| 例文 (8件) |
"D layer"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
The B layer has 30 to 100 mm in thickness, the C layer has 2 to 20 mm in thickness, the D layer has 5 to 50 mm in thickness, a thickness ratio of C layer/(C layer + D layer) is 0.1 to 0.7, and a thickness ratio of (A layer + B layer)/(C layer + D layer) is 1 to 3.例文帳に追加
Ｂ層が３０〜１００mm、Ｃ層が２〜２０mm、Ｄ層が５〜５０mmの厚みで、Ｃ層／（Ｃ層＋Ｄ層）の厚み比が０．１〜０．７、（Ａ層＋Ｂ層）／（Ｃ層＋Ｄ層）の厚み比が１〜３にする。 - 特許庁
An (N+D) layer 23 adjacent to an end of the drain layer 12 side of the gate electrode 6 is formed.例文帳に追加
ゲート電極６のドレイン層１２側の端部に隣接したＮ＋Ｄ層２３を形成する。 - 特許庁
P-type impurity layers (P+D layer 22, FP layer 24) deeper than a drain layer 12 are formed below a contact region of the drain layer 12.例文帳に追加
また、ドレイン層１２のコンタクト領域の下方に、ドレイン層１２よりも深いＰ型不純物層（Ｐ＋Ｄ層２２，ＦＰ層２４）を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can reduce the resistance of an S/D layer of a MOS transistor formed on an SOI substrate and reduce its parasitic capacity, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
ＳＯＩ基板に形成されるＭＯＳトランジスタのＳ／Ｄ層について、その抵抗を小さくすることができ、且つ、その寄生容量を低減できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
This phase-change substance layer is a compound layer of four components containing indium, and the content (a) of In is 15 at.%≤a≤20 at.%, and the phase-change substance layer can be an In_aGe_bSb_cTe_d layer.例文帳に追加
インジウムを含む４成分化合物層であって、インジウム含有量（ａ）が１５ａｔ．％≦ａ≦２０ａｔ．％であることを特徴とする相変化物質層であり、該相変化物質層は、Ｉｎ_ａＧｅ_ｂＳｂ_ｃＴｅ_ｄ層でありうる。 - 特許庁
A laminated packaging material has laminated constitution of surface layer (C)/adhesive resin layer (D)/layer (A) comprising saponified ethylene/vinyl acetate copolymer or compsn. thereof/polyamide resin layer (B)/ layer (A) comprising saponified ethylene/vinyl acetate copolymer or compsn. thereof/adhesive resin layer (D)/surface layer (C).例文帳に追加
表面層（Ｃ）／接着性樹脂層（Ｄ）／エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物またはその組成物層（Ａ）／ポリアミド系樹脂層（Ｂ）／エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物またはその組成物層（Ａ）／接着性樹脂層（Ｄ）／表面層（Ｃ）の積層構成を有してなる。 - 特許庁
In this crustal movement detector, a receiver 30 receives a standard electric wave of 40 kHz reflected by a D layer to generate a signal having a frequency at 10 MHz of 125 times the carrier frequency 40 kHz of the received electric wave with the signal phase-synchronized with the electric wave, by using a phase synchronizing circuit.例文帳に追加
受信装置３０は、Ｄ層で反射された４０ｋＨｚの標準電波を受信し、受信した標準電波のキャリア周波数４０ｋＨｚの１２５倍の周波数１０ＭＨｚを有する信号を、位相同期回路を用いて標準電波に位相同期させた状態で生成する。 - 特許庁
In the polarizing plate having a protective sheet A applied on both faces of a polarizer P, the protective sheet A comprises a noncrystalline thermoplastic polymer base layer B and an urethane adhesive layer C and a high water absorbing layer D on the base layer to form a B/C/D layer structure, and the high water absorbing layer D of the protective sheet A is adhered to the polarizer P.例文帳に追加
偏光子Ｐの両面に保護シートＡを積層してなる偏光板において、該保護シートＡが非晶性熱可塑性重合体からなるベース層Ｂの片面にウレタン系接着層Ｃと高吸水層ＤをＢ／Ｃ／Ｄの順に積層され、該保護シートＡの高吸水層Ｄと偏光子Ｐが接着した積層シートであることを特徴とする偏光板。 - 特許庁
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