において周期的に形成された半導体層を有する半導体基板の製造方法である。例文帳に追加

A method is for manufacturing the semiconductor substrate including a semiconductor layer wherein a first region, in which a first impurity is ion-implanted, and a second region containing a second impurity are formed cyclically in a surface direction. - 特許庁

イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のＳｉＣ表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element of good characteristics by keeping the SiC surface clean and smooth after annealing for activating ion-implanted impurities. - 特許庁

その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。例文帳に追加

After that, a diamond semiconductor thin film 15 is obtained (Fig.5(f)) by activating ion-implanted impurities by annealing (Fig.5(e)) a diamond thin film 13 in which two kinds of ions are implanted. - 特許庁

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。例文帳に追加

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing. - 特許庁

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time. - 特許庁

イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。例文帳に追加

To provide a method, a device, and a chemical substance for minimizing the effects of undesirable chemical changes to a resist when removing an ion implanted resist. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハの表面からイオン注入を行い、このイオン注入されたウェーハに５００℃以上、シリコンの融点（１４１０℃）以下の温度で熱処理を施す。例文帳に追加

Ion implantation is performed from the surface of a silicon single crystal wafer and then the wafer is heat treated at a temperature between 500°C and the melting point of silicon (1,410°C). - 特許庁

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。例文帳に追加

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted. - 特許庁

スタック構造体は、イオン注入された電流閉じ込め領域〔２８〕を更に有し、ピーク注入濃度部が、空洞領域〔１２〕から長手方向に０．５μｍよりも長い距離だけ離間する。例文帳に追加

The stack structure body further has a current confining region 28 in which ion is implanted, and peak implantation concentration portion is estranged by a distance longer than 0.5μm in longitudinal direction from the cavity region 12. - 特許庁

アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び／又はその塩を含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。例文帳に追加

The resist stripper has excellent resist strippability, in particular, excellent strippability for an ion-implanted resist. - 特許庁

読出しドレインＦＤの形成工程では、画素分離ウェルＰＳのうち、各部ＰＳ１，ＰＳ２のいずれか一方において不純物がイオン注入された部分に、複数の読出しドレインＦＤを形成する。例文帳に追加

In a formation process of reading drains FD, a plurality of reading drains FD are formed in parts with the ions of the impurities implanted in either of the respective parts PS1, PS2 out of the pixel separation wells PS. - 特許庁

その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。例文帳に追加

After that, a diamond semiconductor thin film 15 is obtained (Fig.5(f)) by activating ion-implanted impurities by annealing (Fig.5(e)) a diamond thin film 13 in which two kinds of ions are implanted. - 特許庁

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。例文帳に追加

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist. - 特許庁

活性領域と素子分離領域の境界形状に悪影響を与えることなく、イオン注入された保護絶縁膜からの汚染を抑え、安定して高い信頼性を有する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device stably having high reliability by restraining contamination from a protective insulating film into which ions are implanted, without exerting a bad influence upon a boundary form between an active region and an element separation region. - 特許庁

これによりイオン注入された部分のＳｉＯＮ膜はＮを微量に含んだＳｉ層となり、島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３とゲート電極用の多結晶Ｓｉ膜６は電気的に接続される。例文帳に追加

Thereby, an SiON film in a part which is subjected to ion implantation turns into an Si layer containing a very small amount of N, and the projection part 23 of the island-like Si thin-film layer 33 and the polycrystalline Si film 6 for a gate electrode are connected electrically. - 特許庁

高濃度にイオン注入されたレジスト膜の除去を、レジストの残渣を残すことなくドライプロセスで行ない得るレジスト膜の除去方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for removing a resist film in which a heavily doped resist film can be removed by a dry process without leaving residues of resist. - 特許庁

炭化珪素基板にイオン注入された不純物を活性化するためのアニールを行う際に形成された変質層を、高い生産性で、かつ、炭化珪素半導体装置の特性の劣化を招くことなく除去することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which can remove a deteriorated layer formed by annealing for activating impurities ion-implanted to a silicon carbide substrate, with high productivity and without degrading characteristics of the silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

シリコン基板１０１の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、前記シリコン酸化膜よりも下層側の領域にイオン注入を行い、次いで熱処理して、イオン注入された単結晶のシリコンからなる下地層１０２を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate 101, ions are implanted in a region on the lower layer side than the silicon oxide film, and then heat treatment is performed to form an underlying layer 102 made of single crystal silicon subjected to the ion implantation. - 特許庁

活性層用ウェーハ１０に水素がイオン注入された貼り合わせウェーハ３０を、活性層用ウェーハ１０の表面と平行に、加熱ヒータ５２に対して貼り合わせウェーハ３０を移動させながら熱処理するので、水素バブル形成領域の厚さが小さくなる。例文帳に追加

The thickness of a hydrogen-bubble forming region is reduced because a laminated wafer 30, in which hydrogen ions are implanted to a wafer 10 for an active layer, is treated thermally while moving the wafer 30 to a heater 52 in parallel with the surface of the wafer 10. - 特許庁

本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a cleaning method of a semiconductor substrate with more excellent safety capable of efficiently removing impurities attached to the semiconductor substrate surface, in particular, an ion-implanted resist and the like without damaging gate insulating films, the substrate and the like. - 特許庁

本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a two agent-type semiconductor substrate cleaning agent which can efficiently peel impurity bonded to a surface of a semiconductor substrate, especially impurity such as resist which is io-implanted without damaging a gate insulating film and the substrate and which is excellent in safety. - 特許庁

貫通孔３１ｂは、表面からのＡｒイオン注入された部分がエッチングされて形成された孔であるので、注入パターンを小さいものにすれば、貫通孔３１ｂの径を貫通孔３１ａの径に比べて十分小さくなる。例文帳に追加

Since the through hole 31b is such a hole as formed by etching a part in which Ar ion is implanted from a surface, the aperture of the through hole 31b becomes significantly smaller than that of the through hole 31a when the implantation pattern is smaller. - 特許庁

以後、前記適合した条件でイオン注入された領域ＲＮ−１はマスクで遮断して、残り領域ＣＮは露出させるためのマスクを介在して前記残り領域に対するイオン注入条件を補償する条件で領域４４にイオン注入工程を遂行する。例文帳に追加

Then, the region RN-1, Where ion is implanted under the condition, is shielded with a mask, and related to the remaining CN, with a mask for exposure in-between, an ion-implantation process is performed with a region 44 under conditions which compensates for the ion-implantation conditions to the remaining region. - 特許庁

本発明によって提供される電池用の正極集電体１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金製の導電性基材１２から構成された正極集電体１０であって、基材１２の表面１６にフッ素がイオン注入されたフッ素イオン注入層１４が形成されていることを特徴とする、正極集電体１０である。例文帳に追加

A positive electrode current collector 10 for a battery is composed of an aluminum or aluminum alloy conductive base material 12, and a fluorine ion implantation layer 14 formed by ion-implanting fluorine has on the surface 16 of the base material 12. - 特許庁

本発明は、イオン注入された面の裏面に薄膜が形成されている半導体ウェハＷの前記裏面のみに対し、前記薄膜をエッチングすることのできる第１の洗浄液を第１の洗浄液供給手段２０によって供給し、同時に第１の洗浄液に超音波を印加することを特徴としている。例文帳に追加

The semiconductor wafer W includes a thin film formed on a rear face of a surface to which the ion is implanted, and a first cleaning solution that can etch the thin film is fed only to the rear face by a first cleaning solution feeding means 20, and simultaneously a ultrasonic wave is applied to the first cleaning solution. - 特許庁

相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶と、前記第１の基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の下に形成される表面がイオン注入されたレジスト膜とを有する反射型液晶表示装置において、前記レジスト膜の下にアドレスを示す金属のパターンを形成する。例文帳に追加

In the reflective liquid crystal display device having: first and second substrates placed opposite to each other; a liquid crystal sealed in between the first and second substrates; a plurality of pixel electrodes formed on the first substrate; and a resist film which is formed under the pixel electrode and whose surface is ion-implanted, metal patterns indicating addresses are formed under the resist film. - 特許庁

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。例文帳に追加

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3. - 特許庁

エンドステーション１０内で注入領域制限マスク１２の開口部１３を通過するイオンビームによって特定領域にイオン注入すると同時に、注入領域制限マスク１２の開口部１６を通過するレーザービームＬによって、既にイオン注入された特定領域を熱処理する。例文帳に追加

In an end station 10, ions are implanted onto the particular region by an ion beam passing through an opening of an implantation region restricting mask 12, and at the same time, the particular region where ion has already been implanted is heat treated by a laser beam L passing through an opening 16 of the implantation region restricting mask 12. - 特許庁