critical electric fieldとは 意味・読み方・使い方

Similarly, the electric field of the horizontal direction is pinched off at the second depth by the second embedding region before an electric field strength at the first depth reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be increased.例文帳に追加

同様に、第１の深さにおける電界強度が臨界電界に達する以前に第２埋め込み領域によって第２の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を増加させることができる。 - 特許庁

In applying a reverse voltage, an electric field of a horizontal direction is pinched off at the first depth by the first embedding region before an actual joining portion reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be improved.例文帳に追加

逆方向電圧印加時には実際の接合部が臨界電界に達する以前に、第１埋め込み領域によって第１の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

That is to say, the controller 10 calculates the intensity of a magnetic field, generated by this magnet device from the value of the electric current and the operating critical temperatures of the coil 53 and container 52, based on the calculated magnetic field intensity and controls the by-pass unit 65 and power source 70, so that the measured temperature values do not exceed the operating critical temperatures.例文帳に追加

つまり、制御機器１０は、通電電流値からマグネット装置の発生する磁界強度を算出して算出した磁界強度を基準にして超電導コイル５３及び熱シールド容器５２の動作臨界温度を算出し、前記温度測定値がこれらの動作臨界温度を越えないようにバイパスユニット６５及び励磁用電源７０の制御を行う。 - 特許庁

The relative density of the superconductor is not less than 95%, when a current is carried to it without applying an external magnetic field in a refrigerant, a characteristic of current density J and an electric field E in a current region close to a critical current becomes E∝J^n; and an n-value in the formula is 20 or more.例文帳に追加

超電導体の相対密度が95％以上であり、冷媒中で外部磁界を加えずに電流を通電したとき、臨界電流近傍の電流域における電流密度Jと電界Eとの特性がE∝J^nとなり、その式中のn値が20以上である。 - 特許庁

The critical size and the process latitude of the main feature can be improved by strengthening photo-field effect interference or can be deteriorated by weakening photo-field effect interference in accordance with the phase of an electric filed, which is generated by the adjacent feature.例文帳に追加

隣接するフィーチャによって生成される電界の位相に応じて、主フィーチャの臨界寸法およびプロセスラチチュードを、強め合う光電界干渉によって改善するか、または弱め合う光電界干渉によって劣化させることができる。 - 特許庁