「"nitrogen film"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a device for depositing a boron carbon nitrogen film having an extremely low dielectric constant.例文帳に追加

極めて低い誘電率を有するホウ素炭素窒素膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。 - 特許庁

On the substrate 1 where the gate electrode is buried, a gate nitrogen film 6 and a gate oxide film 7 are continuously formed.例文帳に追加

ゲート電極を埋め込んだ基板１の上にゲート窒素膜６及びゲート酸化膜７を連続成膜する。 - 特許庁

An amorphous silicon film 104 is formed on a silicon nitrogen film 102 and a silicon dioxide film 103 formed on an insulating substrate 101.例文帳に追加

絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。 - 特許庁

The method of forming the film comprises steps of generating plasma 50 in a cylindrical container 1, mainly exciting nitrogen atoms in the container 1, then reacting boron and carbon, and forming the boron-carbon-nitrogen film 61 on a substrate 60.例文帳に追加

円筒状容器１内にプラズマ５０を生成し、円筒状容器１内に窒素原子を主に励起した後、ホウ素および炭素と反応させ、基板６０にホウ素炭素窒素膜６１を成膜する。 - 特許庁

Further, by carrying out film deposition while properly controlling the atmospheric pressure of gaseous oxygen and gaseous nitrogen, film characteristics can be widely controlled, e.g. from 2 μΩ to infinity in the case of resistivity.例文帳に追加

さらにこの時、酸素ガスと窒素ガスの雰囲気圧を適切に制御しながら成膜することで、比抵抗で２μΩｍから無限大まで幅広く膜質を調整することが可能となった。 - 特許庁

A process keeps a temperature rising state, after a plasma is generated in a film-forming chamber, nitrogen atoms are made to react with boron and carbon in the film-forming chamber, and the boron-carbon-nitrogen film is formed on a substrate.例文帳に追加

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、昇温状態に保持する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The film forming device has a process for generating plasma in a film forming chamber, reacting nitrogen atoms with boron and carbon in the film forming chamber and being irradiated with light after the boron, carbon and nitrogen film is formed on a substrate.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for depositing a film of low dielectric constant comprises a step for generating plasma in a film deposition chamber and a step for causing reaction of a nitrogen atom with boron and carbon in the film deposition chamber to deposit a boron carbon nitrogen film on a substrate and then irradiating the film with light.例文帳に追加

前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 - 特許庁