「"Bipolar junction transistor"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

And, the bipolar junction transistor (202) is overdriven.例文帳に追加

更に、前記バイポーラ接合トランジスタ(202)は、オーバードライブされる。 - 特許庁

INTEGRATED BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR FOR MIXED SIGNAL CIRCUIT例文帳に追加

混合信号回路用集積バイポーラ接合形トランジスタ - 特許庁

VERTICAL BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

垂直型バイポーラ接合トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a bipolar junction transistor formed together with a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードと共に形成したバイポーラ接合トランジスタを提供する。 - 特許庁

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COMPATIBLE WITH VERTICAL REPLACEMENT GATE TRANSISTOR例文帳に追加

縦型リプレイスメント・ゲート・トランジスタと両立性のあるバイポーラ接合トランジスタ - 特許庁

A second power supply is utilized to turn on the bipolar junction transistor (202).例文帳に追加

第２の電力源は、前記バイポーラ接合トランジスタ(202)をターンオンするために利用される。 - 特許庁

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH HIGH GAIN THAT CAN BE INTEGRATED WITH CMOS PROCESS, AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程と統合されることができる高い利得を有するバイポーラ接合トランジスタ及びその形成方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING SILICON CARBIDE PASSIVATION LAYER ON BASE REGION AND METHOD OF FABRICATING THEREOF例文帳に追加

ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法 - 特許庁

To provide a high-gain bipolar junction transistor that can be integrated with a CMOS process, and its forming method.例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる高利得を有するバイポーラ接合トランジスタ及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, the bipolar junction transistor has a collector, an intrinsic base, an external base, and an emitter in a relationship to lamination.例文帳に追加

一実施形態では、バイポーラ接合型トランジスタは積層関係にあるコレクタ、真性ベース、外部ベースおよびエミッタを備えている。 - 特許庁

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector.例文帳に追加

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。 - 特許庁

In one embodiment, a method provides a bipolar junction transistor (202) that is coupled to a first power supply (204).例文帳に追加

一実施形態において、一方法は、第１の電力源(204)に結合されるバイポーラ接合トランジスタ(202)を提供する。 - 特許庁

To provide the structure of a bipolar junction transistor (BJT) compatible with a process of a vertical MOSFET and to provide a method for processing the same.例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴの加工と両立性があるバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）の構造および加工方法を提供する。 - 特許庁

In this bipolar junction transistor, an epitaxial silicon carbide passivation layer 350 of the first conductivity type is provided on at least a portion of the epitaxial silicon carbide base layer 320 outside the silicon carbide emitter mesa.例文帳に追加

本発明に係るバイポーラ接合トランジスタでは、第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素保護層が、炭化ケイ素エミッタメサの外側にあるエピタキシャル炭化ケイ素ベース層の少なくとも一部に設けられる。 - 特許庁

The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor.例文帳に追加

第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。 - 特許庁

The forming method of the bipolar junction transistor capable of being integrated with a CMOS process of this invention forms a base region by adding a mask process and ion implantation process to the CMOS process.例文帳に追加

ＣＭＯＳ工程に統合されることができる本発明のバイポーラ接合トランジスタ形成方法は、ＣＭＯＳ工程でマスク工程及びイオン注入工程を追加することによってベース領域を形成する。 - 特許庁

The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.例文帳に追加

第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁

In a second embodiment, these voltage differences are reduced by regulating circuit nodes within the voltage reference circuit with a bipolar junction transistor (BJT) which have more ideal characteristics.例文帳に追加

第２の実施形態では、より理想的な特性を有するバイポーラ接合型トランジスタ（ＢＪＴ）を使用した電圧基準回路内の回路ノードを調整することによってこれらの電圧差を小さくしている。 - 特許庁

The semiconductor structure is operated as a bipolar junction transistor when the phase change material is in a first phase, and the semiconductor structure is operated as a MOSFET when the phase change material is in a second phase.例文帳に追加

相変化材料が第１の相のときには半導体構造はバイポーラ接合トランジスタとして動作し、相変化材料が第２の相のときには半導体構造は電界効果トランジスタとして動作する。 - 特許庁

To provide a silicon photodetection module in which a silicon photodiode detection unit and a parasitic perpendicular bipolar junction transistor amplification unit are formed simultaneously by CMOS process.例文帳に追加

シリコンフォトダイオード検出ユニットおよび寄生垂直バイポーラ接合トランジスタ増幅ユニットがＣＭＯＳプロセスによって同時に形成され得るシリコン光検出モジュールを提供する。 - 特許庁

The method for processing the bipolar junction transistor comprises the steps of forming at least three layers on a semiconductor substrate, sequentially forming an embedding collector region for the BJT and a source region for the MOSFET, and then forming two windows or trenches on the layer.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも３つの層を形成し、ＢＪＴ用の埋め込みコレクタ領域およびＭＯＳＦＥＴ用のソース領域を順番に形成した後、この層に２つのウインドウまたはトレンチを形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a high-performance bipolar junction transistor and a CMOS transistor with integration by reducing the number of masking steps.例文帳に追加

マスキングステップを少なくして高性能なバイポーラ接合形トランジスタ及びＣＭＯＳトランジスタを集積して形成する方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the doping level and width of the base region can be adjusted to a high-frequency circuit in an optical state, thereby making it possible to form the bipolar junction transistor suitable for the high-frequency circuit with high gain.例文帳に追加

これによって、ベース領域のドーピングレベル及び幅を高周波回路に最適の状態で調節することができるので、高利得の高周波回路に適するバイポーラ接合トランジスタを形成することができる。 - 特許庁

To provide an integrated circuit bipolar junction transistor(BJT) which is improved so as to maximize both of a breakdown voltage (Bvceo) and a cut-off frequency/maximum frequency ratio (Ft/Fmax).例文帳に追加

降伏電圧（Ｂｖｃｅｏ）及び遮断周波数／最大周波数比（Ｆｔ／Ｆｍａｘ）の両方を最大にする改良された、集積回路二極接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。 - 特許庁

This bipolar junction transistor is provided with a buried collector layer 20, a collector region 80 which is counter-doped and arranged adjacently to the buried collector layer, a base region 40 arranged adjacently to the counter-doped collector region 80 and an emitter region 50 arranged adjacently to the base region 40.例文帳に追加

埋込みコレクタ層２０、前記埋込みコレクタ層に隣接したカウンタードープしたコレクタ領域８０、前記カウンタードープしたコレクタ領域に隣接するベース領域４０、及び前記ベース領域に隣接するエミッタ領域５０、を具えた二極接合トランジスタ。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a bipolar junction transistor (BJT) comprising a silicon carbide (SiC) collector layer of first conductivity type an epitaxial silicon carbide base layer of second conductivity type on the silicon carbide collector layer, and an epitaxial silicon carbide emitter mesa of the first conductivity type on the epitaxial silicon carbide base layer.例文帳に追加

第１の導電型の炭化ケイ素（ＳｉＣ）コレクタ層、炭化ケイ素コレクタ層上の第２の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素ベース層、およびエピタキシャル炭化ケイ素ベース層上の第１の導電型のエピタキシャル炭化ケイ素エミッタメサを含むバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。 - 特許庁