| 例文 (8件) |
"k-values"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8件
Thus, the K values (K_C, K_M, K_Y, and K_K) output from the CMS 40C, 40M, 40Y and 40K are transformed to the CMYK values.例文帳に追加
このようにして、ＣＭＳ４０Ｃ、４０Ｍ、４０Ｙ、４０Ｋから出力されるＫ値（Ｋ_Ｃ、Ｋ_Ｍ、Ｋ_Ｙ、Ｋ_Ｋ）を、ＣＭＹＫ値に変換する。 - 特許庁
Then an Anoto pattern generating part 106 transmits an Anoto pattern data comprising only K values to the printer 20.例文帳に追加
その後、Ａｎｏｔｏパターン生成部１０６は、Ｋ値のみからなるアノトパターンデータをプリンタ２０に送信する。 - 特許庁
The second or succeeding stable region of betatron vibration is searched by calculating in linear optical approximation on various combinations of the number of the cells and the k values and finding the number of beam optical stable solutions.例文帳に追加
第２の又はそれ以降のベータトロン振動の安定領域は、セル数Ｎとｋ値との様々な組み合わせについて線形光学近似による計算を行い、ビーム光学的安定解の数を求めることにより探索する。 - 特許庁
As an initial condition of a wafer, one of film thickness of the film to be processed and a base film, n values, k values on the wafer, or an amount of warpage of the wafer is measured (a step S1).例文帳に追加
ウェハの初期条件として、ウェハ上の被処理膜及び下地膜の膜厚、ｎ値、ｋ値、又はウェハの反り量のいずれかを測定する（ステップＳ１）。 - 特許庁
Even when the K values of the NMOS transistors N1 and LN2 vary due to a change in temperature, the voltage generated across the resistor R1 is always the threshold voltage difference between the NMOS transistors N1 and LN2, and thus hardly varies.例文帳に追加
温度変化により、ＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮＭＯＳトランジスタＬＮ２のＫ値が変化しても、抵抗Ｒ１に発生する電圧は常にＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＬＮ２とのしきい値電圧差になり、抵抗Ｒ１に発生する電圧もほとんど変化しなくなる。 - 特許庁
Even when K values of NMOS transistors N1 and LN2 vary due to manufacturing fluctuations in semiconductor devices, a voltage generated across a resistor R1 is always a threshold voltage difference between the NMOS transistors N1 and LN2, and thus hardly varies.例文帳に追加
半導体装置の製造ばらつきにより、ＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮＭＯＳトランジスタＬＮ２のＫ値がばらついても、抵抗Ｒ１に発生する電圧は常にＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＬＮ２とのしきい値電圧差になり、抵抗Ｒ１に発生する電圧もほとんどばらつかなくなる。 - 特許庁
To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing.例文帳に追加
多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁
To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.例文帳に追加
多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁
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