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意味・対訳 臨界照射
「critical dose」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
ELECTRON BEAM DOSE CONTROL FOR SCANNING ELECTRON MICROSCOPY AND CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT EQUIPMENT例文帳に追加
走査電子顕微鏡法および臨界寸法測定機器のための電子ビーム線量制御 - 特許庁
To provide a means to determine an exposure dose to correct changes in a line width dimension (critical dimension) after drawing a mask.例文帳に追加
マスクの描画後の線幅寸法（ＣＤ）変動を補正する照射量を求める手法を提供する。 - 特許庁
A first ion implanting process (a1) implants a bond wafer 1 with ions below a critical dose at the side facing an insulation film 2 to form a peel-expected ion implanted layer 3.例文帳に追加
第１のイオン注入工程（ａ１）で、ボンドウェーハ１の絶縁膜２側から臨界ドーズ量未満のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を形成する。 - 特許庁
To control corrosion of metallic materials in a super-critical pressure light water reactor using a direct cycle, reduce transfer of radioactive corrosion products to a turbine system and reduce the dose of the turbine system.例文帳に追加
直接サイクルを用いた超臨界圧軽水炉の金属材料腐食を抑制し、放射性腐食生成物のタービン系への移行を低減し、タービン系の線量を低減する。 - 特許庁
This optimization method records control variables such as a control dose and a focal point, in each of processes in a double patterning lithographic process, and measures characteristics of intermediate features such as a critical dimension and a sidewall angle in a double patterning process.例文帳に追加
ダブルパターニングリソグラフィプロセスにおける工程のそれぞれにおける制御線量、焦点等の制御変数が、記録され、ダブルパターニングプロセスにおける、クリティカルディメンション、側壁部角度等の中間フィーチャの特性が、測定される。 - 特許庁
A method is provided, which prints a series of test patterns 200 on a test substrate using a lithography projection apparatus in order to measure a critical dimension printed as a function of a preset value of the amount of exposure dose and a preset value of focal length.例文帳に追加
印刷されたクリティカルディメンジョンを露光ドーズ量設定値および焦点設定値の関数として測定するために、リソグラフィ投影装置を使用して試験基板に一連の試験パターン２００を印刷する方法が提供される。 - 特許庁
A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加
第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁
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「critical dose」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
The method for uniformizing the ion implantation process includes a step of measuring the critical dimension (CD) variation in the semiconductor wafer, a step of moving the semiconductor wafer to the ion implantation process in a secondary mode, and a step of controlling the moving speed of the semiconductor wafer so that an implantation dose quantity to the semiconductor wafer is changed on the basis of the variation of the CD.例文帳に追加
半導体ウエハの限界寸法（CD）の変動を測定するステップ、イオン注入プロセス中に２次元モードで前記半導体ウエハを移動するステップ、及び、前記半導体ウエハへの注入ドーズ量は前記CDの変動に基づいて変化されるように前記半導体ウエハの移動速度を制御するステップを含むイオン注入均一のための方法。 - 特許庁
To provide a method of supplying liquid fuel capable of supplying liquid fuel under a condition of the temperature and the pressure wherein a combustion temperature lowering agent included in the liquid fuel dose not reach a pseudo-critical state or a supercritical state and capable of sufficiently efficiently and inexpensively restricting generation of nitrogen oxides and harmful materials such as soot in combustion of the liquid fuel in a combustion chamber.例文帳に追加
液体燃料中の燃焼温度降下剤が擬臨界状態又は超臨界状態とならない温度・圧力条件下で液体燃料を燃焼室に供給し、燃焼室における液体燃料の燃焼の際に窒素酸化物やすす等の有害物質の発生を十分に効率よく且つ安価に抑制することを可能とする液体燃料の供給方法を提供すること。 - 特許庁
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| ※この記事は「原子力資料情報室（CNIC）」ホームページ内の「脱原発のための和英小辞典」の情報を転載しております。 |
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