例文 (3件) |
"Constant interface"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
To realize the thinning of a gate insulating film by reducing a parasitic low dielectric-constant interface layer on the interface of a gate-electrode material film/a high dielectric-constant gate insulating film formed when the gate-electrode material film is formed.例文帳に追加
ゲート電極材料膜形成時に形成されたゲート電極材料膜/高誘電率ゲート絶縁膜の界面における寄生低誘電率界面層を還元し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for suppressing the mixture of respective molten metals, and obtaining a clad metal plate having a constant interface even in a twin-roller continuous casting method for manufacturing the clad metal plate by the clad casting method in which metals to be cladded are started from their respective molten metals.例文帳に追加
クラッドする互いの金属同士を互いの溶湯から出発した合わせ鋳造方式によって、クラッド金属板を製造する双ロール連続鋳造方法であっても、金属溶湯の互いの混合を抑制でき、界面が一定なクラッド金属板を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁
The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加
マスクで第1領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層(2)と、N+ポリシリコンゲート(4)との間に、AlxOvの高誘電率界面誘電体層(3)が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、N+ポリシリコンのP−MOSの仕事関数は、P+ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁
例文 (3件) |
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